設(shè)計了一種基于C8051F005 單片機控制多路PZT(壓電陶瓷)的驅(qū)動電路,采用串行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆椒ǎ眯滦蛿?shù)模轉(zhuǎn)換器AD5308 具有8 通道DAC 輸出的特性,極大的簡化了電路設(shè)計,給出了硬件系統(tǒng)設(shè)計和軟件流程圖以及主要的軟件模塊設(shè)計。本電路主要用于自適應(yīng)光學(xué)合成孔徑成像相位實時校正系統(tǒng)中。結(jié)果表明,該電路可以成功為12 路PZT 提供所需的驅(qū)動電壓。
上傳時間: 2013-10-19
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基于AT89C51應(yīng)用系統(tǒng)的串行通信設(shè)計:介紹了基于AT89C51應(yīng)用系統(tǒng)中的串行通信軟硬件設(shè)計方法和實現(xiàn)過程,在基于紅外成像技術(shù)的電力設(shè)備狀態(tài)檢測系統(tǒng)中,將紅外測溫儀檢測到設(shè)備的溫度數(shù)據(jù)傳給控制電路,進行數(shù)據(jù)格式的轉(zhuǎn)換后,在RAM 中存儲,同時上傳給PC機。系統(tǒng)利用MAX232實現(xiàn)RS 232C的EIA 電平與單片機的TTI 電平之聞轉(zhuǎn)換,利用通用串口芯片8251A擴展串行接13',實現(xiàn)PC機與單片機之問的串行通信。 關(guān)鍵詞:串行通信;單片機;接口;RS232C
上傳時間: 2014-12-21
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MSP430系列flash型超低功耗16位單片機MSP430系列單片機在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點。該系列單片機自問世以來,頗受用戶關(guān)注。在2000年該系列單片機又出現(xiàn)了幾個FLASH型的成員,它們除了仍然具備適合應(yīng)用在自動信號采集系統(tǒng)、電池供電便攜式裝置、超長時間連續(xù)工作的設(shè)備等領(lǐng)域的特點外,更具有開發(fā)方便、可以現(xiàn)場編程等優(yōu)點。這些技術(shù)特點正是應(yīng)用工程師特別感興趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機》對該系列單片機的FLASH型成員的原理、結(jié)構(gòu)、內(nèi)部各功能模塊及開發(fā)方法與工具作詳細介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機 目錄 第1章 引 論1.1 MSP430系列單片機1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章 結(jié)構(gòu)概述2.1 引 言2.2 CPU2.3 程序存儲器2.4 數(shù)據(jù)存儲器2.5 運行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時鐘發(fā)生器第3章 系統(tǒng)復(fù)位、中斷及工作模式3.1 系統(tǒng)復(fù)位和初始化3.1.1 引 言3.1.2 系統(tǒng)復(fù)位后的設(shè)備初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 MSP430 中斷優(yōu)先級3.3.1 中斷操作--復(fù)位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1(LPM0和LPM1)3.5.2 低功耗模式2、3(LPM2和LPM3)3.5.3 低功耗模式4(LPM4)22 3.6 低功耗應(yīng)用的要點23第4章 存儲空間4.1 引 言4.2 存儲器中的數(shù)據(jù)4.3 片內(nèi)ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲器4.5.1 FLASH存儲器的組織4.5.2 FALSH存儲器的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)4.5.3 FLASH存儲器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲器的安全鍵值與中斷4.5.5 經(jīng)JTAG接口訪問FLASH存儲器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號模式5.2.4 絕對模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時鐘周期與長度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡短格式5.3.5 其他指令第6章 硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章 基礎(chǔ)時鐘模塊7.1 基礎(chǔ)時鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測7.2.4 XT振蕩器失效時的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調(diào)整器7.4 時鐘與運行模式7.4.1 由PUC啟動7.4.2 基礎(chǔ)時鐘調(diào)整7.4.3 用于低功耗的基礎(chǔ)時鐘特性7.4.4 選擇晶振產(chǎn)生MCLK7.4.5 時鐘信號的同步7.5 基礎(chǔ)時鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章 輸入輸出端口8.1 引 言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章 看門狗定時器WDT9.1 看門狗定時器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時器Timer_A10.1 引 