51單片機開發(fā)例程，有圖片和文字說明，配合hc6800開發(fā)板使用更佳
標簽： 51單片機實驗
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：pscsmon
買的開發(fā)板上自帶的例程，上傳與電子愛好的共享
上傳時間： 2013-08-13
上傳用戶：whymatalab2
arm7例程：proteus的ARM學(xué)習(xí)歷程，有相關(guān)的電路和仿真程序，方便初學(xué)者的仿真學(xué)習(xí)。
上傳時間： 2013-08-17
上傳用戶：座山雕牛逼
鼠標例程\r\n\r\ninstall_mouse \r\nremove_mouse \r\nmouse_x \r\nmouse_y \r\nmouse_b \r\nmouse_pos \r\nshow_mouse \r\nscare_mouse \r\nunscare_mouse \r\nfreeze_mouse_flag \r\nposition_mouse \r\nset_mouse_range \r\nset_mouse_speed \r\nset_mouse_sprite \r\nset_mou
上傳時間： 2013-09-06
上傳用戶：siguazgb
PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動器，具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍，並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：xhwst
大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。
標簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：watch100
對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
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