電容降壓的工作原理并不復(fù)雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。例如,在50Hz的工頻條件下,一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端,則流過電容的最大電流約為70mA。
標(biāo)簽： 阻容降壓 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-01-01
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移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC／DC變換電路拓?fù)湫问街?。移相PWM控制方式利用開關(guān)管的結(jié)電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯(lián)電感作為諧振元件，使開關(guān)管能進(jìn)行零電壓開通和關(guān)斷，從而有效地降低了電路的開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，減少了器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾，為變換器提高開關(guān)頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質(zhì)量提供了良好的條件。然而，傳統(tǒng)的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復(fù)過程，會引起寄生振蕩，二極管上存在很高的尖峰電壓，需增加阻容吸收回路進(jìn)行抑制，文獻(xiàn)提出了兩種帶箝位二極管的拓?fù)?，可以很好地抑制寄生振蕩。本文采取文獻(xiàn)提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一臺280 W移相全橋軟開關(guān)DC／DC變換器，該變換器輸入電壓為194～310 V，輸出電壓為76V。
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單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù):第1章 電磁干擾控制基礎(chǔ). 1.1 電磁干擾的基本概念1 1.1.1 噪聲與干擾1 1.1.2 電磁干擾的形成因素2 1.1.3 干擾的分類2 1.2 電磁兼容性3 1.2.1 電磁兼容性定義3 1.2.2 電磁兼容性設(shè)計(jì)3 1.2.3 電磁兼容性常用術(shù)語4 1.2.4 電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)6 1.3 差模干擾和共模干擾8 1.3.1 差模干擾8 1.3.2 共模干擾9 1.4 電磁耦合的等效模型9 1.4.1 集中參數(shù)模型9 1.4.2 分布參數(shù)模型10 1.4.3 電磁波輻射模型11 1.5 電磁干擾的耦合途徑14 1.5.1 傳導(dǎo)耦合14 1.5.2 感應(yīng)耦合（近場耦合）15 .1.5.3 電磁輻射耦合（遠(yuǎn)場耦合）15 1.6 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)電磁干擾控制的一般方法16 第2章 數(shù)字信號耦合與傳輸機(jī)理 2.1 數(shù)字信號與電磁干擾18 2.1.1 數(shù)字信號的開關(guān)速度與頻譜18 2.1.2 開關(guān)暫態(tài)電源尖峰電流噪聲22 2.1.3 開關(guān)暫態(tài)接地反沖噪聲24 2.1.4 高速數(shù)字電路的EMI特點(diǎn)25 2.2 導(dǎo)線阻抗與線間耦合27 2.2.1 導(dǎo)體交直流電阻的計(jì)算27 2.2.2 導(dǎo)體電感量的計(jì)算29 2.2.3 導(dǎo)體電容量的計(jì)算31 2.2.4 電感耦合分析32 2.2.5 電容耦合分析35 2.3 信號的長線傳輸36 2.3.1 長線傳輸過程的數(shù)學(xué)描述36 2.3.2 均勻傳輸線特性40 2.3.3 傳輸線特性阻抗計(jì)算42 2.3.4 傳輸線特性阻抗的重復(fù)性與阻抗匹配44 2.4 數(shù)字信號傳輸過程中的畸變45 2.4.1 信號傳輸?shù)娜肷浠?5 2.4.2 信號傳輸?shù)姆瓷浠?6 2.5 信號傳輸畸變的抑制措施49 2.5.1 最大傳輸線長度的計(jì)算49 2.5.2 端點(diǎn)的阻抗匹配50 2.6 