SMT（Surface mount technology）是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼：1.可在板上雨成同特焊接，封裝密度提高50~70%.WW2.l短，提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化，快速，成本低.1.表面貼裝零件SOIC（small outline integrate circle）RESISTANCE（電阻）CAPACITANCE（電容）AMPLCC（plastic leaded chip carriers）CONNECT etc.（結(jié)器）封裝材料1.）陶瓷（BeO）：精度高，密封度高（CTE：5～7PPM/℃）封板子熟膨服要求高2.）聚硫胺醚（Polyetherimide）：一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖，機(jī)械，電子性能侵良AwIR各波皆敏感，易分解，生“酸泡”現(xiàn)象.3.）熔融矽砂（Fused silica），暖氧橫脂
標(biāo)簽： fpc
上傳時(shí)間： 2022-07-27
上傳用戶：zhaiyawei
光電二極管可分為兩類(lèi)：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對(duì)較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：firstbyte
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
駕校電腦考試系統(tǒng)，正在使用，大家分享分享。自動(dòng)記分記時(shí)，800道題目，50套摸板 網(wǎng)絡(luò)考試。
標(biāo)簽： 電腦
上傳時(shí)間： 2013-12-30
上傳用戶：離殤
stl算法集，具體實(shí)現(xiàn)了摸板編程的各種示例，有利于初學(xué)者．
上傳時(shí)間： 2014-01-02
上傳用戶：xymbian
1. 在界面的開(kāi)頭顯示新聞添加的位置，主要是新聞所屬的大類(lèi)和小類(lèi)名稱(chēng)。 2. 添加的新聞可以選擇屬于哪個(gè)專(zhuān)題，也可不屬于任何專(zhuān)題。 3. 可以注明所添加新聞的來(lái)源和作者，可選擇自己喜歡的添加摸板。 4. 還設(shè)有新聞編輯框，可進(jìn)行可視化新聞添加，可以粘貼網(wǎng)頁(yè)任意圖片、表格、文字，就像WORD一樣方便，可以選擇HTML語(yǔ)法書(shū)寫(xiě)。 5. 可以設(shè)定相關(guān)新聞，以及添加新聞的性質(zhì)，如可以選擇此新聞在焦點(diǎn)新聞、推薦新聞、熱點(diǎn)新聞等首頁(yè)欄目顯示，并且可以使此條新聞固定的顯示于最新新聞列表中。
標(biāo)簽： 新聞
上傳時(shí)間： 2015-09-30
上傳用戶：fandeshun
SED1335驅(qū)動(dòng)320x240圖形液晶驅(qū)動(dòng)演示程序 接口情況表述： No: LCM ----- 52 --------------------- 1...VSS..... GND 地線 2...VDD..... +5V(VCC) 電源 3...VO ..... -Vadj Input 對(duì)比度負(fù)壓調(diào)整輸入 4...A0 ..... P2.0 寄存器選擇信號(hào),命令數(shù)據(jù)方式選擇 5.../WR..... WR 寫(xiě)有效 6.../RD..... RD 讀有效 7...D0 ..... P0.0 數(shù)據(jù)總線 D0 8...D1 ..... P0.1 數(shù)據(jù)總線 D1 9...D2 ..... P0.2 數(shù)據(jù)總線 D2 10..D3 ..... P0.3 數(shù)據(jù)總線 D3 11..D4 ..... P0.4 數(shù)據(jù)總線 D4 12..D5 ..... P0.5 數(shù)據(jù)總線 D5 13..D6 ..... P0.6 數(shù)據(jù)總線 D6 14..D7 ..... P0.7 數(shù)據(jù)總線 D7 15../CS .... GND 片選通信號(hào)，低電平有效.實(shí)際使用應(yīng)編入地址 16../RES.... /RESET 復(fù)位信號(hào)，低電平有效，阻容式復(fù)位電路 17..VEE..... -Vout 逆變-22.5V 負(fù)電壓輸出 18..VSS..... GND 地線 0V
標(biāo)簽： 320x240 1335 SED LCM
上傳時(shí)間： 2013-12-22
上傳用戶：redmoons
一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》，彩色版。其摘要為：本論文討論使用於無(wú)線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作，初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能，設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類(lèi)比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定，而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測(cè)、結(jié)論。 電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測(cè)編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能，最後完成晶片的實(shí)作。
上傳時(shí)間： 2016-08-27
上傳用戶：tb_6877751
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