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電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)

程式描述：使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設計

程式描述：使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設計，通過外接EEPROM來進行供電時的重列舉。程式包括USB韌體端的程式以及電腦端的程式。安裝：把來源程式碼複製到硬碟特定目錄下，使用Keil C編譯器和Visual C++ 6.0運行即可。注意：可以首先使用Cypress的測試工具進行韌體程式的測試，以確保韌體程式的正確性。

標簽： Cypress 68013A C68013 68013

上傳時間： 2017-02-10

上傳用戶：waitingfy
樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹；對n>0的樹

樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹；對n>0的樹，有:(1)僅有一個特殊的結點稱為根結點，根結點沒有前驅結點；(2)當n>1時，除根結點外其余的結點分為m(m>0)個互不相交的有限集合T1,T2，…，Tm，其中每個集合Ti本身又是一棵結構和樹類似的子樹。

標簽： 樹 gt

上傳時間： 2014-01-01

上傳用戶：lgnf
演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據

演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據，經過電腦程序的有限次運算，能夠得出所要求或期望的終止狀態或輸出數據。本書介紹電腦科學中重要的演算法及其分析與設計技術

標簽： 算法

上傳時間： 2017-06-09

上傳用戶：wys0120
最長上升子序列非常經典的問題。給定的整數序列

最長上升子序列非常經典的問題。給定的整數序列，請求出其最長上升子序列的長度。有多個測試用例。每個測試用例由一個行整數組成，其中第一個是一個整數 n (1 ≤ n ≤ 10000)，表示給定序列的長度。然后是 n 個 32-bits 帶符號整數表示序列中的元素。輸入直至沒有數據或者遇到長度 n 是非正數為止。

標簽： 序列整數

上傳時間： 2014-01-04

上傳用戶：稀世之寶039
一份射頻PCB設計的經驗總結。涉及到手機

一份射頻PCB設計的經驗總結。涉及到手機，GPS，等高頻電路的PCB設計方法。

標簽： PCB

上傳時間： 2017-07-21

上傳用戶：sssl
離散卷積計算實驗步驟：主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗

離散卷積計算實驗步驟：主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗，輸入有限長序列 x(n) 輸入有限長序列 h(n) 鼠標單擊確定按鈕，以數值和圖形兩種方式顯示卷積結果

標簽： 實驗離散卷積計算

上傳時間： 2013-12-17

上傳用戶：zhaiye
DFT 計算實驗步驟：主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。輸入取樣點數

DFT 計算實驗步驟：主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。輸入取樣點數，即有限長序列 x(n) 的長度。輸入信號表達式，或直接輸入離散序列。鼠標單擊確定按鈕，顯示原序列及 DFT 系數的幅度、相位。

標簽： DFT 實驗計算輸入

上傳時間： 2017-07-24

上傳用戶：kr770906
Fortran - Tóm tắ t nộ i dung mô n họ c Các khái niệ m và yế u tố

Fortran - Tóm tắ t nộ i dung mô n họ c Các khái niệ m và yế u tố trong ngô n ngữ lậ p trình FORTRAN. Các câ u lệ nh củ a ngô n ngữ FORTRAN. Cơ bả n về chư ơ ng chư ơ ng dị ch và mô i trư ờ ng lậ p trình DIGITAL Visual Fortran. Viế t và chạ y các chư ơ ng trình cho các bài toán đ ơ n giả n bằ ng ngô n ngữ FORTRAN.

標簽： Fortran 7855 7897 7885

上傳時間： 2013-12-25

上傳用戶：songrui
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb
高速電路設計詳細基礎理論知識

設計高速電路必須考慮高速訊號所引發的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應，所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設計電路優劣的一項重要指標，電路日異複雜必須仰賴可靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應，才比較可能獲得高品質且可靠的設計，因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發之各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先進修學習，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發揮儀器的量測功能。其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規範也必須熟悉，像眼圖分析，探針效應，抖動(jitter)測量規範及高速串列介面量測規範等實務技術，必須充分了解研究學習，進而才可設計出優良之教學教材及教具。

標簽： 高速電路

上傳時間： 2021-11-02

上傳用戶：jiabin