P P I I CK I I T T3 3 使用 說明--- - 連機(jī) 、 脫 機(jī)操作試用 MPLAB IDE 軟件一 、 P P I I C CK K I I T3 接 口說 明, , 硬 件 二 、 P P I I C CK K I I T3 連 接 電腦 MPL L AB I I DE 聯(lián)機(jī)三 、 聯(lián)機(jī)四 、聯(lián)機(jī)讀芯片程序五 、 脫機(jī) 燒寫 調(diào)試
標(biāo)簽： kit3 聯(lián)機(jī) 脫機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-03-24
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以AT89S52單片機(jī)為控制核心,采用電容降壓技術(shù),Buck電路拓?fù)?PWM驅(qū)動(dòng)模塊和功率器件散熱設(shè)計(jì),通過高速的數(shù)據(jù)采集、主功率輸入輸出模塊和控制模塊,設(shè)計(jì)一種新型智能車載充電器.在充電過程中,通過負(fù)脈沖瞬間放電實(shí)現(xiàn)對(duì)鉛酸蓄電池的再生修復(fù),提高電池的有效容量,延長使用壽命.該充電器體積小、速度快、效率高、可靠性好.With AT89S52 single chip computer as the control core,a new type of intelligent car-carried charger was designed by using capacitance step-down technology,Buck circuit topology,PWM driving module and power device heat dissipation design,through high-speed data acquisition,main power input and output module and control module.In the charging process,the regeneration and repair of lead-acid batteries are realized by instantaneous discharge of negative pulse,which improves the effective capacity of batteries and prolongs their service life.The charger has the advantages of small size,fast speed,high efficiency and good reliability.
標(biāo)簽： 車載充電器
上傳時(shí)間： 2022-03-27
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本文對(duì)PWM全橋軟開關(guān)直流變換器進(jìn)行了研究。具體闡述了PWM全橋ZS軟開關(guān)直流變換器的工作原理和軟開關(guān)的實(shí)現(xiàn)條件，就基本的移相控制FB ZVS PWM變換器存在的問題給予分析并對(duì)兩種改進(jìn)方案進(jìn)行了研究：1、能在全部工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)的改進(jìn)型全橋移相zvs-PWM DCDC變換器，文中通過對(duì)其開關(guān)過程的分析，得出實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)零電壓開關(guān)的條件。采用改進(jìn)方案設(shè)計(jì)了一臺(tái)48V~6 VDC/DC變換器，實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明其比基本的 ZVS-PWM變換器具有更好的軟開關(guān)性能。2、采用輔助網(wǎng)絡(luò)的全橋移相 ZVZCS-PWM DCDC變換器，文中具體分析了其工作原理及變換器特性，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率變換器在開關(guān)電源、不間斷電源、CPU電源照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、感應(yīng)加熱、電網(wǎng)的無功補(bǔ)償和諧波治理等眾多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，電力電子技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢使功率變換器的重量大大減輕體積大大減小，提高了產(chǎn)品的性能價(jià)格比，但采用傳統(tǒng)的硬開關(guān)技術(shù)，開關(guān)損耗將隨著開關(guān)頻率的提高而成正比地增加，限制了開關(guān)的高頻化提高功率開關(guān)器件本身的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗，另一方面，從變換器結(jié)構(gòu)和控制上改善功率開關(guān)器件的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗。如緩沖技術(shù)、無損緩沖技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)等軟開關(guān)技術(shù)在減少功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗方面效果比較好，理論上可使開關(guān)損耗減少為零。12軟開關(guān)技術(shù)的原理和類型功率變換器通常采用PwM技術(shù)來實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。硬開關(guān)技術(shù)在每次開關(guān)通斷期間功率器件突然通斷全部的負(fù)載電流，或者功率器件兩端電壓在開通時(shí)通過開關(guān)釋放能量，這種方式的工作狀況下必將造成比較大的開關(guān)損耗和開關(guān)應(yīng)力，使開關(guān)頻率不能做得很高。軟開關(guān)技術(shù)是利用感性和容性元件的諧振原理，在導(dǎo)通前使功率開關(guān)器件兩端的電壓降為零，而關(guān)斷時(shí)先使功率開關(guān)器件中電流下降到零，實(shí)現(xiàn)功率開關(guān)器件的零損耗開通和關(guān)斷，并且減少開關(guān)應(yīng)力。
