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電子產(chǎn)品研發(fā)

開關電源設計與開發

開關電源設計與開發資料

標簽： 開關電源設計

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：38553903210
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
PC電源測試系統chroma8000

PC電源測試系統chroma8000簡介

標簽： chroma 8000 電源測試系統

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：xiehao13
芯片掃盲

一.晶片的作用: 晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成.

標簽： 芯片

上傳時間： 2013-12-10

上傳用戶：離殤
FR-E500-CH變頻用戶手冊

本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

標簽： FR-E 500 CH 用戶手冊

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：xhz1993
（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源應用前景

隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。

標簽： 熱插拔模塊并聯應用前景

上傳時間： 2014-03-24

上傳用戶：alan-ee
電骰子的電路圖及制作

用七個led小燈模擬骰子

標簽： 電骰子電路圖

上傳時間： 2013-11-16

上傳用戶：lty6899826
51單片機串口發N字節

適用于51單片機的串口發n

標簽： 51單片機串口字節

上傳時間： 2014-12-25

上傳用戶：qingzhuhu
一種用N+1條線實現矩陣鍵盤

89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤

標簽： 矩陣鍵盤

上傳時間： 2014-12-26

上傳用戶：lhw888
8-bit 80C51 Flash系列單片機--P89C66

描述P89C660/662/664/668單片機內帶6KB/32KB/64KB/64KB Flash存儲器,該存儲器既可并行編程也可以串行在系統編程(ISP).在實際的成型產品中,可通過ISP升級用戶程序. 在Boot ROM程序中可通過一個默認的串行下載器(UART)對Flash存儲器作ISP編程,而在Flash代碼區中并不需要有調用下載器的代碼,用戶程序可通過調用在Boot ROM中的標準子程對Flash存儲器擦寫和再編程(即IAP). 該器件在6個時鐘周期內執行一條指令,是傳統的80C51的兩倍.一個OTP結構位讓用戶選擇傳統的12個時鐘周期. 該器件用advanced CMOS工藝制造,是80C51單片機家族的衍生品.其指令集和80C51相同. 該器件有四個8位I/O口,三個16位定時器/事件計數器,多中斷源,四個優選級,可嵌套中斷結構,一個增強型UART和片內振蕩器以及時序電路. P89C660/662/664/668新增特性使其成為一個功能強大的單片機,為某些應用提供PWM,高速的I/O和加/減計數,如汽車控制.

標簽： 80C51 Flash bit 66

上傳時間： 2013-10-10

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