文章介紹了系統(tǒng)的硬件電路原理與具體實現(xiàn)方法，其中主要包括載波恢\r\n復(fù)電路，PN 碼捕獲電路和跟蹤電路，并針對Xilinx 公司FPGA 的特點，對各電\r\n路的實現(xiàn)進行優(yōu)化設(shè)計，在不影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和精度的前提下，減少硬件資源\r\n消耗，提高硬件利用率。設(shè)計利用Verilog 硬件描述語言完成，通過后仿真驗證\r\n電路正確性，并給出綜合結(jié)果。
上傳時間： 2013-08-09
上傳用戶：qiaoyue
用動畫的方式進行模擬，介紹模電里的基礎(chǔ)性原理，像PN節(jié) 二極管 三極管 CMOS
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：66666
用動畫的方式進行模擬，介紹模電里的基礎(chǔ)性原理，像PN節(jié) 二極管 三極管 CMOS
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：bruce
用動畫的方式進行模擬，介紹模電里的基礎(chǔ)性原理，像PN節(jié) 二極管 三極管 CMOS
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：吾學(xué)吾舞
對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個PN結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
pn結(jié)的形成及三極管的工作原理動畫
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：咔樂塢
在經(jīng)常應(yīng)用的組合鍵
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：jennyzai
第一步，拿到一塊PCB，首先在紙上記錄好所有元氣件的型號，參數(shù)，以及位置，尤其是二極管，三機管的方向，IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機拍兩張元氣件位置的照片。第二步，拆掉所有器件，并且將PAD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈，然后放入掃描儀內(nèi)，啟動POHTOSHOP，用彩色方式將絲印面掃入，并打印出來備用。第三步，用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨，打磨到銅膜發(fā)亮，放入掃描儀，啟動PHOTOSHOP，用彩色方式將兩層分別掃入。注意，PCB在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平樹直，否則掃描的圖象就無法使用。第四步，調(diào)整畫布的對比度，明暗度，使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強烈，然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色，檢查線條是否清晰，如果不清晰，則重復(fù)本步驟。如果清晰，將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步，將兩個BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件，在PROTEL中調(diào)入兩層，如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合，表明前幾個步驟做的很好，如果有偏差，則重復(fù)第三步。第六，將TOP。BMP轉(zhuǎn)化為TOP。PCB，注意要轉(zhuǎn)化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在TOP層描線就是了，并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步，將BOT。BMP轉(zhuǎn)化為BOT。PCB，注意要轉(zhuǎn)化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步，在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調(diào)入，合為一個圖就OK了。第九步，用激光打印機將TOP LAYER， BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上（1：1的比例），把膠片放到那塊PCB上，比較一下是否有誤，如果沒錯，你就大功告成了。
上傳時間： 2013-10-15
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摘要: 研究用內(nèi)腔式He- Ne 激光器做光源時, 硅光電池實驗中光電檢流計讀數(shù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。利用硅光電池分別觀測在不加偏振片、加上偏振片時內(nèi)腔式He- Ne 激光器輸出的光強度, 得到激光經(jīng)偏振片后輸出光強隨時間而變。利用共焦掃描干涉儀掃描出激光束的各個縱模, 實驗表明, 內(nèi)腔式He- Ne 激光器每個縱模的偏振方向隨時間緩慢變化, 引起了實驗中輸出的光強變化。
上傳時間： 2013-11-17
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I2C總線高頻頭控制程序(Keil C51程序 基于芯片TSA5522系列) /*I2C總線高頻頭控制Keil C51程序(PLL芯片為TSA5522系列) *///--------------------------------------------------------------------------//// 源程序大公開 //// (c) Copyright 2001－2003 xuwenjun //// All Rights Reserved //// V1.00 ////--------------------------------------------------------------------------////標(biāo) 題: I2C總線高頻頭控制程序(PLL芯片為TSA5522系列) ////文件名: xwj_fi1256.c ////版 本: V1.00 ////修改人: 徐文軍 E-mail:xuwenjun@21cn.com ////日 期: 06-02-26 首次公開 ////描 述: I2C總線高頻頭控制程序(PLL芯片為TSA5522系列) ////聲 明: //// 以下代碼僅免費提供給學(xué)習(xí)用途，但引用或修改后必須在文件中聲明出處. //// 如用于商業(yè)用途請與作者聯(lián)系. E-mail:xuwenjun@21cn.com //// 有問題請mailto xuwenjun@21cn.com 歡迎與我交流! ////--------------------------------------------------------------------------////老版本: 無 老版本文件名: ////創(chuàng)建人: 徐文軍 E-mail:xuwenjun@21cn.com ////日 期: 06-02-26 ////描 述: ////--------------------------------------------------------------------------// /* 頻率單位為KHz */#define FUENCY 38900 /* 中頻頻率 */#define PLLdataH(f) ((f+FUENCY)*16/1000/256) /* 頻率數(shù)據(jù)高 第1字節(jié)*/#define PLLdataL(f) ((f+FUENCY)*16/1000%256) /* 頻率數(shù)據(jù)低 第2字節(jié)*/#define PLLCON1 0x8e /* 控制字1 第3字節(jié)*/ /* 控制字2 第4字節(jié)*/#define PLLCON2(f) (((f)<(168000))?(0xa0):(((f)<(450000))?(0x90):(0x30)))#define PLLdata3(fchan) PLLdataH (fchan),PLLdataL (fchan),PLLCON2 (fchan)
上傳時間： 2013-11-10
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