剖析Intel IA32 架構(gòu)下C 語言及CPU 浮點(diǎn)數(shù)機(jī)制 Version 0.01 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 謝煜波 （email: xieyubo@126.com 網(wǎng)址:http://purec.binghua.com） （QQ:13916830 哈工大紫丁香BBSID:iamxiaohan） 前言 這兩天翻看一本C 語言書的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)上面有一段這樣寫到 例：將同一實(shí)型數(shù)分別賦值給單精度實(shí)型和雙精度實(shí)型，然后打印輸出。 #include <stdio.h> main() { float a double b a = 123456.789e4 b = 123456.789e4 printf(“％f\n％f\n”,a,b) } 運(yùn)行結(jié)果如下：
標(biāo)簽： Version xieyubo Intel email
上傳時(shí)間： 2013-12-25
上傳用戶：徐孺
設(shè)B是一個(gè)n×n棋盤，n=2k,(k=1,2,3,…)。用分治法設(shè)計(jì)一個(gè)算法，使得：用若干個(gè)L型條塊可以覆蓋住B的除一個(gè)特殊方格外的所有方格。其中，一個(gè)L型條塊可以覆蓋3個(gè)方格。且任意兩個(gè)L型條塊不能重疊覆蓋棋盤
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2013-12-16
上傳用戶：腳趾頭
B+樹算法：從磁盤讀取數(shù)據(jù)文件，可以進(jìn)行插入，刪除操作，兩種方式打印出元素信息。樹型打印和依關(guān)鍵字大小打印。
標(biāo)簽： 樹 數(shù)據(jù)文件 算法 磁盤
上傳時(shí)間： 2015-10-31
上傳用戶：silenthink
n皇后問題求解(8<=n<=1000) a) 皇后個(gè)數(shù)的設(shè)定 在指定文本框內(nèi)輸入皇后個(gè)數(shù)即可,注意: 皇后個(gè)數(shù)在8和1000 之間(包括8和1000) b) 求解 點(diǎn)擊<Solve>按鈕即可進(jìn)行求解. c) 求解過程顯示 在標(biāo)有Total Collision的靜態(tài)文本框中將輸出當(dāng)前棋盤上的皇后總沖突數(shù). 當(dāng)沖突數(shù)降到0時(shí),求解完畢. d) 求解結(jié)果顯示 程序可以圖形化顯示8<=n<=50的皇后求解結(jié)果. e) 退出程序,點(diǎn)擊<Exit>即可退出程序.
上傳時(shí)間： 2016-01-28
上傳用戶：ztj182002
設(shè)B是一個(gè)n×n棋盤，n=2k,(k=1,2,3,…)。用分治法設(shè)計(jì)一個(gè)算法，使得：用若干個(gè)L型條塊可以覆蓋住B的除一個(gè)特殊方格外的所有方格。其中，一個(gè)L型條塊可以覆蓋3個(gè)方格。且任意兩個(gè)L型條塊不能重疊覆蓋棋盤。
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2013-12-19
上傳用戶：xc216
采用德布爾算法進(jìn)行B樣條的生成，可以用來進(jìn)行型線優(yōu)化設(shè)計(jì)前的參數(shù)化處理
上傳時(shí)間： 2017-07-03
上傳用戶：lx9076
AC220V轉(zhuǎn)DC(12V15W )電源板AD設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，2層板設(shè)計(jì)，大小為100*55mm, ALTIUM設(shè)計(jì)的原理圖+PCB文件，可以做為你的學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)參考。主要器件型號(hào)如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上傳時(shí)間： 2021-11-21
上傳用戶：kent
5V USB扁口接口TP4055鋰離子電池充電接口板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，2層B板手設(shè)計(jì)，大小為33*18mm,，可以做為你的學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)參考。TP4055 是一款完整的單節(jié)鋰離子電池充電器，帶電池正負(fù)極反接保護(hù)，采用恒定 電流/恒定電壓線性控制。其 SOT 封裝與較少的外部元件數(shù)目使得 TP4055 成為便攜式應(yīng) 用的理想選擇。TP4055 可以適合 USB 電源和適配器電源工作。 由于采用了內(nèi)部 PMOSFET 架構(gòu)，加上防倒充電路，所以不需要外部檢測(cè)電阻器和 隔離二極管。熱反饋可對(duì)充電電流進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)，以便在大功率操作或高環(huán)境溫度條件 下對(duì)芯片溫度加以限制。充滿電壓固定于 4.2V，而充電電流可通過一個(gè)電阻器進(jìn)行外部 設(shè)置。當(dāng)電池達(dá)到 4.2V 之后，充電電流降至設(shè)定值 1/10，TP4055 將自動(dòng)終止充電。 當(dāng)輸入電壓（交流適配器或 USB 電源）被拿掉時(shí)，TP4055 自動(dòng)進(jìn)入一個(gè)低電流狀 態(tài)，電池漏電流在 2uA 以下。TP4055 的其他特點(diǎn)包括充電電流監(jiān)控器、欠壓閉鎖、自 動(dòng)再充電和一個(gè)用于指示充電結(jié)束和輸入電壓接入的狀態(tài)引腳。
上傳時(shí)間： 2021-11-22
上傳用戶：trh505
21世紀(jì)大學(xué)新型參考教材系列 集成電路B 荒井
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
家電維修(最基礎(chǔ)的教程B)1-20.Torrent
上傳時(shí)間： 2013-06-10
上傳用戶：eeworm
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