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陰極射線管

晶閘管交流調功器主電路設計

晶閘管交流調功器主電路設計

標簽： 晶閘管交流主電路調功器

上傳時間： 2013-12-13

上傳用戶：lgd57115700
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
一種實用的晶閘管調速電路

一種實用的晶閘管調速電路

標簽： 晶閘管調速電路

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：youke111
5000種場效應管速查

5000種場效應管速查

標簽： 5000 場效應管速查

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：wqxstar
MOS管驅動基礎和時間功耗計算

提高mos管的效率，MOS的損耗計算。

標簽： MOS 驅動功耗計算

上傳時間： 2013-12-24

上傳用戶：defghi010
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

標簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：ewtrwrtwe
基于電源變壓器的MOS場效應管逆變器的設計

這里本站向大家介紹的逆變器（見圖1）主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。它的輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。

標簽： MOS 電源變壓器場效應管逆變器

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：農藥鋒6
晶閘管中頻電源運行中的抗干擾問題研究

　隨著電力電子技術的發展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應加熱技術日臻完善。中頻感應加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業加熱的首選方式。作為感應加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統BPS機組（中頻發電機組）相比，負載適應性強，效率高，易于形成自動加熱線，已在工業加熱領域得到越來越廣泛的應用。

標簽： 晶閘管中頻電源抗干擾運行

上傳時間： 2014-01-06

上傳用戶：dave520l
單路帶數碼管可編程可調節延時模塊

單路帶數碼管可編程可調節延時模塊

標簽： 數碼管可編程延時調節

上傳時間： 2013-10-07

上傳用戶：hbsunhui
74HC164應用實例：驅動數碼管兩例(電路圖和源程序)

74HC164是串行輸入,并行輸出接口器件,可用在單向的并行輸出/并行地址鎖存等. 74HC164因為價格便宜,容易使用特別適合使用在在需要用到數碼管顯示IO口又比較緊張的電子產品中,下面淺談使用方法:

標簽： 164 74 HC 應用實例

上傳時間： 2013-12-02

上傳用戶：yl8908

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