BulkIn是FPGA向CY7C68013發送數據\r\nBulkOut是FPGA從CY7C68013接收數據,可以用LED顯示\r\n
上傳時間： 2013-08-30
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雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：zhangyigenius
本文設計數字式液位測量儀,采用雙差壓法對液位進行測量,有效地克服了液體密度變化對液位測量結果的影響,提高液位測量的精度。本設計的液位測量儀還能直接顯示液位高度的厘米數。關鍵詞:雙差壓法 液位測量儀 普通差壓法測量液位, 精度無法保證。本文提出雙差壓法的改進方案,以克服液體密度變化對液位測量結果的影響,提高液位測量的精度。 雙差壓法液位測量原理普通差壓法測量液位的原理:只有在液體密度ρ恒定不變的條件下,差壓△ P 才與液位高度H 呈線性正比關系,才可通過測量差壓△P 間接地獲取液位H 值。但液體密度ρ是液體組份和溫度的多元函數。當液體組份和溫度變化導致密度ρ改變時,即使液位高度H 沒有變化,也將使差壓信號△ P 改變,此時若還按原先的液體密度ρ從差壓信號△ P 計算出液位H,顯然將導致測量誤差, 嚴重時會造成操作人員的錯誤判斷。為此,本文提出采用兩個差壓傳感器,如圖1。其中差壓傳感器1 用于測量未知液位高度H 產生的差壓,即密閉容器底部和液面上方的壓力差:
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：源碼3
protel99se元件名系表
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：liuwei6419
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環境，這裡，引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：zhaiye
LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節堿性或鎳電池供電的便攜式設備。LCD 和 LED 驅動器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：zzbbqq99n
LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：頂得柱
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：阿譚電器工作室
