聲光雙控燈1
標簽: 聲光雙控
上傳時間: 2013-11-21
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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能實現VCO 功能的電路很多,常用的有分立器件構成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯諧振電容三點式電路、壓控晶體振蕩器,積分-施密特電路、射級耦合多諧振蕩器、變容二極管調諧LC 振蕩器和數字門電路等幾種。它們之間各有優缺點,下面做簡要分析,并選擇最合適的方案。
標簽: 壓控 振蕩電路
上傳時間: 2013-11-06
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聲控開關和光控開關的制作
標簽: 聲控開關 光控開關
上傳時間: 2013-10-27
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半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
標簽: 封裝 IC封裝 制程
上傳時間: 2014-01-20
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計一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源,論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉換電路作為核心,Howland電流源做為誤差補償電路,進一步提高了電流源的精度,使絕對誤差仿真值達到nA級,實際電路測量值絕對誤差達到?滋A級,得到高精度的壓控電流源。仿真和實驗測試均證明該方案是可行的。
標簽: Howland 電流源 壓控 精密
上傳時間: 2014-12-24
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三相橋式全控整流電路的工作原理
標簽: 三相橋式 全控整流 電路 工作原理
上傳時間: 2013-10-23
上傳用戶:Miyuki
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
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多級感應線圈發射器測控系統設計
標簽: 多級 發射器 感應線圈 測控
上傳時間: 2013-10-16
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LED照明作為一種新型照明光源,具有環保、安全和可靠性高等諸多優點。為了使其在西藏地區得到廣泛應用,考慮到藏族家庭裝飾習慣以及對藏傳拂教的信仰,基于藏式茶碗托及蓮花外觀,設計出了具有豐富民族特色的光控LED蓮花燈。本文主要對光控LED蓮花燈內部電路的設計進行介紹。
標簽: LED 光控
上傳時間: 2013-11-24
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