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鏡頻抑制

  • 一種無運放的高電源抑制比基準電壓源設計

    一種無運放的高電源抑制比基準電壓源設計

    標簽: 電源抑制

    上傳時間: 2021-10-17

    上傳用戶:kingwide

  • 電視干擾與抑制方法

    電視干擾與抑制方法

    標簽: 電視干擾

    上傳時間: 2022-01-23

    上傳用戶:jiabin

  • 電子系統(tǒng)中的噪聲抑制與衰減技術(無亂碼版)

    本書包括電路中噪聲抑制技術實踐應用的方方面面。涵蓋了兩種基本的噪聲控制方法:屏蔽和接地;介紹了其他一些噪聲抑制技術:如電路平衡、去禍、濾波等;還介紹了電纜布線、無源器件、觸點保護、本征噪聲源、有源器件的噪聲等方面的內容;同時還介紹了數(shù)字電路與靜電放電的噪聲和輻射方面的問題。本書適合于從事電子設備或系統(tǒng)設計的工程師使用,也可作為實用噪聲抑制技術的教材。此書網上可下載的都有亂碼 本身對此全部糾正極大方便了閱讀 

    標簽: 噪聲抑制 噪聲消除 噪聲控制

    上傳時間: 2022-02-16

    上傳用戶:

  • 從3G-5G小區(qū)間干擾抑制技術綜述

    從3G-5G小區(qū)間干擾抑制技術綜述一、概述: 干擾,泛指一切進入信道或通信系統(tǒng)對合法信號的正常工作造成了影響非期 望信號。移動通信系統(tǒng)的干擾是影響無線網絡掉話率、接通率等系統(tǒng)指標的重要 因素之一。它嚴重影響了網絡的正常運行和用戶的通話質量。 1.1、干擾的分類: (1)、從頻段上可分為上行干擾與下行干擾。上行干擾定義為干擾信號在移 動網絡上行段,基站受外界射頻干擾源干擾。上行干擾的后果是造成基站覆蓋率 的降低。物理上看,在無上行干擾的情況下,基站能夠接收較遠處手機信號。當上 行干擾出現(xiàn)時,期望的手機信號需強于干擾信號,基站才能與手機聯(lián)絡,因此手機 必須離基站更近,因此造成了基站覆蓋率的降低。下行干擾是指干擾源所發(fā)干擾 信號在移動網絡下行頻段,手機接收到干擾信號,無法區(qū)分正常基站信號,使手機 與基站聯(lián)絡中斷,造成掉話或無法登記。由于基站下行信號通常較強,對 GSM 來說, 當某一下行頻點被干擾時,手機能夠選擇次強頻點,與其他基站聯(lián)絡。而 CDMA 本 身即自擾系統(tǒng),因此上行干擾的危害比下行干擾更嚴重。

    標簽: 3g 綜述 區(qū)間 干擾 抑制 5g

    上傳時間: 2022-02-25

    上傳用戶:kingwide

  • MOSFET開關過程的研究及米勒平臺振蕩的抑制

    設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數(shù),在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

    標簽: mosfet

    上傳時間: 2022-04-02

    上傳用戶:默默

  • 村田噪聲抑制基礎教程

    本文檔是村田噪聲抑制基礎教程電子書歡迎免費下載

    標簽: 噪聲抑制

    上傳時間: 2022-05-12

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  • 大功率逆變電源IGBT關斷電壓尖峰抑制研究

    自20世紀80年代以來,以IGBT為代表的雙極型復合器件的迅速發(fā)展,使得電力電子器件沿著高電壓、大電流、高頻化、模塊化的方向發(fā)展,逆變技術日趨大容量化、高性能化,這使得采用大功率逆變電源作為艦船的主要供電電源成為可能。以igBT為主開關件的船大功逆變電源設計中,由于 KBт開關頻率、開關速度的提高以及容量的提升(目前3 300 V-1 500 A的 KBT模塊已投入實際應用),流經KBT的電流迅速變化,主電路母線的分布電感產生的瞬時電壓尖峰會施加在KBT兩端,如果處理不當,會使KBT的開關工作軌跡超出器件的SOA(Safe Operation Area安全工作區(qū)域),從而對逆變電源的正常運行構成威脅"1.本文對大功率逆變電源KBT關斷時產生電壓尖峰的機理進行了說明,并對影響關斷電壓尖峰的主要因素進行了分析。通過應用疊層復合母排降低了主電路母線的分布電感,通過設計合適的吸收電路改善了開關軌跡,從而抑制關斷電壓尖峰,使大功率逆變電源的開關器件運行在可靠的工作范圍內。

    標簽: 逆變電源 igbt

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:d1997wayne

  • EMI噪聲抑制原理與實際電路設計

    由于來自電路的EMI噪聲發(fā)射、傳導和輻射的過程十分復雜,因此抑制這種EM噪聲非常困難。為了提高靜噪效率,必須全面考察采取靜噪措施的位置和方法。在本手冊的前半部分,我們將通過引用實驗數(shù)據(jù)闡述電路發(fā)射EMI噪聲的原理以及EM噪聲通過電路傳導和輻射的原理。同時,我們還將闡述抑制EMI噪聲的方法。在本手冊的后半部分,將講述使用EM靜噪濾波器采取靜噪措施的注意事項,并給出EM靜噪濾波器在典型電路中的應用示例。我們衷心希望您在考慮靜噪措施時參考本手冊。由于發(fā)生EMI噪聲問題的電路中使用很多IC,使得EMI噪聲發(fā)射過程變得非常復雜。為了能夠將EMI噪聲現(xiàn)象說明得簡單清楚,本章將通過使用2、3個C的實驗電路示例來描述電路發(fā)射EM噪聲的過程。

    標簽: emi 噪聲抑制

    上傳時間: 2022-07-06

    上傳用戶:XuVshu

  • 神經網絡和數(shù)學形態(tài)學的海雜波抑制處理技術的研究應用

    當雷達波束照射海面時,海浪也能反射電波,使顯示器熒光屏上出現(xiàn)雜亂脈沖或不均勻閃爍斑點,時隱時現(xiàn),且位置不固定,這種看起來類似噪聲的后向散射回波,被稱為海雜波。簡單來說,海雜波就是來自于被雷達發(fā)射信號照射的一片海面的后向散射回波。航海雷達檢測海面上的或者接近海面上空的目標物體時,需要克服海面本身的海雜波,但由于海雜波具有變化多端和對目標物體的回波強度干擾大的缺點,故在很多情況下,限制了航海雷達的探測能力,所以說對于海雜波的抑制成為航海雷達必須解決的一個重要問題。研究海雜波抑制技術不僅具有理論上的重要性,而且具有實踐上的重要性,在海浪監(jiān)測、軍事偵察中均具有重大價值和廣泛需求。如何精確將淹沒于強海雜波背景中的目標信息提取出來是海雜波抑制技術的關鍵。目前抑制海雜波的方法即國大多都是從信號處理角度提出的,但由于海雜波信號具有很強的相關性,例如海尖峰效應-],這種相關性導致了從信號處理角度無法完全抑制海雜波。所以本文另辟蹊徑,提出了一種系統(tǒng)的從圖像處理角度去抑制海雜波的方法。此方法能夠有效地消除噪聲對海雜波圖像影響,并能準確地將目標圖像從海雜波圖像中

    標簽: 神經網絡

    上傳時間: 2022-07-09

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  • 開關電源中電磁干擾的抑制

    開關電源中電磁干擾的抑制                   

    標簽: 開關電源 電磁干擾

    上傳時間: 2022-07-20

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