數(shù)字信號的輻射52 2.6.1 差模輻射52 2.6.2 共模輻射55 2.6.3 差模和共模輻射比較57 第3章 常用元件的可靠性能與選擇 3.1 元件的選擇與降額設(shè)計(jì)59 3.1.1 元件的選擇準(zhǔn)則59 3.1.2 元件的降額設(shè)計(jì)59 3.2 電阻器60 3.2.1 電阻器的等效電路60 3.2.2 電阻器的內(nèi)部噪聲60 3.2.3 電阻器的溫度特性61 3.2.4 電阻器的分類與主要參數(shù)62 3.2.5 電阻器的正確選用66 3.3 電容器67 3.3.1 電容器的等效電路67 3.3.2 電容器的種類與型號68 3.3.3 電容器的標(biāo)志方法70 3.3.4 電容器引腳的電感量71 3.3.5 電容器的正確選用71 3.3.6 電容器使用注意事項(xiàng)73 3.4 電感器73 3.4.1 電感器的等效電路74 3.4.2 電感器使用的注意事項(xiàng)74 3.5 數(shù)字集成電路的抗干擾性能75 3.5.1 噪聲容限與抗干擾能力75 3.5.2 施密特集成電路的噪聲容限77 3.5.3 TTL數(shù)字集成電路的抗干擾性能78 3.5.4 CMOS數(shù)字集成電路的抗干擾性能79 3.5.5 CMOS電路使用中注意事項(xiàng)80 3.5.6 集成門電路系列型號81 3.6 高速CMOS 54/74HC系列接口設(shè)計(jì)83 3.6.1 54/74HC 系列芯片特點(diǎn)83 3.6.2 74HC與TTL接口85 3.6.3 74HC與單片機(jī)接口85 3.7 元器件的裝配工藝對可靠性的影響86 第4章 電磁干擾硬件控制技術(shù) 4.1 屏蔽技術(shù)88 4.1.1 電場屏蔽88 4.1.2 磁場屏蔽89 4.1.3 電磁場屏蔽91 4.1.4 屏蔽損耗的計(jì)算92 4.1.5 屏蔽體屏蔽效能的計(jì)算99 4.1.6 屏蔽箱的設(shè)計(jì)100 4.1.7 電磁泄漏的抑制措施102 4.1.8 電纜屏蔽層的屏蔽原理108 4.1.9 屏蔽與接地113 4.1.10 屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)113 4.2 接地技術(shù)114 4.2.1 概述114 4.2.2 安全接地115 4.2.3 工作接地117 4.2.4 接地系統(tǒng)的布局119 4.2.5 接地裝置和接地電阻120 4.2.6 地環(huán)路問題121 4.2.7 浮地方式122 4.2.8 電纜屏蔽層接地123 4.3 濾波技術(shù)126 4.3.1 濾波器概述127 4.3.2 無源濾波器130 4.3.3 有源濾波器138 4.3.4 鐵氧體抗干擾磁珠143 4.3.5 貫通濾波器146 4.3.6 電纜線濾波連接器149 4.3.7 PCB板濾波器件154 4.4 隔離技術(shù)155 4.4.1 光電隔離156 4.4.2 繼電器隔離160 4.4.3 變壓器隔離 161 4.4.4 布線隔離161 4.4.5 共模扼流圈162 4.5 電路平衡結(jié)構(gòu)164 4.5.1 雙絞線在平衡電路中的使用164 4.5.2 同軸電纜的平衡結(jié)構(gòu)165 4.5.3 差分放大器165 4.6 雙絞線的抗干擾原理及應(yīng)用166 4.6.1 雙絞線的抗干擾原理166 4.6.2 雙絞線的應(yīng)用168 4.7 信號線間的串?dāng)_及抑制169 4.7.1 線間串?dāng)_分析169 4.7.2 線間串?dāng)_的抑制173 4.8 信號線的選擇與敷設(shè)174 4.8.1 信號線型式的選擇174 4.8.2 信號線截面的選擇175 4.8.3 單股導(dǎo)線的阻抗分析175 4.8.4 信號線的敷設(shè)176 4.9 漏電干擾的防止措施177 4.10 抑制數(shù)字信號噪聲常用硬件措施177 4.10.1 數(shù)字信號負(fù)傳輸方式178 4.10.2 提高數(shù)字信號的電壓等級178 4.10.3 數(shù)字輸入信號的RC阻容濾波179 4.10.4 提高輸入端的門限電壓181 4.10.5 輸入開關(guān)觸點(diǎn)抖動干擾的抑制方法181 4.10.6 提高器件的驅(qū)動能力184 4.11 靜電放電干擾及其抑制184 第5章 主機(jī)單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 5.1 單片機(jī)主機(jī)單元組成特點(diǎn)186 5.1.1 80C51最小應(yīng)用系統(tǒng)186 5.1.2 低功耗單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)187 