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PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上，EMC一直被視為「黑色魔術(shù)（black magic）」。其實(shí)，EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來(lái)理解的。不過(guò)，縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用，但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言，仍然太過(guò)復(fù)雜了。幸運(yùn)的是，在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù)，只要藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)模型，就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。本文藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式和電磁理論，來(lái)說(shuō)明在印刷電路板（PCB）上被動(dòng)組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品通過(guò)EMC標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，事先所必須具備的基本知識(shí)。導(dǎo)線和PCB走線導(dǎo)線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經(jīng)常成為射頻能量的最佳發(fā)射器（亦即，EMI的來(lái)源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導(dǎo)線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會(huì)影響導(dǎo)線的阻抗大小，而且對(duì)頻率很敏感。依據(jù)LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長(zhǎng)度，在某組件和PCB走線之間，可以產(chǎn)生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時(shí)，導(dǎo)線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時(shí)，導(dǎo)線就具有電感的特性。因?yàn)樽兂筛哳l后，會(huì)造成阻抗大小的變化，進(jìn)而改變導(dǎo)線或PCB 走線與接地之間的EMC 設(shè)計(jì)，這時(shí)必需使用接地面（ground plane）和接地網(wǎng)格（ground grid）。導(dǎo)線和PCB 走線的最主要差別只在于，導(dǎo)線是圓形的，走線是長(zhǎng)方形的。導(dǎo)線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時(shí)，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒(méi)有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時(shí)，感抗大于電阻，此時(shí)導(dǎo)線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導(dǎo)線或走線應(yīng)該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
標(biāo)簽： PCB 被動(dòng)組件
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：極客
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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J-LIN仿真器操作步驟，J-LIN仿真器操作步驟。
標(biāo)簽： J-LIN 仿真器 操作
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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128Mb以上的串行閃存被認(rèn)為是電子產(chǎn)品滿足市場(chǎng)需求、增加更多功能的一個(gè)主要障礙，針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個(gè)簡(jiǎn)單的獨(dú)一無(wú)二的擴(kuò)容解決方案。這個(gè)解決方案可以把存儲(chǔ)容量輕松地?cái)U(kuò)大到4G或更大，完全兼容現(xiàn)有的串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議，無(wú)需重新設(shè)計(jì)主芯片的硬件。該解決方案優(yōu)于市場(chǎng)上現(xiàn)有的要求創(chuàng)建一個(gè)新的32位尋址模式的解決方案，因?yàn)閯?chuàng)建新的尋址模式可能強(qiáng)迫設(shè)計(jì)人員修改軟硬件。
標(biāo)簽： 串行閃存 大容量 存儲(chǔ)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
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C51編寫(xiě)對(duì)SST 之FLASH操作源代碼,用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)對(duì)SST39VF040的操作
標(biāo)簽： SST FLASH C51 040
上傳時(shí)間： 2015-01-04
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簡(jiǎn)單的進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
標(biāo)簽： 進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-30
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vfp的進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
標(biāo)簽： vfp 進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2015-01-06
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用於手機(jī)的BMP格式解析
標(biāo)簽： BMP 格式解析
上傳時(shí)間： 2015-01-09
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倉(cāng)庫(kù)進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
標(biāo)簽： 倉(cāng)庫(kù) 進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
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一通進(jìn)銷(xiāo)存源碼
標(biāo)簽： 進(jìn)銷(xiāo) 源碼
上傳時(shí)間： 2015-01-13
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