CH451 使用一個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)來同步芯片內(nèi)部的各個(gè)功能部件，例如，當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的頻率變高時(shí)，顯示驅(qū)動(dòng)刷新將變快、按鍵響應(yīng)時(shí)間將變短、上電復(fù)位信號(hào)的寬度將變窄、看門狗周期也將變短。一般情況下，CH451 的系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)是由內(nèi)置的阻容振蕩提供的，這樣就不再需要任何外圍電路，但內(nèi)置RC 振蕩的頻率受電源電壓的影響較大，當(dāng)電源電壓降低時(shí)，系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的頻率也隨之降低。在某些實(shí)際應(yīng)用中，可能希望CH451 提供更長或者更短的顯示刷新周期、按鍵響應(yīng)時(shí)間等，這時(shí)就需要調(diào)節(jié)系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的頻率。CH451 提供了CLK 引腳，用于外接阻容振蕩。當(dāng)在CLK 引腳與地GND 之間跨接電容后，系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的頻率將變低；當(dāng)在CLK 引腳與正電源VCC 之間跨接電阻后，系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的頻率將變高。因?yàn)镃H451 的系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)被用于芯片內(nèi)部的所有功能部件，所以其頻率不宜進(jìn)行大幅度的調(diào)節(jié)，一般情況下，跨接電容的容量在5pF 至100pF 之間，跨接電阻的阻值在20KΩ至500KΩ之間。跨接一個(gè)47pF 的電容則頻率降低為一半，跨接一個(gè)47KΩ的電阻則頻率升高為兩倍。另外，CH451 的CLK 引腳可以直接輸入外部的系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)，但外部電路的驅(qū)動(dòng)能力不能小于±2mA。CH451 在CLKO 引腳提供了系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的二分頻輸出，對(duì)于一些不要求精確定時(shí)的實(shí)際應(yīng)用，可以由CLKO 引腳向單片機(jī)提供時(shí)鐘信號(hào)，簡化外圍電路。 單片機(jī)接口程序下面提供了U1（MCS-51 單片機(jī)）與U2（CH451）的接口程序，供參考。;**********************;需要主程序定義的參數(shù)CH451_DCLK BIT P1.7 ;串行數(shù)據(jù)時(shí)鐘,上升沿激活CH451_DIN BIT P1.6 ;串行數(shù)據(jù)輸出,接CH451 的數(shù)據(jù)輸入CH451_LOAD BIT P1.5 ;串行命令加載,上升沿激活CH451_DOUT BIT P3.2 ;INT0,鍵盤中斷和鍵值數(shù)據(jù)輸入,接CH451 的數(shù)據(jù)輸出CH451_KEY DATA 7FH ;存放鍵盤中斷中讀取的鍵值
標(biāo)簽： 451 ch 數(shù)碼管 實(shí)例程序
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AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護(hù)器（簡稱AL-FGB）是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過電壓，同時(shí)具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護(hù)器無法比擬的優(yōu)點(diǎn)?？蓮V泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國家產(chǎn)業(yè)政策及國家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時(shí)開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對(duì)感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對(duì)操作過電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對(duì)匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃?，F(xiàn)場許多事故實(shí)例都證明，在操作過電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過電壓保護(hù)器等，對(duì)改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對(duì)過電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓，持續(xù)時(shí)間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過電壓保護(hù)器