標(biāo)簽： 移相全橋
上傳時(shí)間： 2022-03-29
上傳用戶：jason_vip1
開關(guān)電源基礎(chǔ)原理，電源拓?fù)浜拖嚓P(guān)功率器件的應(yīng)用
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-04-23
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NXP LPC2214軟件參考設(shè)計(jì)例程 -20例基礎(chǔ)源碼一 概述LPC2000 系列微控制器是基于ARM7TDMI-S 內(nèi)核的32 位微控制器片內(nèi)集成了支持400KHz 高速模式的硬件I2C 總線接口為了方便地對(duì) I2C 從器件進(jìn)行快速的正確的讀寫操作我們設(shè)計(jì)了LPC2000 系列微控制器I2C 軟件包本軟件包是硬件I2C 以主方式工作的只要用戶調(diào)用接口函數(shù)并提供幾個(gè)主要的參數(shù)即可輕松地完成I2C 總線外圍器件的應(yīng)用程序設(shè)計(jì)二 I2C 串行總線I2C 總線是PHILIPS 公司推出的芯片間串行數(shù)據(jù)傳輸總線2 根線(SDA SCL)即可實(shí)現(xiàn)完善的全雙工同步數(shù)據(jù)傳送能夠十分方便地地構(gòu)成多機(jī)系統(tǒng)和外圍器件擴(kuò)展系統(tǒng)I2C 器件是把I2C 的協(xié)議植入器件的I/O 接口使用時(shí)器件直接掛到I2C 總線上這一特點(diǎn)給用戶在設(shè)計(jì)應(yīng)用系統(tǒng)帶來了極大的便利I2C 器件無須片選信號(hào)是否選中是由主器件發(fā)出的I2C從地址決定的而I2C 器件的從地址是由I2C 總線委員會(huì)實(shí)行統(tǒng)一發(fā)配三 軟件包接口說明LPC2000 系列微控制器I2C 軟件包采用中斷方式進(jìn)行處理提供了4 個(gè)接口函數(shù)分別為ISendByte() ISendStr() IRcvByte 和IRcvStr() 由于I2C 向量中斷需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來設(shè)定(即VIC 的設(shè)置) 所以軟件包中沒有提供I2C 初始化的代碼在調(diào)用I2C 軟件包接口函數(shù)前用戶程序要配置好I2C 總線接口(I2C 引腳功能和I2C 中斷并已使能I2C 主模式)
上傳時(shí)間： 2022-05-03
上傳用戶：fliang
幾乎所有電源電路中，都離不開磁性元器件 電感器或變壓器。例如在輸入和輸出端采用電感濾除開關(guān)波形的諧波；在諧振變換器中用電感與電容產(chǎn)生諧振以獲得正弦波電壓和電流；在緩沖電路中，用電感限制功率器件電流變化率；在升壓式變換器中，儲(chǔ)能和傳輸能量；有時(shí)還用電感限制電路的瞬態(tài)電流等。而變壓器用來將兩個(gè)系統(tǒng)之間電氣隔離，電壓或阻抗變換，或產(chǎn)生相位移（3 相 Δ—Y 變換），存儲(chǔ)和傳輸能量（反激變壓器），以及電壓和電流檢測（電壓和電流互感器）。可以說磁性元件是電力電子技術(shù)最重要的組成部分之一。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 變壓器 電感
上傳時(shí)間： 2022-05-14
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1.1 什么是整流電路整流電路（rectifying circuit）把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路。大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速、發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成，20世紀(jì)70年代以后，主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負(fù)載之間，用于濾除脈動(dòng)直流電壓中的交流成分。變壓器設(shè)置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實(shí)現(xiàn)交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網(wǎng)與整流電路之間的電隔離。可以從各種角度對(duì)整流電路進(jìn)行分類，主要的分類方法有：按組成的期間可分為不可控，半控，全控三種；按電路的結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電路：按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向還是雙向，又可分為單拍電路和雙拍電路1.2整流電路的發(fā)展與應(yīng)用電力電子器件的發(fā)展對(duì)電力電子的發(fā)展起著決定性的作用，因此不管是整流器還是電力電子技術(shù)的發(fā)展都是以電力電子器件的發(fā)展為綱的，1947年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管，引發(fā)了電子技術(shù)的一次革命：1957年美國通用公司研制了第一個(gè)品閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生：70年代后期，以門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力雙極型晶體管（BJT）和電力場效應(yīng)晶體管（power-MOSFET）為代表的全控型器件迅速發(fā)展，把電力電子技術(shù)推上一個(gè)全新的階段：80年代后期，以絕緣極雙極型品體管（IGBT）為代表的復(fù)合型器件異軍突起，成為了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主導(dǎo)器件。