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steppedchirp子函數產生一個子脈沖數為N的步進頻信號，子脈沖為chirp信號，參數可在main函數中設置，結果保存在數組y[]中。
標簽： steppedchirp 函數 信號 脈沖
上傳時間： 2017-09-12
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感生電動勢、動生電動勢 物理電磁學相關整理
標簽： 感生電動勢、動生電動勢
上傳時間： 2016-01-04
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1346511545法規的發生放大法水電費收費
標簽： 1水電費水電費的收費
上傳時間： 2016-03-18
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產品描述 提供8個觸摸感應按鍵，二進制(BCD)編碼輸出，具有一個按鍵承認輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認的狀態，對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 產品特色 工作電壓範圍： 3.1V – 5.5V 工作電流： 3mA@5V 8 個觸摸感應按鍵 提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開，輸出狀態會維持到下次按鍵才會改變。 提供按鍵承認有效輸出，當有按鍵時輸出低電平，無按鍵為高電平。 可以經由調整 CAP 腳的外接電容，調整靈敏度，電容越大靈敏度越高 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力 產品應用 應用于大小家電，娛樂產品等
標簽： VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾 防水 電元器件 貼片
上傳時間： 2019-08-08
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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臺灣數能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅動芯片，高達30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調節電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應用場景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉向流星燈備註：雙色溫調光調色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大，就能產流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據實際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
標簽： led 驅動芯片 nu510
上傳時間： 2022-01-07
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USB子類協議.part2
標簽： part USB 協議
上傳時間： 2013-05-22
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USB子類協議.part3
上傳時間： 2013-08-03
壓電陶瓷換能器在醫學超音波儀器的應用
標簽： 陶瓷 超音波
上傳時間： 2013-07-13
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