<fieldset id="icguw"></fieldset> DAC34H84 是一款由德州儀器（TI）推出的四通道、16 比特、采樣1.25GSPS、功耗1.4W 高性能的數模轉換器。支持625MSPS 的數據率，可用于寬帶與多通道系統的基站收發信機。由于無線通信技術的高速發展與各設備商基站射頻拉遠單元（RRU/RRH）多種制式平臺化的要求，目前收發信機單板支持的發射信號頻譜越來越寬，而中頻頻率一般沒有相應提高，所以中頻發射DAC 發出中頻（IF）信號的二次諧波（HD2）或中頻與采樣頻率Fs 混疊產生的信號（Fs-2*IF）離主信號也越來越近，因此這些非線性雜散越來越難被外部模擬濾波器濾除。這些子進行pcb設計布局，能取得較好的信號完整性效果，可以在pcb打樣后，更放心。這些雜散信號會降低發射機的SFDR 性能，優化DAC 輸出的二次諧波性能也就變得越來越重要。
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：lalalal
PCB布線后檢查有錯誤的處理方法
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：ginani
運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現了從原理圖到PCB的過程
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：龍飛艇
創建PCB元件管腳封裝
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
Allegro后仿真流程介紹
上傳時間： 2014-11-26
上傳用戶：851197153
第一步，拿到一塊PCB，首先在紙上記錄好所有元氣件的型號，參數，以及位置，尤其是二極管，三機管的方向，IC缺口的方向。最好用數碼相機拍兩張元氣件位置的照片。第二步，拆掉所有器件，并且將PAD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈，然后放入掃描儀內，啟動POHTOSHOP，用彩色方式將絲印面掃入，并打印出來備用。第三步，用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨，打磨到銅膜發亮，放入掃描儀，啟動PHOTOSHOP，用彩色方式將兩層分別掃入。注意，PCB在掃描儀內擺放一定要橫平樹直，否則掃描的圖象就無法使用。第四步，調整畫布的對比度，明暗度，使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強烈，然后將次圖轉為黑白色，檢查線條是否清晰，如果不清晰，則重復本步驟。如果清晰，將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步，將兩個BMP格式的文件分別轉為PROTEL格式文件，在PROTEL中調入兩層，如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合，表明前幾個步驟做的很好，如果有偏差，則重復第三步。第六，將TOP。BMP轉化為TOP。PCB，注意要轉化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在TOP層描線就是了，并且根據第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步，將BOT。BMP轉化為BOT。PCB，注意要轉化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步，在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調入，合為一個圖就OK了。第九步，用激光打印機將TOP LAYER， BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上（1：1的比例），把膠片放到那塊PCB上，比較一下是否有誤，如果沒錯，你就大功告成了。
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：標點符號
PCB 被動組件的隱藏特性解析 傳統上，EMC一直被視為「黑色魔術（black magic）」。其實，EMC是可以藉由數學公式來理解的。不過，縱使有數學分析方法可以利用，但那些數學方程式對實際的EMC電路設計而言，仍然太過復雜了。幸運的是，在大多數的實務工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數學公式和存在于EMC規范中的學理依據，只要藉由簡單的數學模型，就能夠明白要如何達到EMC的要求。本文藉由簡單的數學公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設計的電子產品通過EMC標準時，事先所必須具備的基本知識。導線和PCB走線導線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經常成為射頻能量的最佳發射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會影響導線的阻抗大小，而且對頻率很敏感。依據LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長度，在某組件和PCB走線之間，可以產生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時，導線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時，導線就具有電感的特性。因為變成高頻后，會造成阻抗大小的變化，進而改變導線或PCB 走線與接地之間的EMC 設計，這時必需使用接地面（ground plane）和接地網格（ground grid）。導線和PCB 走線的最主要差別只在于，導線是圓形的，走線是長方形的。導線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時，感抗大于電阻，此時導線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導線或走線應該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：時代將軍
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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為了提高Forward變換器非線性系統的控制性能，采用了精確線性化控制方法。首先采用開關函數和開關周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統模型。從理論上證明了該模型滿足系統精確線性化的條件。對非線性坐標變換后得到的線性系統，利用二次型最優控制策略推導出非線性狀態反饋控制律。實驗結果表明，系統具有良好的靜態和動態性能，驗證了該控制方法的有效性和正確性。
上傳時間： 2013-11-10
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結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
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