基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間: 2014-08-01
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Butterworth函數的高階低通濾波器的有源設計
標簽: Butterworth 函數 低通濾波器 有源
上傳時間: 2013-11-20
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現代相控陣雷達為了保證空間功率合成精度需要高精度的雷達信號,設計實現了一種以AD9959為核心的高精度多通道雷達信號源。信號源利用多片AD9959產生32路正弦波、線性調頻以及相位編碼等多種信號形式,并設計采用AD8302對多路信號的幅度和相位進行檢測與調整。該信號源已應用實際工程中,現場實驗結果表明,該信號源系統產生的高頻信號頻率穩定度高、相位幅度一致性好,完全滿足對信號源的性能指標的要求。
標簽: 9959 AD 高精度 多通道
上傳時間: 2013-11-22
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計算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電。
標簽: 有源濾波 計算 二階 充放電
上傳時間: 2013-11-17
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產品概要: 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出,具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。 產品描述: 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出,還可以通過IQ選件實現其它任意調制輸出。GR6710既可程控發生點頻信號和掃頻信號,也支持內部調制和外部調制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作,也可以獨立供電工作,使用靈活。該模塊可用于通信測試、校準信號源。 技術指標 頻率特性 頻率范圍:9kHz~3GHz,500KHz以下指標不保證 頻率分辨率:3Hz,1Hz(載頻<10MHz時) 頻率穩定度:晶振保證 電平特性 電平范圍:-110dBm~+10dBm 電平分辨率:0.5dB 電平準確度:≤±2.5dB@POWER<-90dBm,≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關斷功能 頻譜純度 諧波:9KHz~200MHz≥20dBc,200MHz~3GHz≥30dBc 非諧波:≤80dBc典型值(偏移10kHz,載頻<1GHz),≥68dBc(偏移10kHz,其它載頻), 鎖相環小數分頻雜散≥64dBc(偏移10kHz) SSB相噪: ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz(500MHz) ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz(1GHz) ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz(>1GHz) 調制輸出:調幅AM、調頻FM、脈沖CW,其它調制輸出可以通過IQ選件實現 調制源:內、外 參考時鐘輸入和輸出:10MHz,14dBm 控制接口:CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時鐘連接器:SMA-K 電源接口:背板供電、獨立供電 可選 電源及其功耗:+5V DC、±12V DC(紋波≤2%輸出電壓),≤38W 結構尺寸:3U高度4槽寬度(100mm×160mm×82mm,不含連接器部分) 工作環境:商業級溫度和工業級溫度 可選,振動、沖擊、可靠性、MTBF 測控軟件功能:射頻信號發生、調制信號輸出、跳頻/掃頻信號發生、支持WindowsXP系統 成功案例: 通信綜測儀器內部的信號源模塊 無線電監測設備內部的信號校準模塊 無線電通信測試儀器的調制信號發生
標簽: 3GHz 6710 GR 射頻信號源
上傳時間: 2013-11-13
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結合直接數字頻率合成(DDS)和鎖相環(PLL)技術完成了X波段低相噪本振跳頻源的設計。文章通過軟件仿真重點分析了本振跳頻源的低相噪設計方法,同時給出了主要的硬件選擇和詳細電路設計過程。最后對樣機的測試結果表明,本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優點,滿足了實際工程應用。
標簽: X波段 跳頻源
上傳時間: 2013-11-12
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計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽: 歸零法 N進制計數器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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給出了兩種應用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術的比較,用共源共柵密勒補償技術設計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術進行比較,結果驗證了共源共柵密勒補償技術相對于直接密勒補償技術的優越性.
標簽: 共源共柵 運放 補償 比較
上傳時間: 2013-10-14
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共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應,在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時間: 2013-10-08
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