言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時器模式控制10.2.2 時鐘源選擇和分頻10.2.3 定時器啟動10.3 定時器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計數(shù)模式10.3.3 連續(xù)模式10.3.4 增/減計數(shù)模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應(yīng)用 第11章 16位定時器Timer_B11.1 引 言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時器長度11.2.2 定時器模式控制11.2.3 時鐘源選擇和分頻11.2.4 定時器啟動11.3 定時器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計數(shù)模式11.3.3 連續(xù)模式11.3.4 增/減計數(shù)模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機模式12.1.5 地址位多機通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制和狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)整控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式,低功耗模式應(yīng)用特性12.4.1 由UART幀啟動接收操作12.4.2 時鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機模式對節(jié)約MSP430資源的支持12.5 波特率計算 第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發(fā)送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發(fā)送允許位及發(fā)送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF第14章 比較器Comparator_A14.1 概 述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開關(guān)14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發(fā)生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應(yīng)用14.4.1 模擬信號在數(shù)字端口的輸入14.4.2 比較器A測量電阻元件14.4.3 兩個獨立電阻元件的測量系統(tǒng)14.4.4 比較器A檢測電流或電壓14.4.5 比較器A測量電流或電壓14.4.6 測量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補償14.4.8 增加比較器A的回差第15章 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1215.1 概 述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內(nèi)核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉(zhuǎn)換存儲15.5 轉(zhuǎn)換模式15.5.1 單通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.2 序列通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.3 單通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.4 序列通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.5 轉(zhuǎn)換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉(zhuǎn)換時鐘與轉(zhuǎn)換速度15.7 采 樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉(zhuǎn)換存儲寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開發(fā)16.1 開發(fā)系統(tǒng)概述16.1.1 開發(fā)技術(shù)16.1.2 MSP430系列的開發(fā)16.1.3 MSP430F系列的開發(fā)16.2 FLASH型的FET開發(fā)方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標準復(fù)位過程和進入BSL過程16.3.2 BSL的UART協(xié)議16.3.3 數(shù)據(jù)格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護口令16.3.6 BSL的內(nèi)部設(shè)置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開銷的模擬指令B.4 指令說明(字母順序)B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機參數(shù)表附錄D MSP430系列單片機封裝形式附錄E MSP430系列器件命名
上傳時間: 2014-04-28
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本會議將簡要介紹現(xiàn)在和未來QorIQ硬件平臺的功率管理技術(shù)。會議將介紹現(xiàn)在和未來Linux® SDK中軟件基礎(chǔ)設(shè)施的實施與使用情況。并且通過真實世界用例演示這些技術(shù)與基礎(chǔ)設(shè)施在不同應(yīng)用,如打印、成像、路由和數(shù)據(jù)中心等中如何有效降低功耗.
