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阻抗特性

實(shí)際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究

摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的MoSFET驅(qū)動電路具有指導(dǎo)意義．

標(biāo)簽： MOSFET Power 實(shí)際應(yīng)用條件下

上傳時(shí)間： 2013-11-10

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高頻功率MOSFET驅(qū)動電路及并聯(lián)特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

標(biāo)簽： MOSFET 高頻功率驅(qū)動電路

上傳時(shí)間： 2013-11-22

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電感和磁珠的區(qū)別及應(yīng)用場合和作用

磁珠由氧磁體組成，電感由磁心和線圈組成，磁珠把交流信號轉(zhuǎn)化為熱能，電感把交流存儲起來，緩慢的釋放出去。磁珠對高頻信號才有較大阻礙作用，一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時(shí)電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來求得。鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾元件，廉價(jià)、易用，濾除高頻噪聲效果顯著。在電路中只要導(dǎo)線穿過它即可（我用的都是象普通電阻模樣的，導(dǎo)線已穿過并膠合，也有表面貼裝的形式，但很少見到賣的）。當(dāng)導(dǎo)線中電流穿過時(shí)，鐵氧體對低頻電流幾乎沒有什么阻抗，而對較高頻率的電流會產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā)，其等效電路為一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián)，兩個(gè)元件的值都與磁珠的長度成比例。磁珠種類很多，制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說明，特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線。有的磁珠上有多個(gè)孔洞，用導(dǎo)線穿過可增加元件阻抗（穿過磁珠次數(shù)的平方），不過在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多，而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會好些。鐵氧體是磁性材料，會因通過電流過大而產(chǎn)生磁飽和，導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專門設(shè)計(jì)的磁珠，還要注意其散熱措施。鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲（可用于直流和交流輸出），還可廣泛應(yīng)用于其他電路，其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中，由于脈沖信號含有頻率很高的高次諧波，也是電路高頻輻射的主要根源，所以可在這種場合發(fā)揮磁珠的作用。鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號電纜的噪聲濾除。以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例，其型號各字段含義依次為：HH 是其一個(gè)系列，主要用于電源濾波，用于信號線是HB系列；1 表示一個(gè)元件封裝了一個(gè)磁珠，若為4則是并排封裝四個(gè)的；H 表示組成物質(zhì)，H、C、M為中頻應(yīng)用（50－200MHz），T低頻應(yīng)用（<50MHz），S高頻應(yīng)用（>200MHz）；3216 封裝尺寸，長3.2mm，寬1.6mm，即1206封裝；500 阻抗（一般為100MHz時(shí)），50 ohm。其產(chǎn)品參數(shù)主要有三項(xiàng)：阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率，他等效于電阻和電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都隨頻率變化。他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果。磁珠主要用于高頻隔離，抑制差模噪聲等。

標(biāo)簽： 電感

上傳時(shí)間： 2013-11-05

上傳用戶：貓愛薛定諤
磁珠的原理及應(yīng)用

由于電磁兼容的迫切要求，電磁干擾(EMI)抑制元件獲得了廣泛的應(yīng)用。然而實(shí)際應(yīng)用中的電磁兼容問題十分復(fù)雜，單單依靠理論知識是完全不夠的，它更依賴于廣大電子工程師的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)。為了更好地解決電子產(chǎn)品的電磁兼容性這一問題，還要考慮接地、電路與PCB板設(shè)計(jì)、電纜設(shè)計(jì)、屏蔽設(shè)計(jì)等問題[1][2]。本文通過介紹磁珠的基本原理和特性來說明它在開關(guān)電源電磁兼容設(shè)計(jì)中的重要性與應(yīng)用，以期為設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)新產(chǎn)品時(shí)提供必要的參考。　　2 磁珠及其工作原理　　磁珠的主要原料為鐵氧體，鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料，鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機(jī)械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點(diǎn)是高頻損耗非常大，具有很高的導(dǎo)磁率，它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。鐵氧體材料通常應(yīng)用于高頻情況，因?yàn)樵诘皖l時(shí)它們主要呈現(xiàn)電感特性，使得損耗很小。在高頻情況下，它們主要呈現(xiàn)電抗特性并且隨頻率改變。實(shí)際應(yīng)用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高頻衰減器使用的。實(shí)際上，鐵氧體可以較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián)，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當(dāng)高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個(gè)消耗裝置，高頻能量在上面轉(zhuǎn)化為熱能，這是由它的電阻特性決定的。　　對于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數(shù)為磁導(dǎo)率和飽和磁通密度。磁導(dǎo)率可以表示為復(fù)數(shù)，實(shí)數(shù)部分構(gòu)成電感，虛數(shù)部分代表損耗，隨著頻率的增加而增加。因此它的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路，如圖1所示，電感L和電阻R都是頻率的函數(shù)。當(dāng)導(dǎo)線穿過這種鐵氧體磁芯時(shí)，所構(gòu)成的電感阻抗在形式上是隨著頻率的升高而增加，但是在不同頻率時(shí)其機(jī)理是完全不同的。