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AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護(hù)器（簡稱AL-FGB）是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過電壓，同時(shí)具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護(hù)器無法比擬的優(yōu)點(diǎn)?？蓮V泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國家產(chǎn)業(yè)政策及國家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時(shí)開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對(duì)感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對(duì)操作過電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對(duì)匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場許多事故實(shí)例都證明，在操作過電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過電壓保護(hù)器等，對(duì)改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對(duì)過電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓，持續(xù)時(shí)間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過電壓保護(hù)器
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
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SED1335驅(qū)動(dòng)320x240圖形液晶驅(qū)動(dòng)演示程序 接口情況表述： No: LCM ----- 52 --------------------- 1...VSS..... GND 地線 2...VDD..... +5V(VCC) 電源 3...VO ..... -Vadj Input 對(duì)比度負(fù)壓調(diào)整輸入 4...A0 ..... P2.0 寄存器選擇信號(hào),命令數(shù)據(jù)方式選擇 5.../WR..... WR 寫有效 6.../RD..... RD 讀有效 7...D0 ..... P0.0 數(shù)據(jù)總線 D0 8...D1 ..... P0.1 數(shù)據(jù)總線 D1 9...D2 ..... P0.2 數(shù)據(jù)總線 D2 10..D3 ..... P0.3 數(shù)據(jù)總線 D3 11..D4 ..... P0.4 數(shù)據(jù)總線 D4 12..D5 ..... P0.5 數(shù)據(jù)總線 D5 13..D6 ..... P0.6 數(shù)據(jù)總線 D6 14..D7 ..... P0.7 數(shù)據(jù)總線 D7 15../CS .... GND 片選通信號(hào)，低電平有效.實(shí)際使用應(yīng)編入地址 16../RES.... /RESET 復(fù)位信號(hào)，低電平有效，阻容式復(fù)位電路 17..VEE..... -Vout 逆變-22.5V 負(fù)電壓輸出 18..VSS..... GND 地線 0V
標(biāo)簽： 320x240 1335 SED LCM
上傳時(shí)間： 2013-12-22
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華大HC32單片機(jī)額溫槍參考方案（含軟硬件）；文件包僅針對(duì)華大HC32為開發(fā)者提供的快速原型機(jī)參考；根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)采用不同廠商傳感器、運(yùn)放、阻容等進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整！
標(biāo)簽： HC32L136 額溫槍 PCB BOM
上傳時(shí)間： 2022-05-24
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本設(shè)計(jì)針對(duì)目前市場上傳統(tǒng)充電控制器對(duì)蓄電池的充放電控制不合理，同時(shí)保護(hù)也不夠充分，使得蓄電池的壽命縮短這種情況，研究確定了一種基于單片機(jī)的太陽能充電控制器的方案。在太陽能對(duì)蓄電池的充放電方式、控制器的功能要求和實(shí)際應(yīng)用方面做了一定分析，完成了硬件電路設(shè)計(jì)和軟件編制，實(shí)現(xiàn)了對(duì)蓄電池的高效率管理。設(shè)計(jì)一種太陽能LED照明系統(tǒng)充電控制器，既能實(shí)現(xiàn)太陽能電池的最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）又能滿足蓄電池電壓限制條件和浮充特性。構(gòu)建實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，測試表明，控制器可以根據(jù)蓄電池狀態(tài)準(zhǔn)確地在MPPT、恒壓、浮充算法之間切換，MPPT充電效率較恒壓充電提高約16%，該充電控制器既實(shí)現(xiàn)了太陽能的有效利用，又延長了蓄電池的使用壽命。在總體方案的指導(dǎo)下，本設(shè)計(jì)使用STMSS系列8位微控制器是STM8系列的主流微控制器產(chǎn)品，采用意法半導(dǎo)體的130納米工藝技術(shù)和先進(jìn)的內(nèi)核架構(gòu)，主頻達(dá)到16MHz（105系列），處理能力高達(dá)20MTPS。內(nèi)置EEPROM、阻容（RC）振蕩器以及完整的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)，性價(jià)比高，STMSS指令格式和意法半導(dǎo)體早期的ST7系列基本類似，甚至兼容，內(nèi)嵌單線仿真接口模塊，支持STWM仿真，降低了開發(fā)成本；擁有多種外設(shè)，而且外設(shè)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、配置方式與意法半導(dǎo)體的同樣是Cortex-M3內(nèi)核的32位嵌入式微處理器STM32系列的MCU基本相同或者相似。