在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程
標簽: Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間: 2020-06-05
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宏晶 STC15F2K60S2開發板配套軟件源碼 基礎例程30例/**********************基于STC15F2K60S2系列單片機C語言編程實現使用如下頭文件,不用另外再包含"REG51.H"#include <STC15F2K60S2.h>***********************/#include "STC15F2K60S2.H"//#include "REG51.H" //sfr P4 = 0xC0;#define uint unsigned int #define uchar unsigned char /**********************引腳別名定義***********************/sbit SEL=P4^3; // LED和數碼管選擇引腳 高:LED有效 低:數碼管有效 // SEL連接的單片機引腳必須為帶有上拉電阻的引腳 或將其直接連接VCC#define data P2 // 數據輸入定義 /**********************函數名稱:Delay_1ms功能描述:延時入口參數:unsigned int t 表示要延時t個1ms 出口參數:無備注:通過參數t,控制延時的時間長短***********************/void Delay_1ms(uint t){ uchar j; for(;t>0;t--) for(j=110;j>0;j--) ;}/**********************函數名稱:Led_test功能描述:對8個二極管進行測試,依次輪流點亮8個二極管入口參數:無出口參數:無備注: ***********************/void Led_test(){ uchar G_value=0x01; // 給變量賦初值 SEL=1; //高電平LED有效 while(1) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=G_value<<1; if(G_value==0x00) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=0x01; } }}/***********************主函數************************/void main(){ ///////////////////////////////////////////////// //注意: STC15W4K32S4系列的芯片,上電后所有與PWM相關的IO口均為 // 高阻態,需將這些口設置為準雙向口或強推挽模式方可正常使用 //相關IO: P0.6/P0.7/P1.6/P1.7/P2.1/P2.2 // P2.3/P2.7/P3.7/P4.2/P4.4/P4.5 ///////////////////////////////////////////////// P4M1=0x00; P4M0=0x00; P2M0=0xff; P2M1=0x00; //將P2設為推挽 Led_test(); }
標簽: STC15F2K60S2
上傳時間: 2022-05-03
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本程序基于STC15w408as單片機,配合一片sn74hc595芯片擴展IO口驅動4個4個數碼管(四個數碼管為時間專用數碼管,帶時間點顯示的。用的時候數碼管反向安裝,這樣可以顯示溫度符號℃)。用DS1302提供精確時間,18B20提供溫度。同時兩個IO口連接兩個按鍵,可實現調時。程序開始顯示時間,同時按K1K2按鍵,過7秒后激活顯示溫度,以后每7秒顯示溫度2秒。本程序為經驗學習程序,可能是我電路板焊接質量不好,導致DS1302備用電池無法使用,無法保存時間。希望大神能給出優化意見。
上傳時間: 2022-06-13
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1電壓型PWM控制器過流保護固有問題目前國內常見的IGBT逆變弧焊機PWM控制器通常采用TL494.SG3525等電壓型集成芯片,電流反饋信號一般取自整流輸出端,當輸出電流信號由分流器檢出電流與給定電流比較后,經比例積分放大器大,控制輸出脈沖寬度IGBT導通后,即使產生過電流,PWM控制電路也不可能及時關斷正在導通的過流脈沖由于系統存在延退環節,過流保護時間將延長.2電流型過流保護電流型PWM控制電路反饋電流信號由高頻變壓器初級端通過電流互感器取得,由于電流信號取自變壓器初級,反應速度快,保護信號與正在流過IGBT的電流同步,一旦發生過流PWM立即關斷輸出脈沖,IGBT獲得及時保護,電流型PwM控制器固有的逐個脈沖檢測瞬時電流值的控制方式對輸入電壓和負載變化響應快,系統穩定性好同意老兄的觀點,在實際應用中電壓型PWM確實占了大多數,但過流保護取樣也可以從變壓器初級取,通過互感線圈或霍爾傳感器取得過流信號,比如控制3525的8腳,這點深圳瑞凌的焊機做的不錯,可以很好保護開關管過流.如何通過檢測手段判斷一種逆變電源的主電路是否可靠,我認為可以從開關器件和主變壓器的空載和負載狀態下的電流電壓波形來分析,從而針對性的調整開關器件參數及過流過壓緩沖元件參數以及高頻變壓器的參數,難點在于如何選擇匹配.