5.2 總線的可靠性設(shè)計(jì)191 5.2.1 總線驅(qū)動器191 5.2.2 總線的負(fù)載平衡192 5.2.3 總線上拉電阻的配置192 5.3 芯片配置與抗干擾193 5.3.1去耦電容配置194 5.3.2 數(shù)字輸入端的噪聲抑制194 5.3.3 數(shù)字電路不用端的處理195 5.3.4 存儲器的布線196 5.4 譯碼電路的可靠性分析197 5.4.1 過渡干擾與譯碼選通197 5.4.2 譯碼方式與抗干擾200 5.5 時(shí)鐘電路配置200 5.6 復(fù)位電路設(shè)計(jì)201 5.6.1 復(fù)位電路RC參數(shù)的選擇201 5.6.2 復(fù)位電路的可靠性與抗干擾分析202 5.6.3 I/O接口芯片的延時(shí)復(fù)位205 5.7 單片機(jī)系統(tǒng)的中斷保護(hù)問題205 5.7.1 80C51單片機(jī)的中斷機(jī)構(gòu)205 5.7.2 常用的幾種中斷保護(hù)措施205 5.8 RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)207 5.8.1 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.2 利用雙片選的外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.3 利用DS1210實(shí)現(xiàn)外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)208 5.8.4 2 KB非易失性隨機(jī)存儲器DS1220AB/AD211 5.9 看門狗技術(shù)215 5.9.1 由單穩(wěn)態(tài)電路實(shí)現(xiàn)看門狗電路216 5.9.2 利用單片機(jī)片內(nèi)定時(shí)器實(shí)現(xiàn)軟件看門狗217 5.9.3 軟硬件結(jié)合的看門狗技術(shù)219 5.9.4 單片機(jī)內(nèi)配置看門狗電路221 5.10 微處理器監(jiān)控器223 5.10.1 微處理器監(jiān)控器MAX703～709/813L223 5.10.2 微處理器監(jiān)控器MAX791227 5.10.3 微處理器監(jiān)控器MAX807231 5.10.4 微處理器監(jiān)控器MAX690A/MAX692A234 5.10.5 微處理器監(jiān)控器MAX691A/MAX693A238 5.10.6 帶備份電池的微處理器監(jiān)控器MAX1691242 5.11 串行E2PROM X25045245 第6章 測量單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 6.1 概述255 6.2 模擬信號放大器256 6.2.1 集成運(yùn)算放大器256 6.2.2 測量放大器組成原理260 6.2.3 單片集成測量放大器AD521263 6.2.4 單片集成測量放大器AD522265 6.2.5 單片集成測量放大器AD526266 6.2.6 單片集成測量放大器AD620270 6.2.7 單片集成測量放大器AD623274 6.2.8 單片集成測量放大器AD624276 6.2.9 單片集成測量放大器AD625278 6.2.10 單片集成測量放大器AD626281 6.3 電壓/電流變換器（V/I）283 6.3.1 V/I變換電路..283 6.3.2 集成V/I變換器XTR101284 6.3.3 集成V/I變換器XTR110289 6.3.4 集成V/I變換器AD693292 6.3.5 集成V/I變換器AD694299 6.4 電流/電壓變換器（I/V）302 6.4.1 I/V變換電路302 6.4.2 RCV420型I/V變換器303 6.5 具有放大、濾波、激勵功能的模塊2B30/2B31305 6.6 模擬信號隔離放大器313 6.6.1 隔離放大器ISO100313 6.6.2 隔離放大器ISO120316 6.6.3 隔離放大器ISO122319 6.6.4 隔離放大器ISO130323 6.6.5 隔離放大器ISO212P326 6.6.6 由兩片VFC320組成的隔離放大器329 6.6.7 由兩光耦組成的實(shí)用線性隔離放大器333 6.7 數(shù)字電位器及其應(yīng)用336 6.7.1 非易失性數(shù)字電位器x9221336 6.7.2 非易失性數(shù)字電位器x9241343 6.8 傳感器供電電源的配置及抗干擾346 6.8.1 傳感器供電電源的擾動補(bǔ)償347 6.8.2 單片集成精密電壓芯片349 6.8.3 