半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
標簽: 封裝 IC封裝 制程
上傳時間: 2014-01-20
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針對傳統過壓/欠壓、過頻/欠頻、相位突變、主動頻率偏移孤島檢測方法的不足,提出了一種改進方法。將相位偏移量作為輔助量加入主動移頻孤島檢測方法中,使檢測容性負載的孤島現象具有與感性負載同樣的快速性,并能有效降低主動頻率偏移法對電網電能的影響。該方法實現簡單,檢測快速,仿真結果驗證了其快速性和有效性。
標簽: 相位 偏移 孤島檢測 移頻
上傳時間: 2013-11-09
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下一代蜂窩電話將擁有高質量的照相功能。為了獲得上佳的照相性能,基於閃光燈的照明是至關重要的
標簽: 蜂窩電話 照相機 照明 電路
上傳時間: 2013-12-28
上傳用戶:xuanjie
反激式轉換器通常應用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉換器,多輸出僅增加極少的成本或復雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。
標簽: 反激式控制器 輸出 調節 性能
上傳時間: 2013-11-22
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諸如電信設備、存儲模塊、光學繫統、網絡設備、服務器和基站等許多復雜繫統都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數字 IC,這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作,否則 IC 就會遭到損壞。
標簽: 電源排序 防止
上傳時間: 2014-12-24
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電容降壓的工作原理并不復雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號頻率下產生的容抗來限制最大工作電流。例如,在50Hz的工頻條件下,一個1uF的電容所產生的容抗約為3180歐姆。當220V的交流電壓加在電容器的兩端,則流過電容的最大電流約為70mA。
標簽: 阻容降壓 電路設計
上傳時間: 2014-01-01
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一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
標簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器
上傳時間: 2013-10-18
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級空間。
標簽: TFT-LCD 輸出穩壓器 大型 顯示器
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對於許多電子子繫統而言,比如:VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應用,僅采用一個簡單的降壓或升壓型 DC/DC 轉換器並不能滿足其要求
標簽: DCDC 電阻器 正 設定
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LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓,但可通過采用一個 VCC 穩壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。
標簽: DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器
上傳時間: 2013-11-01
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