計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時間： 2013-11-12
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隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時間： 2014-03-24
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MSP430G2553 硬件例程 非常全面
上傳時間： 2013-12-11
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PIC16F877_C語言例程.pdf
上傳時間： 2013-11-18
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MeTech Verilog例程。
上傳時間： 2013-11-05
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stm8s的c語言編程例程
上傳時間： 2013-11-08
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HCS08HCS12系列單片機(jī) 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能強(qiáng)、功耗小、價 格低等特點，在業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飛思卡爾引入了新的片上調(diào)試技術(shù)——BDM。 這種調(diào)試技術(shù)由于其優(yōu)越的性能而逐漸被業(yè)界接受，成為廣泛使用的MCU在線編程 調(diào)試方法。針對 BDM 技術(shù)，國外公司提供了功能強(qiáng)大的編程調(diào)試器，但價格高昂， 難以被國內(nèi)廣大用戶接受；國內(nèi)一些高校也進(jìn)行了相關(guān)研究開發(fā)，但是研發(fā)的編程調(diào) 試器大多存在以下三個問題：一是隨著飛思卡爾MCU總線頻率的不斷提高，這些編 程調(diào)試器已經(jīng)不能適應(yīng)與高頻率MCU的通信的要求；二是無法與飛思卡爾的集成開 發(fā)環(huán)境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 協(xié)議，導(dǎo)致整體通 信速度很慢。 本文對國內(nèi)外已有的HCS08/HCS12 編程調(diào)試器進(jìn)行了深入的技術(shù)分析，綜合目 前微控制器的最新發(fā)展技術(shù)，提出了采用USB2.0 通信接口的編程調(diào)試器硬件及底層 驅(qū)動的設(shè)計方案，實現(xiàn)了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM編程調(diào)試器)，有效地解決了國內(nèi)編程調(diào)試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時，本文在研究CodeWarrior的通信接口規(guī)范 的基礎(chǔ)上，剖析了CodeWarrior中通信接口函數(shù)的功能，實現(xiàn)了作者編程調(diào)試器體系 中的通信函數(shù)，使之適用于 CodeWarrior 開發(fā)環(huán)境。USBDM 編程調(diào)試器通信函數(shù)動 態(tài)鏈接庫的設(shè)計，不僅便于使用編程調(diào)試器進(jìn)行二次開發(fā)，也方便了驅(qū)動程序的更新。
上傳時間： 2013-10-28
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