上傳時間: 2022-06-19
上傳用戶:fliang
1、本課題任務如下:設計一個具有特定功能的電子鐘。該電子鐘上電或按鍵復位后能自動顯示系統提示符"P.",進入時鐘準備狀態;第一次按電子鐘啟動/調整鍵,電子鐘從0時0分0秒開始運行,進入時鐘運行狀態;再次按電子鐘啟動/調整鍵,則電子鐘進入時鐘調整狀態,此時可利用各調整鍵調整時間,調整結束后可按啟動/調整鍵再次進入時鐘運行狀態。2、本課題要求如下:(1)在AT89S51的PO口和P2口外接由六個LED數碼管(LED5~LEDO)構成的顯示器,用PO口作LED的段碼輸出口(PO.0~P0.7對應于LED的a-dp),P2.5-P2.0作LED的位控輸出線(P2.5~P2.0對應于LED5~LEDO),P1口外接四個按鍵A、B,C.D(對應于P1.0~P1.3).(2)、利用六個LED顯示當前時間。(3)、四個按鍵的功能:A鍵用于電子鐘啟動/調整;B鍵用于調時,范圍0-23,0為24點,每按一次時加1;C鍵用于調分,范圍0-59,0為60分,每按一次分加1:D鍵用于調秒,范圍0-59,0為60秒,每按一次秒加1.(4)、單片機采用AT89S51,fasc-12MHz(5)、電子鐘供電電源電路的設計。
上傳時間: 2022-06-19
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怎樣判斷IGBT MOS管的好壞?怎么檢測它的引腳?IGBT1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ 擋,用萬用表測量時, 若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大, 則判斷此極為柵極(G )。其余兩極再用萬用表測量, 若測得阻值為無窮大, 調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極( C);黑表筆接的為發射極(E)。2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ 擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發射極( E),此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極( G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極( G)和發射極( E),這時IGBT 被阻斷,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。3、注意事項任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用表撥在R×10KΩ 擋,因R×1KΩ 擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管( P-MOSFET )的好壞。現在經常要檢測MOS 管了,轉幾篇MOS 管的檢測方法,以備隨時觀摩!用萬用表檢測MOS 開關管好壞的方法一、MOS 開關管針腳判斷:在電腦上, MOS 管都是N 溝道增強型的MOSFET 開關管, 大部分都采用TO-220F 封裝,其針腳判斷方法是:將針腳向下,印有型號的面向自己,左邊的是柵極,中間是漏極,右邊是源極。
上傳時間: 2022-06-22
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電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中,功率管的損壞占有相當大的比例,若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一:諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良,將導致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高,從而引起功率管IGBT管損壞,經查其他電路無異常時,我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二:IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導通與截至,必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現故障,高電壓就會加到IGBT 管的G 極,導致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅動管S8050、S8550損壞。三:同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當同步電路工作異常時, 導致IGBT管瞬間擊穿損壞。
上傳時間: 2022-06-22
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1:打開J-Flash ARM后,首先點擊File-OpenProject...,從中選擇STM32F103RB.jflash。(例子芯片,直接在提示的目錄下找) 2.點擊File-Open data file...選擇要燒錄的可執行文件(.hex 或者 .bin) 3:options-project settings 在里面配置cpu型號,下載方式 4: 選擇燒錄文件后,點擊Target-connect,鏈接一下硬件是否通。如果能夠連接成功會了LOG窗口最后一行顯示“Connected successfully”。5:按F3擦除芯片。6.按F5鍵將程序寫入芯片。7.硬件鏈接上之后,點擊Target-Secure chip防止程序被惡意讀出。如果您的芯片用于調試,不要執行本步驟。
標簽: J-Flash
上傳時間: 2022-06-22
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開機通電時,7只LED會隨機顯示一個點數,玩家按一下開關S1,7只LED會全部變亮,大約幾秒后,7只LED燈開始閃爍,直到最后顯示出穩定的點數。整個一次“擲骰子”的過程結束。電路主要由脈沖產生器和一個十進制計數器電路組成。脈沖產生器由NE555及外圍元件構成多諧振蕩器,當按下按鍵S1時Q1導通,NE555的3腳輸出脈沖,則CD4017的5個輸出端輪流輸出高電平,通過電阻和三極管的不同組合,可驅動7只LED發光,以指示1-6的點數。
上傳時間: 2022-07-19
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主控平臺:UC2844拓撲:雙管反激描述:本方案為大功率電源的輔助電源部分,可接受三相市電輸入、三相旁路輸入、電池輸入、輸入電壓最高可支持1000VDC提供24V、+12V、-12V、+5V以及高頻輸出(可供后級隔離驅動電源使用)
標簽: 雙管反激
上傳時間: 2022-07-26
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