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電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)

具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

時至今日，以太網供電 (PoE) 技術仍在當今的網絡世界中不斷地普及。由供電設備 (PSE) 提供並傳輸至受電設備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

標簽： PoE 集成反激式控制器 PD接口

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：xmsmh
四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

在汽車、工業和電信行業的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

標簽： 348W 升壓型轉換器功率散熱器

上傳時間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

標簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
開關電源設計與開發

開關電源設計與開發資料

標簽： 開關電源設計

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：38553903210
使用簡易閂鎖電路保護電源

設計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個可控矽整流器(SCR)，結合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。

標簽： 閂鎖電路保護電源

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：zq70996813
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
可替代整合型MOSFET的獨立元件

在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

標簽： MOSFET 獨立元件

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
PC電源測試系統chroma8000

PC電源測試系統chroma8000簡介

標簽： chroma 8000 電源測試系統

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：xiehao13
開關電源設計實例和開關電源調試基礎

開關電源設計資料

標簽： 開關電源設計實例調試

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：李哈哈哈
FR-E500-CH變頻用戶手冊

本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

標簽： FR-E 500 CH 用戶手冊

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：xhz1993