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隱身技術

  • 三公想拿到大牌的有什么辦法

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    上傳時間: 2017-02-06

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  • STM32的IAP方案

    IAP,全稱是“In-Application Programming”,中文解釋為“在程序中編程”。 IAP 是一種 對通過微控制器的對外接口(如 USART, IIC, CAN, USB,以太網接口甚至是無線射頻通道) 對正在運行程序的微控制器進行內部程序的更新的技術(注意這完全有別于 ICP 或者 ISP 技 術)

    標簽: STM IAP 32 方案

    上傳時間: 2017-05-15

    上傳用戶:Freesky1

  • 天堂變身檔制作工具

    自己制作天堂界面和便當1111111111

    標簽: 制作工具

    上傳時間: 2018-03-15

    上傳用戶:po090

  • java 架構師學習路線

    java 架構師學習路線,比較全面,符合實際學習晉身路線

    標簽: java 架構

    上傳時間: 2018-04-24

    上傳用戶:jj193543

  • 363變檔

    帶原始變身怪物變身等,目前最齊全的變身檔案,已經更新到363版本最新

    標簽: 363

    上傳時間: 2019-04-04

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  • 電力電子器件及應用技術

    電力電子器件及應用技術電力電子器件及應用技電電力電子器件及應用技術力電子器件及應用技術術

    標簽: 電力電子器件及應用技術

    上傳時間: 2019-07-01

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  • 華為PCB的EMC設計指南.rar

    電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科,實用性很強。本書注重從實際出發,結合強電類工程實際的特點,介紹了電磁兼容的基本知識,包括電磁干擾的產生和電磁兼容性的實現技術,以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。

    標簽: 華為 pcb emc

    上傳時間: 2021-10-16

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  • 電磁兼容原理及應用.rar

    電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科,實用性很強。本書注重從實際出發,結合強電類工程實際的特點,介紹了電磁兼容的基本知識,包括電磁干擾的產生和電磁兼容性的實現技術,以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。本書第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導和輻射兩類干擾的產生機理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術。第6 章介紹了電磁干擾的發射和敏感性測量技術。第7 至第9 章結合實際,具體介紹了靜電防護、電子系統的電磁兼容設計和浪涌抑制技術。第10 章介紹了與電力系統相關的一些典型的電磁兼容問題。

    標簽: 電磁兼容

    上傳時間: 2021-10-16

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  • 基于C51單片機步數檢測計步器無線藍牙上傳設計畢業論文文檔資料

    基于C51單片機步數檢測計步器無線藍牙上傳設計畢業論文文檔資料摘要計步器是一種頗受歡迎的日常鍛煉進度監控器,可以激勵人們挑戰自己,增強體質,幫助瘦身。早期設計利用加重的機械開關檢測步伐,并帶有一個簡單的計數器。晃動這些裝置時,可以聽到有一個金屬球來回滑動,或者一個擺錘左右擺動敲擊擋塊。 計步器功能可以根據計算人的運動情況來分析人體的健康狀況。而人的運動情況可以通過很多特性來進行分析。與傳統的機械式傳感器不同,ADXL345是電容式三軸傳感器,由它捕獲人體運動時加速度信號,更加準確。信號通過低通濾波器濾波,由單片機采集數據。軟件采用自適應算法實現計步功能,減少誤計數,更加精確。選用單片機STC89C52作為系統控制芯片,通過藍牙模塊把單片機處理的數據傳輸到手機APP上,這樣更能清楚看到檢測的效果。整機工作電流只有1-1.5mA,實現超低功耗。采集的步數,路程,卡路里及運動狀態用手機APP顯示。關鍵字:單片機;三軸傳感器;電源;APP第二章 方案的設計與論證2.1控制方案的確定本設計由STC89C52單片機最小系統+ADXL345加速度傳感器電路+藍牙模塊電路+LED燈電路+電源電路組成。 2.2控制方式的選擇2.2.1 單片機芯片的選擇方案一采用可編程邏輯器件CPLD作為控制器,CPLD可以實現各種復雜的功能、規模大、密度高、體積小、穩定性高、I/O資源豐富、易于進行功能擴展。采用并行的輸入輸出方式,提高了系統的處理速度,適合作為大規模控制系統的控制核         

    標簽: 51單片機 無線 藍牙

    上傳時間: 2021-10-19

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  • 第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰

    作者:何亮,劉揚論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ,其 中 結 型 柵 結 構 (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ,業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。

    標簽: 第三代半導體 GaN 功率開關器件

    上傳時間: 2021-12-08

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