時(shí)至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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在越來越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障，則接入一個(gè)後備電源，用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池 超級電容器
上傳時(shí)間： 2014-01-08
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設(shè)計(jì)時(shí)需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗x擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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交一直一交變頻器的中間直流環(huán)節(jié)如果是用大電容平波通常稱為電壓源型變頻器。如果分開來稱呼，則其后端逆變器部分叫電壓源逆變器(VSI)，產(chǎn)品GB和IEC標(biāo)準(zhǔn)也是這種稱呼。其前端整流部分對電網(wǎng)而言是— 個(gè)諧波源，也就叫電壓型諧波源。與此相對照，交一直一交變頻器的中間直流環(huán)節(jié)如果用大電感平波就分別稱為電流源型變頻器、電流源逆變器(CSD、電流源型諧波源。之所以要特別區(qū)分變頻器為電壓源和電流源兩大類是因?yàn)樗麄兊慕涣鬏斎腚娏鞑ㄐ魏妥冾l后輸出的交流電壓和交流電流的波形及性能都有很大的不同。
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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通用變頻器能量回饋PWM控制系統(tǒng)是一種采用有源逆變方式把電動機(jī)減速制動時(shí)產(chǎn)生的再生能量回饋電網(wǎng)的裝置。它可以克服通用變頻器傳統(tǒng)制動電阻方式低效、難以滿足快速制動和頻繁正反轉(zhuǎn)的不足,使通用變頻器可在四象限運(yùn)行。本文首先回顧了變頻調(diào)速能量回饋控制技術(shù)的發(fā)展歷史及現(xiàn)狀,并介紹了常見的兩個(gè)方案。
標(biāo)簽： 電壓源 變頻器 控制技術(shù) 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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高功率因數(shù)、高效率、低噪音是電源裝置和用電設(shè)備普遍追求的品質(zhì)。本文以單相有源功率因數(shù)校正控制器和高性能功率模塊的研制、開發(fā)為依托，對其從理論和應(yīng)用開發(fā)兩個(gè)方面進(jìn)行了較為全面的研究和討論。
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶：llwap
特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器...等信號 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應(yīng)速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2014-01-05
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特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性高 分離式端子,配線容易 CE 認(rèn)證 主要規(guī)格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時(shí)間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數(shù) : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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