射頻遙控在家電遙控器中的應(yīng)用電路圖
標(biāo)簽： 射頻遙控 家電遙控器 中的應(yīng)用 電路圖
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全:
標(biāo)簽： 2SJ 場效應(yīng)管 參數(shù)大全
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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射頻電路PCB設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-01-13
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運(yùn)用PROTEL DXP 2004設(shè)計(jì)的項(xiàng)目“單管放大”視頻教學(xué)，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程
上傳時(shí)間： 2013-11-25
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創(chuàng)建PCB元件管腳封裝
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
PCB 設(shè)計(jì)對于電路設(shè)計(jì)而言越來越重要。但不少設(shè)計(jì)者往往只注重原理設(shè)計(jì),而對PCB 板的設(shè)計(jì)布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計(jì)中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計(jì)中需要注意的一些問題。
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶：jiangxiansheng
介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮電磁兼容性，因而重點(diǎn)討論了元器件的布局與布線原則來達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局
上傳時(shí)間： 2013-11-14
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長 對老化零件無從查起無法預(yù)先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：neu_liyan
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
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