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電子產(chǎn)品設(shè)計

  • 程式描述:使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設計

    程式描述:使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設計,通過外接EEPROM來進行供電時的重列舉。程式包括USB韌體端的程式以及電腦端的程式。 安裝:把來源程式碼複製到硬碟特定目錄下,使用Keil C編譯器和Visual C++ 6.0運行即可。 注意:可以首先使用Cypress的測試工具進行韌體程式的測試,以確保韌體程式的正確性。

    標簽: Cypress 68013A C68013 68013

    上傳時間: 2017-02-10

    上傳用戶:waitingfy

  • 樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹;對n>0的樹

    樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹;對n>0的樹,有:(1)僅有一個特殊的結點稱為根結點,根結點沒有前驅結點;(2)當n>1時,除根結點外其余的結點分為m(m>0)個互不相交的有限集合T1,T2,…,Tm,其中每個集合Ti本身又是一棵結構和樹類似的子樹。

    標簽: gt

    上傳時間: 2014-01-01

    上傳用戶:lgnf

  • 演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據

    演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據,經過電腦程序的有限次運算,能夠得出所要求或期望的終止狀態或輸出數據。本書介紹電腦科學中重要的演算法及其分析與設計技術

    標簽: 算法

    上傳時間: 2017-06-09

    上傳用戶:wys0120

  • 最長上升子序列 非常經典的問題。 給定的整數序列

    最長上升子序列 非常經典的問題。 給定的整數序列,請求出其最長上升子序列的長度。 有多個測試用例。每個測試用例由一個行整數組成,其中第一個是一個整數 n (1 ≤ n ≤ 10000),表示給定序列的長度。然后是 n 個 32-bits 帶符號整數表示序列中的元素。 輸入直至沒有數據或者遇到長度 n 是非正數為止。

    標簽: 序列 整數

    上傳時間: 2014-01-04

    上傳用戶:稀世之寶039

  • 一份射頻PCB設計的經驗總結。涉及到手機

    一份射頻PCB設計的經驗總結。涉及到手機,GPS,等高頻電路的PCB設計方法。

    標簽: PCB

    上傳時間: 2017-07-21

    上傳用戶:sssl

  • 離散卷積計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗

    離散卷積計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗, 輸入有限長序列 x(n) 輸入有限長序列 h(n) 鼠標單擊確定按鈕,以數值和圖形兩種方式顯示卷積結果

    標簽: 實驗 離散 卷積 計算

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:zhaiye

  • DFT 計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。 輸入取樣點數

    DFT 計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。 輸入取樣點數,即有限長序列 x(n) 的長度。 輸入信號表達式,或直接輸入離散序列。 鼠標單擊確定按鈕,顯示原序列及 DFT 系數的幅度、相位。

    標簽: DFT 實驗 計算 輸入

    上傳時間: 2017-07-24

    上傳用戶:kr770906

  • Fortran - Tóm tắ t nộ i dung mô n họ c Các khái niệ m và yế u tố

    Fortran - Tóm tắ t nộ i dung mô n họ c Các khái niệ m và yế u tố trong ngô n ngữ lậ p trình FORTRAN. Các câ u lệ nh củ a ngô n ngữ FORTRAN. Cơ bả n về chư ơ ng chư ơ ng dị ch và mô i trư ờ ng lậ p trình DIGITAL Visual Fortran. Viế t và chạ y các chư ơ ng trình cho các bài toán đ ơ n giả n bằ ng ngô n ngữ FORTRAN.

    標簽: Fortran 7855 7897 7885

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:songrui

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • 高速電路設計 詳細基礎理論知識

    設計高速電路必須考慮高速訊 號所引發的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應,所以訊號完整性 (signal  integrity)將是考量設計電路優劣的一項重要指標,電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應,才比較可能獲得高品質且可靠的設計, 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發之 各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多,使用上很複雜,必須事先 進修學習,否則無法全盤了解儀器之功能,因而無法有效發揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規範也必須熟悉,像眼圖分析,探針 效應,抖動(jitter)測量規範及高速串列介面量測規範等實務技術,必須充分 了解研究學習,進而才可設計出優良之教學教材及教具。

    標簽: 高速電路

    上傳時間: 2021-11-02

    上傳用戶:jiabin

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