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雷達(dá)發(fā)射機(jī)

  • J.D Anderson計算流體力學入門

    J.D Anderson計算流體力學入門

    標簽: CFD

    上傳時間: 2016-04-06

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  • 空間電壓脈寬調制SVPWM的原理及DSP的實現.rar

    針對空間電壓欠量脈寬調制過程中存在的問題,采用理論推演與軟件設計方法,在介紹了s V P w M 的基本原理的基礎上,利用T I 公司的 D S P電機控制芯片 T M S 3 2 0 L F 2 4 0 7設計了S V P W M的實現方法,并給出 j - 變頻調速系統的全數字化實現。 通過對永磁同步電機進行控制仿真實驗,得到的結果表明此方法是切實可行V , J ,控制系統具有優良的動靜態性能,較高的控制效果,有廣泛的應用前景。

    標簽: SVPWM DSP 電壓

    上傳時間: 2013-04-24

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  • 射頻與微波功率放大器設計.rar

    本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧,以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率,縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。  本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師,他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網絡參數  1.1 傳統的網絡參數  1.2 散射參數  1.3 雙口網絡參數間轉換  1.4 雙口網絡的互相連接  1.5 實際的雙口電路   1.5.1 單元件網絡   1.5.2 π形和T形網絡  1.6 具有公共端口的三口網絡  1.7 傳輸線  參考文獻 第2章 非線性電路設計方法  2.1 頻域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段線性近似法   2.1.3 貝塞爾函數法  2.2 時域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 準線性法  2.5 諧波平衡法  參考文獻 第3章 非線性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信號等效電路   3.1.2 等效電路元件的確定   3.1.3 非線性I—V模型   3.1.4 非線性C.V模型   3.1.5 電荷守恒   3.1.6 柵一源電阻   3.1.7 溫度依賴性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信號等效電路   3.2.2 等效電路元件的確定   3.2.3 CIJrtice平方非線性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型   3.2.7 rrriQuint非線性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型   3.2.10 模型選擇  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信號等效電路   3.3.2 等效電路中元件的確定   3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換   3.3.4 非線性雙極器件模型  參考文獻 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圓圖  4.3 集中參數的匹配   4.3.1 雙極UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用傳輸線匹配   4.4.1 窄帶功率放大器設計   4.4.2 寬帶高功率放大器設計  4.5 傳輸線類型   4.5.1 同軸線   4.5.2 帶狀線   4.5.3 微帶線   4.5.4 槽線   4.5.5 共面波導  參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口網絡  5.3 四口網絡  5.4 同軸電纜變換器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合橋  5.7 耦合線定向耦合器  參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎  6.1 主要特性  6.2 增益和穩定性  6.3 穩定電路技術   6.3.1 BJT潛在不穩定的頻域   6.3.2 MOSFET潛在不穩定的頻域   6.3.3 一些穩定電路的例子  6.4 線性度  6.5 基本的工作類別:A、AB、B和C類  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的實際外形  參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計  7.1 B類過激勵  7.2 F類電路設計  7.3 逆F類  7.4 具有并聯電容的E類  7.5 具有并聯電路的E類  7.6 具有傳輸線的E類  7.7 寬帶E類電路設計  7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器  參考文獻 第8章 寬帶功率放大器  8.1 Bode—Fan0準則  8.2 具有集中元件的匹配網絡  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網絡  8.4 具有傳輸線的匹配網絡    8.5 有耗匹配網絡  8.6 實際設計一瞥  參考文獻 第9章 通信系統中的功率放大器設計  9.1 Kahn包絡分離和恢復技術  9.2 包絡跟蹤  9.3 異相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 開關模式和雙途徑功率放大器  9.6 前饋線性化技術  9.7 預失真線性化技術  9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器  參考文獻

    標簽: 射頻 微波功率 放大器設計

    上傳時間: 2013-04-24

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  • 射頻和無線技術入門(第二版).pdf

    射頻和無線技術入門,絕對的從零開始,Caribbean j. Weisman 著

    標簽: 射頻 無線技術

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:xiaowei314

  • 交直流轉換器

    交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1.產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換,六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現場工作狀態檢視。 規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格 用途:信號轉換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格:AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉換器,2組輸出,輸入交流輸入0-19.99mA,輸出1:4-20mA,輸出2:4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標簽: 交直流 轉換器

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:nem567397

  • 反激式開關電源設計的思考三(磁芯的選取)

    在DCM狀態下選擇:Uin-電源輸入直流電壓Uinmin-電源輸入直流電壓最小值D-占空比Np-初級繞組匝數Lp-初級繞組電感量Ae-磁芯有效面積Ip-初級峰值電流f-開關頻率Ton-開關管導通時間I-初級繞組電流有效值η-開關電源效率J-電流密度