另外系列芯片功耗低、功能完善、性價(jià)比高，可廣泛應(yīng)用在家用電器、電源控制和管理、電機(jī)控制等領(lǐng)域，是8位機(jī)為控制器控制系統(tǒng)較為理想的升級(jí)替代控制芯片"261，軟件部分依據(jù)PWM（Pulse Wiath Modulation）脈寬調(diào)制控制策略，編制程序使單片機(jī)輸出PMM控制信號(hào)，通過控制光電耦合器通斷進(jìn)而控制MOSFET管開啟和關(guān)閉，達(dá)到控制蓄電池充放電的目的，同時(shí)按照功能要求實(shí)現(xiàn)了對(duì)蓄電池過充、過放保護(hù)和短路保護(hù)。實(shí)驗(yàn)表明，該控制器性能優(yōu)良，可靠性高，可以時(shí)刻監(jiān)視太陽能電池板和蓄電池狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)控制蓄電池最優(yōu)充放電，達(dá)到延長蓄電池的使用壽命。
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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IGBT關(guān)斷電壓尖峰是其中的主要問題，解決它的最有效方法是采用疊層母線連接器件。針對(duì)二極管籍位型三電平拓?fù)鋬蓚€(gè)基本強(qiáng)追換流回路，本文用ANSOFT Q3D軟件比較研究了三類適用于多層母線排的疊層方案，并提出了一種新穎的疊層母線分組連接結(jié)構(gòu)，結(jié)合特殊設(shè)計(jì)的吸收電容布局，減小了各IGBT模塊的關(guān)斷過沖，省去阻容吸收電路，并優(yōu)化了高頻電流在不同電容間的分布，抑制電解電容發(fā)熱。通過理論計(jì)算與仿真兩種方式計(jì)算該設(shè)計(jì)方案的雜散電感，并用實(shí)驗(yàn)加以證實(shí)。本文還設(shè)計(jì)了大面積一體化水冷散熱器，表面可以貼裝15個(gè)功率器件和若干傳感器和平衡電阻，采用水冷方式以迅速帶走滿載運(yùn)行時(shí)開關(guān)器件的損耗發(fā)熱，并能達(dá)到結(jié)構(gòu)緊湊和防爆的效果。在散熱器內(nèi)部設(shè)計(jì)了細(xì)槽水道結(jié)構(gòu)以避開100多個(gè)定位螺孔，同時(shí)可以獲得更大的熱交換面積。本文分析了SCALE驅(qū)動(dòng)芯片的兩類器件級(jí)短路保護(hù)原理，并設(shè)計(jì)了針對(duì)兩類保護(hù)動(dòng)作的閾值測試實(shí)驗(yàn)，以確保每個(gè)器件在安全范圍內(nèi)工作；設(shè)計(jì)了系統(tǒng)控制和三類系統(tǒng)級(jí)保護(hù)電路：驅(qū)動(dòng)板和控制板的布局布線經(jīng)過合理安排能在較強(qiáng)的電磁干擾下正常工作。論文最后，在電抗器、電阻器、異步感應(yīng)電機(jī)等不同類型、各功率等級(jí)負(fù)載下，對(duì)變流模塊進(jìn)行了測試，并解決了直流中點(diǎn)電壓平衡問題。各實(shí)驗(yàn)證實(shí)了設(shè)計(jì)理論并體現(xiàn)了良好的應(yīng)用效果。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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第一章引言目前基于單片微機(jī)的語音系統(tǒng)的應(yīng)用越來越廣泛，如電腦語音鐘、語音型數(shù)字萬用表、手機(jī)話費(fèi)查詢系統(tǒng)、排隊(duì)機(jī)、監(jiān)控系統(tǒng)語音報(bào)警以及公共汽車報(bào)站器等等。本文作者用Flash單片機(jī)ANT89C51和錄放時(shí)間達(dá)90%的數(shù)碼語音芯片ISD2590設(shè)計(jì)了一套智能語音錄放系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了譜音的分段錄取、組合回放，整段錄取.循環(huán)播放，通過軟件修改可以實(shí)現(xiàn)很多場合的應(yīng)用。第二章ISD2590語音芯片本系統(tǒng)采用關(guān)國ISD公司的ISD2590芯片，ISD2500系列具有抗斷電、音質(zhì)好，使用方便等優(yōu)點(diǎn)。它的最大特點(diǎn)在于片內(nèi)E2PROM容量為480K（1400系列為128K），所以錄放時(shí)間長；有10個(gè)地址輸入端（1400系列僅為8個(gè)），尋址能力可達(dá)1024位；最多能分600段；設(shè)有OVF（溢出）端，便于多個(gè)器件級(jí)聯(lián)。2.1內(nèi)部框圖圖2-1為ISD2590芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。錄音時(shí)，語音信號(hào)從MIC，MICREF（17，18）引聊輸入，經(jīng)過一個(gè)前置放大器放大，該放大器的增益由AGC（Auto Gain Control，19）引腳所接的器件的伯控制。經(jīng)放大的信號(hào)從ANAOUT腳輸出，經(jīng)過阻容注被后ANAIN進(jìn)入芯片內(nèi)部。然后經(jīng)過放大和濾波后存入EEPROM陣列中，放音時(shí)，在正確的時(shí)序控制的前提下，聲音信號(hào)將從EEPROM中經(jīng)濾波放大后從SP+，SP一中輸出。
標(biāo)簽： 89c51 單片機(jī) isd2590 語音芯片
上傳時(shí)間： 2022-06-24
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這個(gè)程式可以用來觀察其他程式的VCL組態(tài)、記憶體內(nèi)容。幫助設(shè)計(jì)時(shí)的runtime debug。 當(dāng)然也可以用來看別人程式中用了什麼元件、設(shè)計(jì)了什麼property
標(biāo)簽： property runtime debug 程式
上傳時(shí)間： 2015-04-11
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