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采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

上傳時(shí)間： 2013-10-11

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p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

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配電網(wǎng)長(zhǎng)架空線路電壓壓降分析與計(jì)算

 配電網(wǎng)架空線路是城郊及農(nóng)村最常用線路敷設(shè)方式，對(duì)供電距離較長(zhǎng)的架空線路，電壓壓降問題尤其值得重視。以實(shí)際工程施工線路電壓壓降問題為例，針對(duì)線路電壓壓降和無功補(bǔ)償配置問題，給出了分析方法和計(jì)算過程，通過方案比對(duì)，得出最優(yōu)供電方案。

標(biāo)簽： 配電網(wǎng) 架空線路 壓降分析 電壓

上傳時(shí)間： 2013-10-29

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一種配電網(wǎng)拓?fù)涓櫡椒捌鋺?yīng)用

為了滿足實(shí)時(shí)跟蹤的需求，在分析了3種配電網(wǎng)拓?fù)涓櫵惴ǖ幕A(chǔ)上，提出了一種電網(wǎng)全局以母線為節(jié)點(diǎn)遍歷和設(shè)備單元局部更新相結(jié)合的新型實(shí)時(shí)跟蹤算法。為了便于說明算法的應(yīng)用，文中還對(duì)電網(wǎng)拓?fù)渥兓透櫵惴ㄟM(jìn)行了闡述。最后在一個(gè)大型鋼鐵企業(yè)的配電網(wǎng)仿真系統(tǒng)中進(jìn)行了實(shí)際的應(yīng)用，該仿真說明了該跟蹤算法是有效的。

標(biāo)簽： 配電網(wǎng) 上傳時(shí)間： 2013-11-06

N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

 N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

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優(yōu)化配網(wǎng)可靠性管理

優(yōu)化配網(wǎng)的建設(shè)性意見

標(biāo)簽： 配網(wǎng) 可靠性

上傳時(shí)間： 2013-10-25

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透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

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PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000

PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介

標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-11-08

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配電網(wǎng)智能監(jiān)測(cè)終端的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

隨著智能配電技術(shù)的不斷發(fā)展，配電網(wǎng)實(shí)時(shí)運(yùn)行參數(shù)以及配電網(wǎng)電能質(zhì)量已經(jīng)成為眾所關(guān)注的問題，為實(shí)現(xiàn)配電網(wǎng)實(shí)時(shí)運(yùn)行情況的監(jiān)測(cè)并對(duì)當(dāng)前配電網(wǎng)的電能質(zhì)量進(jìn)行分析，本文提出了一種配電網(wǎng)智能監(jiān)測(cè)終端的設(shè)計(jì)方法，詳細(xì)介紹了智能監(jiān)測(cè)終端的信號(hào)采集電路設(shè)計(jì)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘設(shè)計(jì)、通信接口設(shè)計(jì)等。

標(biāo)簽： 配電網(wǎng) 智能監(jiān)測(cè)

上傳時(shí)間： 2013-11-18

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ADE7878在新型配變監(jiān)測(cè)計(jì)量終端上的應(yīng)用

配變監(jiān)測(cè)計(jì)量終端是以計(jì)算機(jī)應(yīng)用技術(shù)、現(xiàn)代通信技術(shù)、電力自動(dòng)控制技術(shù)為基礎(chǔ)的信息采集、處理和實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)，集電力客戶服務(wù)功能于一身，技術(shù)先進(jìn)、功能完善、擴(kuò)展靈活，是供電企業(yè)監(jiān)控用戶用電情況，提高需求側(cè)管理水平的新一代遠(yuǎn)程監(jiān)控裝置。

標(biāo)簽： 7878 ADE 配變監(jiān)測(cè) 計(jì)量終端

上傳時(shí)間： 2013-11-02

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