    標簽: 反激式開關 電源設計 磁芯

    上傳時間: 2013-12-16

    上傳用戶:我們的船長

  • 基于HT45R37V的低功耗C/R-F型八位OTP單片機

    基于HT45R37V的低功耗C/R-F型八位OTP單片機 HT45R37V 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡指令集的單片機,專門為需要VFD 功能的產品而設計。作為一款C/R-F 型的單片機,它可以連接9 個外部電容型或電阻型傳感器,并把它們的電容值或電阻值轉換成相應的頻率進行處理。此外,單片機帶有內部A/D 轉換器,能夠直接與模擬信號相連接,且它還集成了一個雙通道的脈沖寬度調節器,用于控制外部的馬達和LED 燈等。這款單片機是專門為VFD 產品應用而設計的,它能直接驅動VFD 面板。

    標簽: 37V 45R R37 R-F

    上傳時間: 2013-10-16

    上傳用戶:packlj

  • 基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP單片機

    基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP單片機 HT45R37 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡指令集的單片機。作為一款C/R-F 型的單片機,它可以連接16 個外部電容/電阻式傳感器,并把它們的電容值或電阻值轉換成相應的頻率進行處理。此外,單片機帶有內部A/D 轉換器,能夠直接與模擬信號相連接,且它還集成了雙通道的脈沖寬度調節器,用于控制外部的馬達和LED 燈等。

    標簽: 45R R37 R-F OTP

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:chenlong

  • TKStudio IDE集成開發環境升級記錄

    1. 文件比較器TKSDiff :a) 二進制比較:支持字體設置和文件改動監測,微調智能比較算法b) 支持文件拖拽,內容替換和插入c) 支持復制選中文本和比較文件的文件名d) 支持選中內容的導出e) 顯示智能比較完成度f) 處理k-flash命令行g) 禁止大文件間的比較h) 修正部分內存越界問題i) 修正消除二進制標題時有時無問題j) 修正目錄比較界面模塊資源泄漏問題k) 修正快速比較設置起始地址 bug

    標簽: TKStudio IDE 集成開發環境 記錄

    上傳時間: 2013-10-13

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  • PCB可測性設計布線規則之建議―從源頭改善可測率

    P C B 可測性設計布線規則之建議― ― 從源頭改善可測率PCB 設計除需考慮功能性與安全性等要求外,亦需考慮可生產與可測試。這里提供可測性設計建議供設計布線工程師參考。1. 每一個銅箔電路支點,至少需要一個可測試點。如無對應的測試點,將可導致與之相關的開短路不可檢出,并且與之相連的零件會因無測試點而不可測。2. 雙面治具會增加制作成本,且上針板的測試針定位準確度差。所以Layout 時應通過Via Hole 盡可能將測試點放置于同一面。這樣就只要做單面治具即可。3. 測試選點優先級:A.測墊(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件腳(Component Lead) D.貫穿孔(Via Hole)(未Mask)。而對于零件腳,應以AI 零件腳及其它較細較短腳為優先,較粗或較長的引腳接觸性誤判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm),厚度少于此值之PCB 容易板彎變形,影響測點精準度,制作治具需特殊處理。5. 避免將測點置于SMT 之PAD 上,因SMT 零件會偏移,故不可靠,且易傷及零件。6. 避免使用過長零件腳(>170mil(4.3mm))或過大的孔(直徑>1.5mm)為測點。7. 對于電池(Battery)最好預留Jumper,在ICT 測試時能有效隔離電池的影響。8. 定位孔要求:(a) 定位孔(Tooling Hole)直徑最好為125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 須有2 個定位孔和一個防呆孔(也可說成定位孔,用以預防將PCB反放而導致機器壓破板),且孔內不能沾錫。(c) 選擇以對角線,距離最遠之2 孔為定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不應設計成中心對稱,即PCB 旋轉180 度角后仍能放入PCB,這樣,作業員易于反放而致機器壓破板)9. 測試點要求:(e) 兩測點或測點與預鉆孔之中心距不得小于50mil(1.27mm),否則有一測點無法植針。以大于100mil(2.54mm)為佳,其次是75mil(1.905mm)。(f) 測點應離其附近零件(位于同一面者)至少100mil,如為高于3mm 零件,則應至少間距120mil,方便治具制作。(g) 測點應平均分布于PCB 表面,避免局部密度過高,影響治具測試時測試針壓力平衡。(h) 測點直徑最好能不小于35mil(0.9mm),如在上針板,則最好不小于40mil(1.00mm),圓形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之測點需額外加工,以導正目標。(i) 測點的Pad 及Via 不應有防焊漆(Solder Mask)。(j) 測點應離板邊或折邊至少100mil。(k) 錫點被實踐證實是最好的測試探針接觸點。因為錫的氧化物較輕且容易刺穿。以錫點作測試點,因接觸不良導致誤判的機會極少且可延長探針使用壽命。錫點尤其以PCB 光板制作時的噴錫點最佳。PCB 裸銅測點,高溫后已氧化,且其硬度高,所以探針接觸電阻變化而致測試誤判率很高。如果裸銅測點在SMT 時加上錫膏再經回流焊固化為錫點,雖可大幅改善,但因助焊劑或吃錫不完全的緣故,仍會出現較多的接觸誤判。

    標簽: PCB 可測性設計 布線規則

    上傳時間: 2014-01-14

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