A/D轉(zhuǎn)換器芯片提供基準(zhǔn)電壓350 6.9 測量單元噪聲抑制措施351 6.9.1 外部噪聲源的干擾及其抑制351 6.9.2 輸入信號串模干擾的抑制352 6.9.3 輸入信號共模干擾的抑制353 6.9.4 儀器儀表的接地噪聲355 第7章 D/A、A/D單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 7.1 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的干擾源357 7.2 D/A轉(zhuǎn)換原理及抗干擾分析358 7.2.1 T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器359 7.2.2 基準(zhǔn)電源精度要求361 7.2.3 D/A轉(zhuǎn)換器的尖峰干擾362 7.3 典型D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口363 7.3.1 并行12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667363 7.3.2 串行12位D/A轉(zhuǎn)換器MAX5154370 7.4 D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)的光電接口電路377 7.5 A/D轉(zhuǎn)換器原理與抗干擾性能378 7.5.1 逐次比較式ADC原理378 7.5.2 余數(shù)反饋比較式ADC原理378 7.5.3 雙積分ADC原理380 7.5.4 V/F ADC原理382 7.5.5 ∑Δ式ADC原理384 7.6 典型A/D轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口387 7.6.18 位并行逐次比較式MAX 118387 7.6.28 通道12位A/D轉(zhuǎn)換器MAX 197394 7.6.3 雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器5G14433399 7.6.4 V/F轉(zhuǎn)換器AD 652在A/D轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用403 7.7 采樣保持電路與抗干擾措施408 7.8 多路模擬開關(guān)與抗干擾措施412 7.8.1 CD4051412 7.8.2 AD7501413 7.8.3 多路開關(guān)配置與抗干擾技術(shù)413 7.9 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的電源、接地與布線416 7.10 精密基準(zhǔn)電壓電路與噪聲抑制416 7.10.1 基準(zhǔn)電壓電路原理417 7.10.2 引腳可編程精密基準(zhǔn)電壓源AD584418 7.10.3 埋入式齊納二極管基準(zhǔn)AD588420 7.10.4 低漂移電壓基準(zhǔn)MAX676/MAX677/MAX678422 7.10.5 低功率低漂移電壓基準(zhǔn)MAX873/MAX875/MAX876424 7.10.6 MC1403/MC1403A、MC1503精密電壓基準(zhǔn)電路430 第8章 功率接口與抗干擾設(shè)計(jì) 8.1 功率驅(qū)動元件432 8.1.1 74系列功率集成電路432 8.1.2 75系列功率集成電路433 8.1.3 MOC系列光耦合過零觸發(fā)雙向晶閘管驅(qū)動器435 8.2 輸出控制功率接口電路438 8.2.1 繼電器輸出驅(qū)動接口438 8.2.2 繼電器—接觸器輸出驅(qū)動電路439 8.2.3 光電耦合器—晶閘管輸出驅(qū)動電路439 8.2.4 脈沖變壓器—晶閘管輸出電路440 8.2.5 單片機(jī)與大功率單相負(fù)載的接口電路441 8.2.6 單片機(jī)與大功率三相負(fù)載間的接口電路442 8.3 感性負(fù)載電路噪聲的抑制442 8.3.1 交直流感性負(fù)載瞬變噪聲的抑制方法442 8.3.2 晶閘管過零觸發(fā)的幾種形式445 8.3.3 利用晶閘管抑制感性負(fù)載的瞬變噪聲447 8.4 晶閘管變流裝置的干擾和抑制措施448 8.4.1 晶閘管變流裝置電氣干擾分析448 8.4.2 晶閘管變流裝置的抗干擾措施449 8.5 固態(tài)繼電器451 8.5.1 固態(tài)繼電器的原理和結(jié)構(gòu)451 8.5.2 主要參數(shù)與選用452 8.5.3 交流固態(tài)繼電器的使用454 第9章 