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電壓模式

STM32 PWM輸入模式

在本站下載的一個(gè)文檔，講的是STM32的PWM輸入模式，并不是我想找的文檔，貢獻(xiàn)出來，對(duì)別人也許有用。

標(biāo)簽： STM PWM 32 輸入

上傳時(shí)間： 2013-07-13

上傳用戶：咔樂塢
Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式

本應(yīng)用指南講述 Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式。SPI 配置模式拓寬了SpartanTM-3E 設(shè)計(jì)人員可以使用的配置解決方案。SPI Flash 存儲(chǔ)器件引腳少、封裝外形小而且貨源廣泛。本指南討論用 SPI Flash 存儲(chǔ)器件配置 Spartan-3E FPGA 所需的連接

標(biāo)簽： Spartan SPI 串行外設(shè)接口

上傳時(shí)間： 2013-08-08

上傳用戶：helmos
8051對(duì)FPGA的讀寫操作(FPGA和總線模式下的通信)

主要實(shí)現(xiàn)FPGA和總線模式下的通信可以實(shí)現(xiàn)8051對(duì)FPGA的讀寫操作

標(biāo)簽： FPGA 8051 讀寫操作總線

上傳時(shí)間： 2013-08-09

上傳用戶：chendawei
基于QUARTUSII軟件實(shí)現(xiàn)FPGA（ATERA CYCLONE II系列）與SD卡SD模式通信源碼

基于QUARTUSII軟件實(shí)現(xiàn)FPGA（ATERA CYCLONE II系列）與SD卡SD模式通信\r\n所用語(yǔ)言位verilog HDL

標(biāo)簽： QUARTUSII CYCLONE ATERA FPGA

上傳時(shí)間： 2013-08-20

上傳用戶：it男一枚
并口epp模式下與fpga通信例子

并口epp模式下與fpga通信例子，附源碼

標(biāo)簽： fpga epp 并口模式

上傳時(shí)間： 2013-09-03

上傳用戶：caiqinlin
基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計(jì)

針對(duì)傳統(tǒng)第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個(gè)電流傳輸器和2個(gè)電容即可完成設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可行性。

標(biāo)簽： CCCII 電流模式二階帶通濾波器設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-15

上傳用戶：jqy_china
基于新型CCCII的電流模式積分電路

介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進(jìn)行輸入為正弦波和方波時(shí)的輸出波形的仿真驗(yàn)證。

標(biāo)簽： CCCII 電流模式積分電路

上傳時(shí)間： 2013-10-22

上傳用戶：wtrl
電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

電路板故障分析維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起電路板太複雜,維修困難維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足無法維修的死板,廢棄可惜送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高備份板太多,積壓資金送國(guó)外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長(zhǎng) 對(duì)老化零件無從查起無法預(yù)先更換維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績(jī)效不彰

標(biāo)簽： 電路板維修技術(shù)資料

上傳時(shí)間： 2013-10-26

上傳用戶：neu_liyan
開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源功率分

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：dongqiangqiang
單個(gè)電阻器設(shè)定DCDC轉(zhuǎn)換器的正或負(fù)輸出

對(duì)於許多電子子繫統(tǒng)而言，比如：VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應(yīng)用，僅采用一個(gè)簡(jiǎn)單的降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器並不能滿足其要求

標(biāo)簽： DCDC 電阻器正設(shè)定

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：nostopper