大整數(shù)乘法的詳細(xì)實(shí)行 比如說(shuō)1246*2566用此法可降低時(shí)間復(fù)雜度并且能過(guò)有效算出
標(biāo)簽： 1246 2566 整數(shù) 乘法
上傳時(shí)間： 2014-12-02
上傳用戶(hù)：zuozuo1215
對(duì)矩陣進(jìn)行Lu分解,使用使用c語(yǔ)言實(shí)現(xiàn),時(shí)間復(fù)雜度和力論的一樣,比較高
標(biāo)簽： 矩陣 分解 c語(yǔ)言 復(fù)雜度
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶(hù)：15071087253
C arm 3D traslate 模擬C手臂在三度空間移動(dòng)
標(biāo)簽： traslate arm 3D 模
上傳時(shí)間： 2013-12-18
上傳用戶(hù)：jjj0202
電力系統(tǒng)計(jì)算節(jié)點(diǎn)數(shù)不多的潮流程序,數(shù)度比較快
標(biāo)簽： 電力系統(tǒng) 流程 比較 計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-12-19
上傳用戶(hù)：BOBOniu
長(zhǎng)高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動(dòng)、引導(dǎo)，下載、燒寫(xiě)，設(shè)置日期、時(shí)間，設(shè)置工作頻率等多種功能，並且支持各種參數(shù)的存儲(chǔ)和自動(dòng)調(diào)用。 可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫(xiě)到Flash中去，BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處，系統(tǒng)參數(shù)保存在0x1ff000以上區(qū)域中。所以在燒寫(xiě)完BIOS，上電復(fù)位后先要執(zhí)一定要執(zhí)行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。
標(biāo)簽： BIOS 44 0xi 0II
上傳時(shí)間： 2013-12-25
上傳用戶(hù)：ainimao
堆排序 穩(wěn)定的排序 復(fù)雜度為N（logN ） 也是一種快速的排序
標(biāo)簽： logN 排序 復(fù)雜度
上傳時(shí)間： 2015-12-01
上傳用戶(hù)：chfanjiang
ARM綜合板子分時(shí)電度器計(jì)算電價(jià)，用電時(shí)數(shù)，分時(shí)用電時(shí)數(shù)，在不同寄存器中存儲(chǔ)。
標(biāo)簽： ARM 分 電度 電價(jià)
上傳時(shí)間： 2015-12-02
上傳用戶(hù)：stella2015
用bcb所撰寫(xiě)的kohonen程式,優(yōu)雅的網(wǎng)狀伸張分佈,將任意維度的input data,reduce至二維x,y平面,competivite learning的最佳範(fàn)例.
標(biāo)簽： competivite learning kohonen reduce
上傳用戶(hù)：腳趾頭
用C語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)溫度讀數(shù)攝氏度與華氏度之間的轉(zhuǎn)換
標(biāo)簽： C語(yǔ)言 溫度 攝氏 轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2015-12-04
上傳用戶(hù)：sqq
圓度誤差檢測(cè)的現(xiàn)狀與展望.介紹了圓度誤差檢測(cè)儀器的概況,以及近10年內(nèi)的圓度誤差接觸和非接觸檢測(cè)方法的原理及特點(diǎn)。并展望了圓度誤差檢測(cè)的發(fā)展趨勢(shì).
標(biāo)簽： 誤差 檢測(cè) 發(fā)展趨勢(shì) 檢測(cè)儀器
上傳時(shí)間： 2015-12-06
上傳用戶(hù)：hongmo
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