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電子管功放轉(zhuǎn)載

  • 歐基理德輾轉相除法(之一) 以歐基理德輾轉相除法求出m

    歐基理德輾轉相除法(之一) 以歐基理德輾轉相除法求出m,n這2個整數的最大公因數

    標簽: 除法

    上傳時間: 2013-12-30

    上傳用戶:wangzhen1990

  • 使用ASP元件(請自行下載、安裝或登錄) AspUpload+AspJpeg+Jmail[或AspMail] 整合JS與FLASH套件 Highslide JS+SWFUpload+Titl

    使用ASP元件(請自行下載、安裝或登錄) AspUpload+AspJpeg+Jmail[或AspMail] 整合JS與FLASH套件 Highslide JS+SWFUpload+TitleView+FPV4[請自行下載] 新增相薄圖檔後[Web上傳或FTP上傳後批次新增],自動生成TitleView/FPV4,使用的XML腳本檔。刪除或搬移圖檔,同樣更新XML腳本檔。 使用 4.1_先用記事本設定編輯config.asp/menu.asp 4.2_瀏覽器進入addphoto.asp新增相簿分類(請事先作好規劃) 4.3_瀏覽器進入index.asp[被轉到NewPhoto.asp],簽入後按上傳圖檔,按新增相片後上傳圖檔 更詳細解說: http://www.chome.idv.tw/article.asp?id=158

    標簽: AspUpload Highslide SWFUpload AspJpeg

    上傳時間: 2013-12-21

    上傳用戶:84425894

  • 樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹;對n>0的樹

    樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹;對n>0的樹,有:(1)僅有一個特殊的結點稱為根結點,根結點沒有前驅結點;(2)當n>1時,除根結點外其余的結點分為m(m>0)個互不相交的有限集合T1,T2,…,Tm,其中每個集合Ti本身又是一棵結構和樹類似的子樹。

    標簽: gt

    上傳時間: 2014-01-01

    上傳用戶:lgnf

  • 最長上升子序列 非常經典的問題。 給定的整數序列

    最長上升子序列 非常經典的問題。 給定的整數序列,請求出其最長上升子序列的長度。 有多個測試用例。每個測試用例由一個行整數組成,其中第一個是一個整數 n (1 ≤ n ≤ 10000),表示給定序列的長度。然后是 n 個 32-bits 帶符號整數表示序列中的元素。 輸入直至沒有數據或者遇到長度 n 是非正數為止。

    標簽: 序列 整數

    上傳時間: 2014-01-04

    上傳用戶:稀世之寶039

  • 離散卷積計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗

    離散卷積計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗, 輸入有限長序列 x(n) 輸入有限長序列 h(n) 鼠標單擊確定按鈕,以數值和圖形兩種方式顯示卷積結果

    標簽: 實驗 離散 卷積 計算

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:zhaiye

  • DFT 計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。 輸入取樣點數

    DFT 計算 實驗步驟: 主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。 輸入取樣點數,即有限長序列 x(n) 的長度。 輸入信號表達式,或直接輸入離散序列。 鼠標單擊確定按鈕,顯示原序列及 DFT 系數的幅度、相位。

    標簽: DFT 實驗 計算 輸入

    上傳時間: 2017-07-24

    上傳用戶:kr770906

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • IRS2902驅動MOS管資料

    以IRS2902S作D類功放驅動,以場效應管做功率放大,那么,柵極所串的二極管有什么作用?如果是為場效應管的柵極放電,但二極管D3,D4的正向電阻遠遠大于它們所并聯的4.7R電阻,有大俠解惑。

    標簽: irs2902 驅動 mos管

    上傳時間: 2022-02-19

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  • 電子管功放制作技巧和要領

    電子管功放制作技巧和要領電子管音頻功率放大器,以其卓越的重放音質,廣受HFi發燒友的青睞。市售成品電子管功放動輒數千元,乃至上萬元,如此高價是大多數愛好者無法企及的。愛好者說得好:“自己動手,豐衣足食”,只要你有一定的電子知識和一定的動手能力,自制一臺物美價廉的電子管功放并非難事。電子管功放較之晶體管功放,看似龐大復雜,但當你了解了電子管電路的工作方式后,會發現,電子管勸放電路較之品體管分立元件功放相對簡潔,所用元件也少得多。除輸出變壓器自制有一定難度外,其他元器件只要選配得當,電路調試有方,一臺靚聲的電子管功放就會在你的手上誕生本章先對自制電子管功放的元件選配、安裝程序技巧及關鍵制作要領作一簡要介紹。當你胸有成竹,躍躍欲試時,就可以動手操作了第一節電子管功放的裝配與焊接技巧搭棚焊接方式國內外許多著名的電子管功率放大器過去和現在均采用搭棚式裝配焊接方式。因為,搭棚式接法的優點是布線可走捷徑,使走線最近,達到合理布線。另外,電子管功放的元件數量不多,體積較大,借助元件引腳,即可搭接,減少了過多引線帶來的弊病。只要布局合理易收到較好的效果。圖8—1為搭棚式接法示意圖

    標簽: 電子管 功放

    上傳時間: 2022-04-23

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  • 電子管功放電路全集

    前級放大器電路如圖1所示,左右聲道完全相同。它由兩級電壓放大加陰極輸出器組成,V1為第一級電壓放大。現代數碼音源CD、DVD的輸出電壓一般都在2V左右,信號從IN輸入,經R1衰減,通過柵極防振電阻R2加至V1柵極,V1將信號放大,然后從屏極取出放大后的信號電壓經C1耦合到下一級。W1為V1交流負載的一部分,又是V2的柵極回路,同時起著總音量的控制作用V2a為第二級電壓放大,將放大后的信號電壓直接送到V2b柵極,這就叫做直接耦合。采用直接耦合的V2a與V2b屏柵電位一致,在靜態時足以使V2b管屏流截止而不工作,在動態時由于信號電壓的加入,才能使V2b進人工作狀態。這種直接耦合,由于少用了一只耦合電容,不存在信號的電路損耗。傳輸效率高,傳真度好,減少了低頻衰減,有利于改善幅頻特性。V1、V2a陰極電阻R4、R6都未并接旁路電容,有本級電流負反饋作用,能夠提高音質、消除失真V2b為陰極輸出器,把前級放大的音頻信號電壓從陰極引出,經C2傳送給功率放大器。陰極輸出器具有非線性失真小,頻率響應寬的特點,它沒有放大作用,電壓增益小于1,但它有一定的電流輸出,有恒壓輸出特性,帶負載能力很強,推動任何純后級功率放大器從容不迫、輕松自如。它的輸入阻抗高,輸出阻抗低,大約才幾百歐姆,能和末級功放很好地匹配,即使用較長的信號線傳輸,也不會造成高頻損失抗干擾能力強,可以提高信噪比,提高音樂的純度,音質較好。臺靚聲、工作穩定可靠的放大器,離不開優質的電源作保證,特別是前級放大器,對電源的品質要求相當高,不應有交流聲和噪聲,哪怕只有一丁點兒,經過功率放大后,都會產生可怕的聲壓級,會嚴重影響音質。

    標簽: 電子管 功放

    上傳時間: 2022-04-24

    上傳用戶:canderile

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