人機(jī)對話單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 9.1 鍵盤接口抗干擾問題456 9.2 LED顯示器的構(gòu)造與特點(diǎn)458 9.3 LED的驅(qū)動方式459 9.3.1 采用限流電阻的驅(qū)動方式459 9.3.2 采用LM317的驅(qū)動方式460 9.3.3 串聯(lián)二極管壓降驅(qū)動方式462 9.4 典型鍵盤/顯示器接口芯片與單片機(jī)接口463 9.4.1 8位LED驅(qū)動器ICM 7218B463 9.4.2 串行LED顯示驅(qū)動器MAX 7219468 9.4.3 并行鍵盤/顯示器專用芯片8279482 9.4.4 串行鍵盤/顯示器專用芯片HD 7279A492 9.5 LED顯示接口的抗干擾措施502 9.5.1 LED靜態(tài)顯示接口的抗干擾502 9.5.2 LED動態(tài)顯示接口的抗干擾506 9.6 打印機(jī)接口與抗干擾技術(shù)508 9.6.1 并行打印機(jī)標(biāo)準(zhǔn)接口信號508 9.6.2 打印機(jī)與單片機(jī)接口電路509 9.6.3 打印機(jī)電磁干擾的防護(hù)設(shè)計(jì)510 9.6.4 提高數(shù)據(jù)傳輸可靠性的措施512 第10章 供電電源的配置與抗干擾設(shè)計(jì) 10.1 電源干擾問題概述513 10.1.1 電源干擾的類型513 10.1.2 電源干擾的耦合途徑514 10.1.3 電源的共模和差模干擾515 10.1.4 電源抗干擾的基本方法516 10.2 EMI電源濾波器517 10.2.1 實(shí)用低通電容濾波器518 10.2.2 雙繞組扼流圈的應(yīng)用518 10.3 EMI濾波器模塊519 10.3.1 濾波器模塊基礎(chǔ)知識519 10.3.2 電源濾波器模塊521 10.3.3 防雷濾波器模塊531 10.3.4 脈沖群抑制模塊532 10.4 瞬變干擾吸收器件532 10.4.1 金屬氧化物壓敏電阻（MOV）533 10.4.2 瞬變電壓抑制器（TVS）537 10.5 電源變壓器的屏蔽與隔離552 10.6 交流電源的供電抗干擾方案553 10.6.1 交流電源配電方式553 10.6.2 交流電源抗干擾綜合方案555 10.7 供電直流側(cè)抑制干擾措施555 10.7.1 整流電路的高頻濾波555 10.7.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源配置與抗干擾556 10.7.3 集成穩(wěn)壓器使用中的保護(hù)557 10.8 開關(guān)電源干擾的抑制措施559 10.8.1 開關(guān)噪聲的分類559 10.8.2 開關(guān)電源噪聲的抑制措施560 10.9 微機(jī)用不間斷電源UPS561 10.10 采用晶閘管無觸點(diǎn)開關(guān)消除瞬態(tài)干擾設(shè)計(jì)方案564 第11章 印制電路板的抗干擾設(shè)計(jì) 11.1 印制電路板用覆銅板566 11.1.1 覆銅板材料566 11.1.2 覆銅板分類568 11.1.3 覆銅板的標(biāo)準(zhǔn)與電性能571 11.1.4 覆銅板的主要特點(diǎn)和應(yīng)用583 11.2 印制板布線設(shè)計(jì)基礎(chǔ)585 11.2.1 印制板導(dǎo)線的阻抗計(jì)算585 11.2.2 PCB布線結(jié)構(gòu)和特性阻抗計(jì)算587 11.2.3 信號在印制板上的傳播速度589 11.3 地線和電源線的布線設(shè)計(jì)590 11.3.1 降低接地阻抗的設(shè)計(jì)590 11.3.2 減小電源線阻抗的方法591 11.4 信號線的布線原則592 11.4.1 信號傳輸線的尺寸控制592 11.4.2 線間串?dāng)_控制592 11.4.3 輻射干擾的抑制593 11.4.4 反射干擾的抑制594 11.4.5 微機(jī)自動布線注意問題594 11.5 配置去耦電容的方法594 11.5.1 電源去耦595 11.5.2 集成芯片去耦595 11.6 芯片的選用與器件布局596 11.6.1 芯片選用指南596 11.6.2 器件的布局597 11.6.3 時(shí)鐘電路的布置598 11.7 多層印制電路板599 11.7.1 多層印制板的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)599 11.7.2 多層印制板的布局方案600 11.7.3 20H原則605 11.8 印制電路板的安裝和板間配線606 第12章 軟件抗干擾原理與方法 12.1 概述607 12.1.1 測控系統(tǒng)軟件的基本要求607 12.1.2 