另外，采用全控型器件的電路的主要控制方式為PWM脈寬調(diào)制式，后來，又把驅(qū)動(dòng)，控制，保護(hù)電路和功率器件集成在一起，構(gòu)成功率集成電路（PIC），隨著全控型電力電子器件的發(fā)展，電力電電路的工作頻率也不斷提高。同時(shí)。電力電子器件的開關(guān)損耗也隨之增大，為了減小開關(guān)損耗，軟開關(guān)技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生，零電壓開關(guān)（ZVS）和零電流開關(guān)（ZCS）把電力電子技術(shù)和整流電路的發(fā)展推向了新的高潮。
標(biāo)簽： 整流電路
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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摘要本文以音響放大系統(tǒng)為研究對(duì)象，以電子技術(shù)基本理論為基礎(chǔ)，結(jié)合當(dāng)前模擬電子應(yīng)用技術(shù)，對(duì)音響放大系統(tǒng)進(jìn)行了分析和研究，針對(duì)現(xiàn)代人群對(duì)功放效率的要求和特征，設(shè)計(jì)出該音響放大系統(tǒng)。音響的音質(zhì)是音響最重要的環(huán)節(jié)，由于我國在高級(jí)音響的設(shè)計(jì)上起步較晚，對(duì)新技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國外的發(fā)大國家，從放大電路的設(shè)計(jì)，揚(yáng)聲器的設(shè)計(jì)，對(duì)音像的還原，降低信噪比，低音的厚重感等等都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出我國自主產(chǎn)品，但是我國的音響企業(yè)已認(rèn)識(shí)到技術(shù)的不足，正在加大研發(fā)的投入，培養(yǎng)技術(shù)人才，努力學(xué)習(xí)和趕超國外的先進(jìn)技術(shù)。本文對(duì)現(xiàn)代高級(jí)音響設(shè)計(jì)的工藝有初步的了解，研究高級(jí)音響設(shè)計(jì)的電路組成，能夠理解電路圖的原理，對(duì)新技術(shù)、新知識(shí)進(jìn)行研究學(xué)習(xí)，并將所學(xué)用于實(shí)踐在現(xiàn)代音有普及中，人們因生活層次、文化習(xí)俗、音樂修養(yǎng)、欣賞口味的不同，令對(duì)相通電氣指標(biāo)的音響設(shè)備得出不同的評(píng)價(jià)。所以，就高保真度功放而言，應(yīng)該達(dá)到電氣指標(biāo)與實(shí)際聽音指標(biāo)的平衡與統(tǒng)一。隨者技術(shù)的發(fā)展，人民生活水平的提高，人們對(duì)音頻技術(shù)的功放的效率要求隨之提高。模擬的功率放大器經(jīng)過了幾十年的發(fā)展，在這方面的技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟。正因?yàn)檫@樣，數(shù)字功放應(yīng)運(yùn)而生。近年來，利用脈寬調(diào)劑原理設(shè)計(jì)的D類功放也進(jìn)入了音響領(lǐng)域".國外半導(dǎo)體一直專注于研發(fā)高性能的放大器與比較器，目前已成功推出一系列型號(hào)齊全的運(yùn)算放大器，其中包含基本的芯片以及特殊應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP），以滿足市場上對(duì)高精度、高速度、低電壓及低功率放大器的需求。另外國外在數(shù)字音頻功率放大器領(lǐng)城進(jìn)行了二三十年的研究，六十年代中期，日本研制出8bit數(shù)字音頻功率發(fā)大器。1893年，M.B.Sandler等學(xué)者提出D類數(shù)字PCM功率發(fā)大器的基本結(jié)構(gòu)。主要是圍繞如何將PCM信號(hào)轉(zhuǎn)化為PWM信號(hào)。把信號(hào)的幅度信號(hào)用不同的脈沖寬度來表示。此后，研究的焦點(diǎn)是降低其時(shí)鐘頻率，提高音質(zhì)。隨若數(shù)字信號(hào)處理（DSP）技術(shù)和新型功率器件及應(yīng)用的發(fā)展，開始實(shí)用化的16位數(shù)字音額功放成為可能。
標(biāo)簽： 音響電路