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上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：yyyyyyyyyy
pcb制作阻抗設(shè)計(jì)原則

pcb阻抗設(shè)計(jì)必備

標(biāo)簽： pcb 阻抗設(shè)計(jì)原則

上傳時(shí)間： 2013-11-23

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PCB的阻抗測量

pcb阻抗

標(biāo)簽： PCB 阻抗測量

上傳時(shí)間： 2013-11-10

上傳用戶：thuyenvinh
protel99新手上路特性手冊

．MS Access Database方式設(shè)計(jì)過程中的全部文件都存儲在單一的數(shù)據(jù)庫中，同原來的Protel99文件方式。即所有的原理圖、PCB文件、網(wǎng)絡(luò)表、材料清單等等都存在一個(gè).ddb文件中，在資源管理器中只能看到唯一的.ddb文件。 2． Windows File System方式在對話框底部指定的硬盤位置建立一個(gè)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫的文件夾，所有文件被自動保存的文件夾中。可以直接在資源管理器中對數(shù)據(jù)庫中的設(shè)計(jì)文件如原理圖、PCB等進(jìn)行復(fù)制、粘貼等操作。注：這種設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫的存儲類型，方便在硬盤對數(shù)據(jù)庫內(nèi)部的文件進(jìn)行操作，但不支持Design Team特性。二、方便的文件查找功能

標(biāo)簽： protel 99

上傳時(shí)間： 2013-10-13

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Polar阻抗計(jì)算軟件

阻抗減少軟件

標(biāo)簽： Polar 阻抗計(jì)算軟件

上傳時(shí)間： 2013-10-12

上傳用戶：daguogai
LVDS與高速PCB設(shè)計(jì)

LVDS(低壓差分信號)標(biāo)準(zhǔn)ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應(yīng)用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點(diǎn)及其PCB (印制電路板)設(shè)計(jì),糾正了某些錯誤認(rèn)識。應(yīng)用傳輸線理論分析了單線阻抗、雙線阻抗及LVDS差分阻抗計(jì)算方法,給出了計(jì)算單線阻抗和差分阻抗的公式,通過實(shí)際計(jì)算說明了差分阻抗與單線阻抗的區(qū)別,并給出了PCB布線時(shí)的幾點(diǎn)建議。關(guān)鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計(jì)算, PCB設(shè)計(jì) LVDS (低壓差分信號)是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標(biāo)準(zhǔn),其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號輸出邊緣變化很快,其信號通路表現(xiàn)為傳輸線特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進(jìn)行PCB (印制電路板)設(shè)計(jì)時(shí),超高速PCB設(shè)計(jì)和差分信號理論就顯得特別重要。

標(biāo)簽： LVDS PCB

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：水中浮云
信號完整性知識基礎(chǔ)(pdf)

現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問題，并及時(shí)給出合理的解決方案，對于高速的數(shù)字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關(guān)注的信號完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號完整性的問題，讓大家對高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識，并介紹一些相關(guān)的基本概念。第一章高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134

標(biāo)簽： 信號完整性

上傳時(shí)間： 2014-05-15

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