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電子結構

  • 電子元件設計資料

    電子元件設計資料,第一次上傳啊,很好的東西

    標簽: 元件

    上傳時間: 2017-08-12

    上傳用戶:小草123

  • AMR7(LPC2148)的SD卡開發(fā)電子書

    AMR7(LPC2148)的SD卡開發(fā)電子書

    標簽: AMR7 2148 LPC SD卡

    上傳時間: 2017-09-13

    上傳用戶:xmsmh

  • 電子鐘

    電子鐘,實現(xiàn)自動計時。proteus開發(fā)

    標簽:

    上傳時間: 2014-01-24

    上傳用戶:ljt101007

  • h264_and_mpeg4_video_compressed 英文書 原文電子檔

    h264_and_mpeg4_video_compressed 英文書 原文電子檔 為h264_and_mpeg4之基礎教科書

    標簽: h264基礎

    上傳時間: 2015-05-01

    上傳用戶:yuepub

  • LCD 電子密碼鎖 4頁 2.2M.pdf

    實用電子技術專輯 385冊 3.609GLCD 電子密碼鎖 4頁 2.2M.pdf

    標簽:

    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • 電子連接器設計基礎 35頁 1.3M.ppt

    實用電子技術專輯 385冊 3.609G電子連接器設計基礎 35頁 1.3M.ppt

    標簽:

    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • [電子書]-中國成語大全 V2.0.exe

    其他雜類專輯 102冊 7.12G pdf[電子書]-中國成語大全 V2.0.exe

    標簽:

    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • 電子變壓器手冊 第二版

    電子變壓器手冊第二版  電子變壓器手冊第二版

    標簽: 電子變壓器

    上傳時間: 2021-12-14

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  • 4x4鍵盤的設計與制作

    三種方法讀取鍵值􀂄 使用者設計行列鍵盤介面,一般常採用三種方法讀取鍵值。􀂉 中斷式􀂄 在鍵盤按下時產生一個外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個按鍵被按下。􀂄 本實驗採用中斷式實現(xiàn)使用者鍵盤介面。􀂉 掃描法􀂄 對鍵盤上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對應列的鍵被按下。否則掃描下一行。􀂉 反轉法􀂄 先將所有行掃描線輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線輸出低電位,再讀行值。􀂄 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結構。按鍵按下將會使行列連成通路,這也是見的使用者鍵盤設計電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時去抖動 if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }

    標簽: 4x4 鍵盤

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:a673761058

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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