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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超聲波是一種能量存在的方式，超聲波通過高頻的振動(dòng)作用于水介質(zhì)，從而產(chǎn)生超聲空化效應(yīng)，這種空化效應(yīng)已經(jīng)在超聲波清洗中得到應(yīng)用，或者超聲波作用于傳聲媒介當(dāng)中，能夠引起媒介之間發(fā)生不同的效應(yīng)，已經(jīng)在基礎(chǔ)學(xué)科研究和工程應(yīng)用開發(fā)都表示出非常廣闊的應(yīng)用前景[12]。按照超聲波研究內(nèi)容上劃分，可以分為功率超聲和檢測超聲兩大領(lǐng)域Bl]。檢測超聲是工業(yè)及醫(yī)學(xué)檢查的一種方法之一，也被認(rèn)為是弱超聲的“被動(dòng)應(yīng)用”，功率超聲主要是通過超聲接觸對(duì)接觸面進(jìn)行高頻的振動(dòng)摩擦，以改變介質(zhì)的一些特性，所以功率超聲也被稱為“主動(dòng)應(yīng)用”[]。本課題主要是針對(duì)功率超聲波換能器進(jìn)行研究。超聲波的產(chǎn)生主要依靠的是超聲波換能器。超聲波換能器是一種能夠進(jìn)行機(jī)、電能量或者聲、電能量轉(zhuǎn)換的器件。對(duì)于功率超聲換能器而言，換能器通過壓電材料的壓電效應(yīng)將輸入的高頻電能轉(zhuǎn)換成高頻振動(dòng)的機(jī)械能量。換能器的種類有很多，應(yīng)用的領(lǐng)域也不相同，如磁致伸縮超聲換能器間，壓電陶瓷換能器等等。目前研究最為廣泛的是壓電陶瓷換能器，壓電陶瓷換能器是依靠壓電陶瓷的壓電效應(yīng)及逆壓電效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。壓電陶瓷的壓電效應(yīng)是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)引起的，壓電材料主要有鈦酸鋇、錯(cuò)鈦酸鉛、偏銳酸鉛、銳酸鉀鈉、鈦酸鉛等]。這些電介質(zhì)在某一恰當(dāng)?shù)姆较蚴┘右欢ǖ耐饬r(shí)，會(huì)引起內(nèi)部電極分布狀態(tài)發(fā)生改變，在介質(zhì)的相對(duì)表面上會(huì)出現(xiàn)和外力成正比且極性相反的帶電電荷，這種由外力引起的電介質(zhì)的現(xiàn)象叫做壓電效應(yīng)則。相反，若在電介質(zhì)上某一恰當(dāng)?shù)姆较蚣由弦欢◤?qiáng)度的外電場時(shí)，會(huì)引起電介質(zhì)內(nèi)部電極分布發(fā)生相應(yīng)的變化，從而產(chǎn)生和外電場強(qiáng)度成正比的應(yīng)變效應(yīng)，這種由于外電場引起的電介質(zhì)的應(yīng)變現(xiàn)象叫做逆壓電效應(yīng)]。功率超聲換能是超聲學(xué)領(lǐng)域中一個(gè)重要的分支學(xué)科。本課題主要針對(duì)壓電陶瓷式功率超聲波換能器展開研究。20世紀(jì)初期超聲波技術(shù)開始出現(xiàn)，而我國50年代才開始進(jìn)行大功率超聲的研究[]。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展特別是電子技術(shù)的發(fā)展，如單片機(jī)、DSP、FPFA等微處理器得快速發(fā)展，微處理器功能越來越強(qiáng)大，運(yùn)算速度越來也快，以及IGBT、MOSFET等功率器件的快速發(fā)展，功率器件的容量不斷的增加，響應(yīng)速度不斷的提高。對(duì)超聲波發(fā)生器的要求也越來越高，體積越來越小，功能越來越強(qiáng)大，越來越智能，可靠性進(jìn)一步提高。
標(biāo)簽： 超聲波換能器
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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三菱電機(jī)功率器件在工業(yè)、電氣化鐵道、辦公自動(dòng)化、家電產(chǎn)品等多種領(lǐng)域的電力變換及電動(dòng)機(jī)控制中得到廣泛應(yīng)用。為了真正滿足市場對(duì)裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強(qiáng)、容量大的要求，三菱電機(jī)積極致力于新型器件的研究、開發(fā)，為人類的節(jié)能和環(huán)保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機(jī)第5代IGBT硅片CSTBTIM技術(shù)，并具有正溫度系數(shù)特征，與傳統(tǒng)的溝槽型構(gòu)造IGBT相比，降低了集電極一發(fā)射極間飽和電壓，從而實(shí)現(xiàn)了更低損耗。同時(shí)改進(jìn)了封裝技術(shù)，大大減小了模塊內(nèi)部分布電感。本應(yīng)用手冊的出版，旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理，更加方便的使用三菱電機(jī)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。三菱電機(jī)謹(jǐn)向所有購買和支持三菱半導(dǎo)體產(chǎn)品的用戶表示誠摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認(rèn)識(shí)1.1 NF系列IGBT模塊的特點(diǎn)NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點(diǎn)：1，采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎(chǔ)上增加電荷蓄積層的新結(jié)構(gòu)（CSTBT）改善了關(guān)斷損耗（Eoff）和集電極-發(fā)射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞（PCM）的使用增強(qiáng)了短路承受能力（SCSOA）并降低了柵極電容，從而降低驅(qū)動(dòng)功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor載流子存儲(chǔ)式溝槽硼型雙極晶體臂
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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