軟件抗干擾一般方法607 12.2 指令冗余技術(shù)608 12.2.1 NOP的使用609 12.2.2 重要指令冗余609 12.3 軟件陷阱技術(shù)609 12.3.1 軟件陷阱609 12.3.2 軟件陷阱的安排610 12.4 故障自動恢復(fù)處理程序613 12.4.1 上電標(biāo)志設(shè)定614 12.4.2 RAM中數(shù)據(jù)冗余保護(hù)與糾錯(cuò)616 12.4.3 軟件復(fù)位與中斷激活標(biāo)志617 12.4.4 程序失控后恢復(fù)運(yùn)行的方法618 12.5 數(shù)字濾波619 12.5.1 程序判斷濾波法620 12.5.2 中位值濾波法620 12.5.3 算術(shù)平均濾波法621 12.5.4 遞推平均濾波法623 12.5.5 防脈沖干擾平均值濾波法624 12.5.6 一階滯后濾波法626 12.6 干擾避開法627 12.7 開關(guān)量輸入/輸出軟件抗干擾設(shè)計(jì)629 12.7.1 開關(guān)量輸入軟件抗干擾措施629 12.7.2 開關(guān)量輸出軟件抗干擾措施629 12.8 編寫軟件的其他注意事項(xiàng)630 附錄 電磁兼容器件選購信息632
標(biāo)簽： 單片機(jī) 應(yīng)用系統(tǒng) 抗干擾技術(shù)
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本資料介紹了包括直接耦合、阻容耦合、變壓器耦合、光電耦合等多級放大電路的耦合方式的歸納。值得一看！
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基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計(jì)中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個(gè)放大器都有較高的動態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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AL-BNR系列變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜 中性點(diǎn)經(jīng)電阻接地可有效限制間歇弧光接地過電壓、降低系統(tǒng)操作過電壓、消除系統(tǒng)諧振過電壓、方便配置單相接地故障保護(hù)、可在短時(shí)間內(nèi)有效切除故障線路。從而降低系統(tǒng)設(shè)備的絕緣水平，延遲系統(tǒng)設(shè)備的使用壽命，提高系統(tǒng)運(yùn)行的安全可靠性。 保定市奧蘭電氣設(shè)備有限公司擁有一流的研發(fā)隊(duì)伍和精良的專用設(shè)備，專注于配電系統(tǒng)中性點(diǎn)接地保護(hù)系列產(chǎn)品、繼電保護(hù)裝置、過電壓保護(hù)裝置的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。公司所開發(fā)的系列AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜是6-35KV配電網(wǎng)中變壓器中性點(diǎn)接地保護(hù)專用成套設(shè)備，目前已廣泛應(yīng)用于以電纜線路為主的城市配電網(wǎng)、大型工業(yè)企業(yè)、工廠、機(jī)場、港口、地鐵等重要電力用戶配電網(wǎng)以及發(fā)電廠廠用電系統(tǒng)。 產(chǎn)品采用優(yōu)質(zhì)進(jìn)口不銹鋼或國產(chǎn)不銹鋼電熱金屬材料，具有電導(dǎo)率高、溫度系數(shù)高、耐腐蝕、耐高溫、抗氧化能力強(qiáng)、抗拉強(qiáng)度高及阻值穩(wěn)定等優(yōu)良特點(diǎn)，產(chǎn)品運(yùn)行安全可靠。 中壓配電系統(tǒng)中，如果變壓器為三角形接法，則需加裝Z型接地變壓器，以便為系統(tǒng)人為引出中性點(diǎn)，以加裝中性點(diǎn)接地電阻。 1、針對性強(qiáng)，保護(hù)到位 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜適用于系統(tǒng)中性點(diǎn)采用小電阻或中電阻接地的場合。此時(shí)，電網(wǎng)出現(xiàn)單相接地故障時(shí)需立即跳閘切除故障線路。當(dāng)電網(wǎng)出現(xiàn)單相接地時(shí)，接地電阻向接地點(diǎn)提供附加阻性電流，使接地電流呈阻容性質(zhì)，從而保證產(chǎn)生的過電壓不超過2.6倍的相電壓。 