開關電源專業英語.doc 32KB2020-03-12 11:28 反激式開關電源設計、制作、調試_2014年版..pdf 39.4M2020-03-12 11:28 《精通開關電源設計》_2008年版.pdf 39.7M2020-03-12 11:28 《新型開關電源優化設計與實例詳解》_2006版.pdf 192.1M2020-03-12 11:28 《開關電源設計指南》_2004年版.pdf 9.6M2020-03-12 11:28 《開關電源設計與優化》_2006年版.pdf 28.9M2020-03-12 11:28 《開關電源設計》第2版_2005年版.pdf 31.5M2020-03-12 11:28 《開關電源的原理與設計》_2001年版.pdf 17.9M2020-03-12 11:28 《開關電源故障診斷與排除》_2011年版.pdf 40.8M2020-03-12 11:28 《開關電源手冊》第2版_2006年.pdf 42M2020-03-12 11:28 《交換式電源供給器之理論與實務設計》.pdf
標簽： AutoCAD 2000 實用教程
上傳時間： 2013-06-26
上傳用戶：eeworm
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
標簽： LED 高電壓 降壓型轉換器 驅動高功率
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：playboys0
LTC®4223 是一款符合微通信計算架構 (MicroTCA) 規範電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規範於近期得到了 PCI 工業計算機制造商組織 (PICMG) 的批準。
標簽： MicroTCA AMC 熱插拔 方案
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：我累個乖乖
在汽車、工業和電信行業的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
標簽： 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器
上傳時間： 2014-12-01
上傳用戶：lhc9102
在室內環境中可結合式子母機器人系統，子機為一多功能平臺，可放置各種家庭所需之設備，而母機為一輪式機器人，經由兩者的結合，可提供高機動性與多功能的服務。在結合的技術面，傳統的吸塵器機器人與充電站之間的導航系統使用紅外線感測作為依據，當兩者間有障礙物阻擋時，紅外線感測器導航系統將會失效。因此本系統利用聲源方向做為機器人決定移動方向的依據，由於聲波傳遞的特性，即使在有障礙物的情況下，依然可以有效地偵測。此外，在移動的過程中，本系統利用光流偵測法判斷是否遭遇障礙物或是利用Support Vector Machine分類判斷與聲源之間為是否有障礙物的阻隔；若發現前方有障礙物，則啟動避障策略，用有效的方式繼續往目標移動。最後，當母機接近子機時，可根據多種紅外線感測器資訊進行子母機器人的結合，結合成功後，母機將可搭載子機成為一自由行動之機器人。
標簽： 系統
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：mhp0114
本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅動裝置, RS232 除了可以與PC聯絡外也可以與具有CPU的熱能驅動器做命令傳輸。在計畫中分析現有工業用加熱驅動裝置和溫度曲線的關係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉換程式、I/O介面及通訊協定相關程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結果。
標簽： Processor Digital Singal DSP
上傳時間： 2013-12-24
上傳用戶：zjf3110
steppedchirp子函數產生一個子脈沖數為N的步進頻信號，子脈沖為chirp信號，參數可在main函數中設置，結果保存在數組y[]中。
標簽： steppedchirp 函數 信號 脈沖
上傳時間： 2017-09-12
上傳用戶：haohaoxuexi
上傳時間： 2013-12-16
上傳用戶：txfyddz
樂透選號小程式，分為人工選號以及電腦選號，可自選所要的組數，並加入氣泡排序以及不重複出現的功能，最後可得到所中的號碼，有需要作相關的人可以下載並照自已的需求修改
標簽： 程式
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：z754970244
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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