文章介紹了系統的硬件電路原理與具體實現方法，其中主要包括載波恢\r\n復電路，PN 碼捕獲電路和跟蹤電路，并針對Xilinx 公司FPGA 的特點，對各電\r\n路的實現進行優化設計，在不影響系統穩定性和精度的前提下，減少硬件資源\r\n消耗，提高硬件利用率。設計利用Verilog 硬件描述語言完成，通過后仿真驗證\r\n電路正確性，并給出綜合結果。
標簽： Xilinx FPGA 硬件 電路原理
上傳時間： 2013-08-09
上傳用戶：qiaoyue
用動畫的方式進行模擬，介紹模電里的基礎性原理，像PN節 二極管 三極管 CMOS
標簽： 模擬電子 視頻教程
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：66666
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：bruce
標簽： 模擬 器件 動畫 教程
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：吾學吾舞
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
標簽： CoolMos 制造
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
pn結的形成及三極管的工作原理動畫
標簽： flash 二極管 三極管 動畫
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：咔樂塢
在經常應用的組合鍵
標簽： Protel 99
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：jennyzai
第一步，拿到一塊PCB，首先在紙上記錄好所有元氣件的型號，參數，以及位置，尤其是二極管，三機管的方向，IC缺口的方向。最好用數碼相機拍兩張元氣件位置的照片。第二步，拆掉所有器件，并且將PAD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈，然后放入掃描儀內，啟動POHTOSHOP，用彩色方式將絲印面掃入，并打印出來備用。第三步，用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨，打磨到銅膜發亮，放入掃描儀，啟動PHOTOSHOP，用彩色方式將兩層分別掃入。注意，PCB在掃描儀內擺放一定要橫平樹直，否則掃描的圖象就無法使用。第四步，調整畫布的對比度，明暗度，使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強烈，然后將次圖轉為黑白色，檢查線條是否清晰，如果不清晰，則重復本步驟。如果清晰，將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步，將兩個BMP格式的文件分別轉為PROTEL格式文件，在PROTEL中調入兩層，如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合，表明前幾個步驟做的很好，如果有偏差，則重復第三步。第六，將TOP。BMP轉化為TOP。PCB，注意要轉化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在TOP層描線就是了，并且根據第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步，將BOT。BMP轉化為BOT。PCB，注意要轉化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步，在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調入，合為一個圖就OK了。第九步，用激光打印機將TOP LAYER， BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上（1：1的比例），把膠片放到那塊PCB上，比較一下是否有誤，如果沒錯，你就大功告成了。
標簽： PCB 抄板
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：標點符號
摘要: 研究用內腔式He- Ne 激光器做光源時, 硅光電池實驗中光電檢流計讀數不穩定的現象。利用硅光電池分別觀測在不加偏振片、加上偏振片時內腔式He- Ne 激光器輸出的光強度, 得到激光經偏振片后輸出光強隨時間而變。利用共焦掃描干涉儀掃描出激光束的各個縱模, 實驗表明, 內腔式He- Ne 激光器每個縱模的偏振方向隨時間緩慢變化, 引起了實驗中輸出的光強變化。
標簽： 硅光電池 實驗 光強 輸出
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：ArmKing88
I2C總線高頻頭控制程序(Keil C51程序 基于芯片TSA5522系列) /*I2C總線高頻頭控制Keil C51程序(PLL芯片為TSA5522系列) *///--------------------------------------------------------------------------//// 源程序大公開 //// (c) Copyright 2001－2003 xuwenjun //// All Rights Reserved //// V1.00 ////--------------------------------------------------------------------------////標 題: I2C總線高頻頭控制程序(PLL芯片為TSA5522系列) ////文件名: xwj_fi1256.c ////版 本: V1.00 ////修改人: 徐文軍 E-mail:xuwenjun@21cn.com ////日 期: 06-02-26 首次公開 ////描 述: I2C總線高頻頭控制程序(PLL芯片為TSA5522系列) ////聲 明: //// 以下代碼僅免費提供給學習用途，但引用或修改后必須在文件中聲明出處. //// 如用于商業用途請與作者聯系. E-mail:xuwenjun@21cn.com //// 有問題請mailto xuwenjun@21cn.com 歡迎與我交流! ////--------------------------------------------------------------------------////老版本: 無 老版本文件名: ////創建人: 徐文軍 E-mail:xuwenjun@21cn.com ////日 期: 06-02-26 ////描 述: ////--------------------------------------------------------------------------// /* 頻率單位為KHz */#define FUENCY 38900 /* 中頻頻率 */#define PLLdataH(f) ((f+FUENCY)*16/1000/256) /* 頻率數據高 第1字節*/#define PLLdataL(f) ((f+FUENCY)*16/1000%256) /* 頻率數據低 第2字節*/#define PLLCON1 0x8e /* 控制字1 第3字節*/ /* 控制字2 第4字節*/#define PLLCON2(f) (((f)<(168000))?(0xa0):(((f)<(450000))?(0x90):(0x30)))#define PLLdata3(fchan) PLLdataH (fchan),PLLdataL (fchan),PLLCON2 (fchan)
標簽： Keil I2C C51 程序
上傳時間： 2013-11-10
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