2、結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜將零散的Z型接地變壓器（如系統(tǒng)無中性點(diǎn)引出則需加裝）、電阻器、電流互感器、測量儀表、接地保護(hù)輸出端子等電器設(shè)備整體組合在一個(gè)封閉金屬柜內(nèi)，而且可以選配隔離開關(guān)、避雷器，成套供貨，安全可靠性高，布置清晰整齊，便于安裝調(diào)試及操作維護(hù)。 3、選材考究，充分保證產(chǎn)品質(zhì)量 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜內(nèi)的接地變壓器為優(yōu)質(zhì)干式變壓器，其一次繞組為“Z”形接線；電阻器采用不銹鋼鎳鉻合金（Cr20Ni80）材料制成，導(dǎo)電率高、通流能力強(qiáng)、耐高溫、最高使用溫度可達(dá)1600℃；溫度系數(shù)≤ -0.045% /℃、阻值穩(wěn)定、耐腐蝕、防燃防爆、可靠性高。用合金材料組成的電阻全部采用電阻單元，以 多個(gè)單元采用亞弧焊接而成框架式結(jié)構(gòu)，電阻單元采用耐高溫絕緣子（高分子）支撐連接。根據(jù)不同的客戶要求我公司可提供進(jìn)口電阻器。 4、監(jiān)測功能齊全，并提供模擬量輸出 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜可加裝智能監(jiān)控裝置，可監(jiān)測電阻柜正常運(yùn)行狀態(tài)下中性點(diǎn)不平衡電流、電阻片、電阻柜內(nèi)的溫度，也可以監(jiān)測發(fā)生單相接地故障瞬間的電流以及記錄接地動作次數(shù)，并預(yù)留通訊接口，可將檢測、記錄的信息傳遞至主控室，使運(yùn)行人員在第一時(shí)間內(nèi)得到信息。 5、技術(shù)力量雄厚，服務(wù)周到 我公司為專業(yè)生產(chǎn)廠家，技術(shù)力量雄厚，售前的技術(shù)交流咨詢可隨時(shí)到位。售后的安裝技術(shù)指導(dǎo)可按用戶要求及時(shí)進(jìn)行
標(biāo)簽： 變壓器 中性點(diǎn)接地 電阻柜
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AL-FNR系列發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)接地電阻柜 我公司擁有技術(shù)優(yōu)秀的研發(fā)隊(duì)伍和精良的設(shè)備,引進(jìn)并消化國外先進(jìn)技術(shù),長期致力于對中性點(diǎn)接地技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)，對降低電網(wǎng)過電壓、提高電網(wǎng)的安全性、可靠性，具有良好的效果。我公司以進(jìn)口特殊不銹鋼合金材料，開發(fā)生產(chǎn)的系列不銹鋼中性點(diǎn)接地電阻柜。產(chǎn)品具有精度高，線性度好，運(yùn)行可靠，安裝方便，外形美觀等特點(diǎn)，已廣泛用于許多國家重點(diǎn)工程。所生產(chǎn)的0.4KV～35KV發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)接地電阻柜是發(fā)電機(jī)組中采用高阻接地的專用成套裝置。 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜連接在發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)上，當(dāng)電網(wǎng)或發(fā)電機(jī)定子繞組發(fā)生單相接地故障時(shí)，向接地點(diǎn)提供附加阻性電流，使接地點(diǎn)電流由容性變成阻容性電流，從而保證產(chǎn)生的過電壓不超過2.6倍的相電壓。 1、精心設(shè)計(jì)、保護(hù)到位 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜連接在發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)與地之間，當(dāng)電網(wǎng)或發(fā)電機(jī)定子繞組發(fā)生單相接地故障時(shí)，向接地點(diǎn)提供附加阻性電流，使接地點(diǎn)電流由容性變成阻容性電流，從而保證產(chǎn)生的過電壓不超過2.6倍的相電壓。 