上傳時間: 2013-10-29
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第八章 labview的編程技巧 本章介紹局部變量、全局變量、屬性節(jié)點和其他一些有助于提高編程技巧的問題,恰當(dāng)?shù)剡\用這些技巧可以提高程序的質(zhì)量。 8.1 局部變量 嚴格的語法盡管可以保證程序語言的嚴密性,但有時它也會帶來一些使用上的不便。在labview這樣的數(shù)據(jù)流式的語言中,將變量嚴格地分為控制器(Control)和指示器(Indicator),前者只能向外流出數(shù)據(jù),后者只能接受流入的數(shù)據(jù),反過來不行。在一般的代碼式語言中,情況不是這樣的。例如我們有變量a、b和c,只要需要我們可以將a的值賦給b,將b的值賦給c等等。前面所介紹的labview內(nèi)容中,只有移位積存器即可輸入又可輸出。另外,一個變量在程序中可能要在多處用到,在圖形語言中勢必帶來過多連線,這也是一件煩人的事。還有其他需要,因此labview引入了局部變量。
上傳時間: 2013-10-27
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文章對美國升級臺灣F-16機載多功能雷達的技術(shù)進行了研究。首先介紹了有源電掃相控陣技術(shù),該技術(shù)是提高雷達性能的關(guān)鍵所在。其次對多普勒銳化和合成孔徑技術(shù)進行了深入的討論,研究表明合成孔徑技術(shù)能更好地提高成像效果。最后分析了升級F-16帶來的不足,說明升級不能阻止國家的統(tǒng)一大業(yè)。
標簽: 16 機載雷達 關(guān)鍵技術(shù) 分
上傳時間: 2013-11-14
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對回波信號進行一維成像處理,以距離像幅度作為單脈沖測角幅度,利用單脈沖測角方法得到目標在各個距離單元內(nèi)的角度信息,通過加權(quán)平均處理,得到目標幾何中心空間角度。仿真結(jié)果表明,該方法可以抑制角閃爍偏差,提高導(dǎo)引頭角跟蹤精度。
標簽: 高分辨雷達
上傳時間: 2013-10-28
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核磁共振(NMR)是重要的檢測手段和分析手段之一。隨著其應(yīng)用領(lǐng)域的拓展和 深入,核磁共振譜儀技術(shù)也不斷地發(fā)展和完善。常規(guī)商業(yè)化譜儀雖然功能強大,但 是譜儀結(jié)構(gòu)復(fù)雜,體積龐大,價格昂貴,因此限制了NMR技術(shù)的應(yīng)用場合。而在許 多應(yīng)用場合,比如教學(xué)中,往往需要一種結(jié)構(gòu)簡單,體積小巧,價格便宜,集成度 高的一體化核磁共振譜儀。 而隨著A跚(Advanced RISC Machines)技術(shù)的發(fā)展與成熟,本文提出了一種用 于磁共振成像系統(tǒng)的,基于A剛的一體化核磁共振成像譜儀的設(shè)計方案。提供了譜 儀各部分的實際性能測試的結(jié)果和譜儀整體工作的成像實驗結(jié)果,并對研制和實驗 結(jié)果進行了討論。 本論文主要內(nèi)容如下: 第一,主要介紹了核磁共振原理,核磁共振成像的原理,核磁共振成像系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。 第二,介紹ARM的概念與基本原理并簡要介紹了相關(guān)的軟件。 第三,介紹了一體化譜儀的研制過程,并分別從母板和核心板兩部分的硬件部分設(shè) 計與軟件部分設(shè)計上進行了相應(yīng)的描述。 第四,介紹本譜儀系統(tǒng)的性能測試結(jié)果,并總結(jié)調(diào)試心得與現(xiàn)有問題,并對以后提出展望。 有關(guān)核磁共振更多知識請查看:醫(yī)學(xué)影像設(shè)備
上傳時間: 2013-11-06
上傳用戶:hanwudadi
1.什么是CTP? CTP包括幾種含義: 脫機直接制版(Computer-to-plate) 在機直接制版(Computer-to-press) 直接印刷(Computer-to-paper/print) 數(shù)字打樣(Computer-to-proof) 普通PS版直接制版技術(shù),即CTcP(Computer-to-conventional plate) 這里所論述的CTP系統(tǒng)是脫機直接制版(Computer-to-plate)。CTP就是計算機直接到印版,是一種數(shù)字化印版成像過程。CTP直接制版機與照排機結(jié)構(gòu)原理相仿。起制版設(shè)備均是用計算機直接控制,用激光掃描成像,再通過顯影、定影生成直接可上機印刷的印版。計算機直接制版是采用數(shù)字化工作流程,直接將文字、圖象轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字,直接生成印版,省去了膠片這一材料、人工拼版的過程、半自動或全自動曬版工序。
標簽: CTP
上傳時間: 2014-01-22
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setuppadsstacks
上傳時間: 2013-11-17
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