2、專業(yè)保護(hù)，避免燒損發(fā)電機(jī)鐵芯 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜在設(shè)計(jì)參數(shù)時(shí)，力求將總的接地電流控制在15A以內(nèi)，不僅可以滿足繼電保護(hù)靈敏度的要求，同時(shí)也可減輕發(fā)電機(jī)定子繞組接地時(shí)鐵芯的損傷。 3、結(jié)構(gòu)緊湊，元器件性能優(yōu)異 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜將零散的單相變壓器、電阻器、電流互感器、接地保護(hù)輸出端子等電器設(shè)備整體組合在一個(gè)封閉金屬柜內(nèi)，并可選配隔離開關(guān)、避雷器，智能保護(hù)儀表等成套供貨；安全可靠性高，布置清晰整齊，便于安裝調(diào)試及操作維護(hù)。裝置采用的單相變壓器為干式絕緣變壓器，工作性能穩(wěn)定，抗沖擊能力強(qiáng)。變壓器二次側(cè)采用不銹鋼材料電阻。 4、監(jiān)控功能齊全，并提供模擬量輸出 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜是0.4KV～35KV發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)接地電阻柜是發(fā)電機(jī)組中采用高阻接地的專用成套裝置，可選配電流和動作記錄儀等智能控制儀表，正常時(shí)可監(jiān)測中性點(diǎn)不平衡電流，出現(xiàn)單相接地故障時(shí)，可記錄動作次數(shù)；且可為保護(hù)和監(jiān)控系統(tǒng)提供模擬量輸出。 5、性能可靠，維護(hù)簡便 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜中裝設(shè)干式單相接地變壓器及相應(yīng)的大容量電阻器，柜中還可裝設(shè)單相隔離開關(guān)，以便在進(jìn)行檢修或?qū)嶒?yàn)時(shí)隔離電源。 6、技術(shù)力量雄厚，服務(wù)周到 我公司為中性點(diǎn)設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)廠家，技術(shù)力量雄厚，售前的技術(shù)交流咨詢可隨時(shí)到位；售后的安裝技術(shù)指導(dǎo)可按用戶要求及時(shí)進(jìn)行。
標(biāo)簽： 發(fā)電機(jī) 中性點(diǎn)接地 電阻柜
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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PIC16C54C為8位單片機(jī)，指令字長12位，全部指令都是單字節(jié)指令，系統(tǒng)為哈佛結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)總線和程序總線各自獨(dú)立分開，數(shù)據(jù)總線寬度為8位，程序總線寬度為12位，內(nèi)部程序存儲器為512×12位，內(nèi)部數(shù)據(jù)寄存器為32×8位。 PIC16C54C有12根雙向可獨(dú)立編程I/O引腳，分為PortA和PortB兩個(gè)端口，其中PortA為RA0～RA3，PortB為RB0～RB7，每根I/O引腳可由程序來編程決定其輸入輸出方向。 PIC16C54C提供四種可選振蕩方式： - RC，低成本的阻容振蕩方式 - XT，標(biāo)準(zhǔn)晶體/陶瓷振蕩 - HS，高速晶體/陶瓷振蕩 - LP，低功耗，低頻晶體振蕩 更多鎖相環(huán)知識請?jiān)L問 http://www.elecfans.com/zhuanti/PLL.html
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：dianxin61
MCU(單片機(jī))對可控硅的控制:交流市電控制――ＭＣＵ對可控硅的控制 郭江辛 07-23-03在用可控硅對交流市電控制中，主要注意以下幾個(gè)方面：一， 同步信號 （弄不好都會產(chǎn)生不均勻的斬波，控制白熾燈表現(xiàn)為燈閃）1) 清楚同步信號在交流周期中的位置,最好在交流零點(diǎn)選取.在一些阻容降壓對MCU 供電電路中,最好直接在交流電源兩端取同步信號（過零點(diǎn)）,以避免計(jì)算阻容產(chǎn)生的象移(PHASE SHIFT)2) 同步信號要穩(wěn)定二， 控制信號 （弄不好則可控硅不能通，或一直通）1） 可控硅斷路時(shí)，可控硅控制極（GATE）最好是開路，沒有開極的MCU可加如下電路：
上傳時(shí)間： 2014-05-05
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