PCB 被動組件的隱藏特性解析 傳統上，EMC一直被視為「黑色魔術（black magic）」。其實，EMC是可以藉由數學公式來理解的。不過，縱使有數學分析方法可以利用，但那些數學方程式對實際的EMC電路設計而言，仍然太過復雜了。幸運的是，在大多數的實務工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數學公式和存在于EMC規范中的學理依據，只要藉由簡單的數學模型，就能夠明白要如何達到EMC的要求。本文藉由簡單的數學公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設計的電子產品通過EMC標準時，事先所必須具備的基本知識。導線和PCB走線導線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經常成為射頻能量的最佳發射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會影響導線的阻抗大小，而且對頻率很敏感。依據LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長度，在某組件和PCB走線之間，可以產生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時，導線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時，導線就具有電感的特性。因為變成高頻后，會造成阻抗大小的變化，進而改變導線或PCB 走線與接地之間的EMC 設計，這時必需使用接地面（ground plane）和接地網格（ground grid）。導線和PCB 走線的最主要差別只在于，導線是圓形的，走線是長方形的。導線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時，感抗大于電阻，此時導線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導線或走線應該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
上傳時間： 2013-11-16
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2013-12-15
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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關于PLC控制雙水箱液位的！
上傳時間： 2013-10-08
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發現了C*Core國芯芯片中SCI發送與接受方波特率誤差導致數據不匹配問題，分析了發送與接受方數據傳輸丟幀、誤幀現象出現的根本原因，總結了SCI容限值與芯片主頻及標準波特率之間規律，提出了解決問題的優化方案并通過C*Core C語言編寫程序實現。實驗證明，優化后的SCI初始化程序可確保SCI發送與接收方不受波特率設置值、芯片主頻大小影響，使數據傳輸過程中不丟幀、不誤幀。
上傳時間： 2013-10-09
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隨著總線和接口技術的發展，在工業場合如何更加可靠、快速、便捷地進行數據傳輸成為該領域通信的研究重點之一。而USB技術以其高速、可靠、通用性強等一系列特點在過去的十多年時間里發展迅猛，而USB OTG技術的誕生，使得兩USB設備在沒有PC參與的情況下進行數據傳輸成為可能。本文通過搭建以16位微處理器MSP430F149為核心控制芯片、ISPl362為USB接口芯片的硬件平臺，分別實現了USB部分主機和從機功能，使之能進行USB數據的存儲與交換。本文完成以下工作：首先，認真研究USB協議，深入理解USB通信的基本概念和傳輸方式等內容。仔細分析USB Mass Storage類協議，并討論了采用BULK-ONLY傳輸實現Mass Storage類協議的方法，并對SCSI指令集等進行了深入的剖析。其次，根據要求，設計出由控制、接口、數據存儲、過流保護與供電切換電路等硬件模塊組成的系統，在ALTIUM 2004軟件上完成原理圖的設計和PCB圖的布局、布線，并完成硬件調試工作。再次，在已構建的硬件平臺上，針對ISPl362 USB接口芯片的主／從機功能，分別設計了USB主機和從機的固件程序。利用IAR Workbench、BusHound等軟件進行固件程序的調試，最終USB主機可對u盤進行檢測、識別與配置；USB設備實現了USB設備的基本功能，能夠被Windows XP操作系統識別，與PC機之間實現數據的批量傳輸。最后，用DriverWorks軟件包的Driver Wizard生成驅動程序框架，并利用Windows DDK和vc++等軟件進行驅動程序的編譯，最終生成基于Windows操作系統的WDM型USB設備驅動程序。通過對USB通信協議的研究，本人成功地構建了以MsP430F149和ISPl362為核心的硬件試驗平臺，并在此平臺上進行USB主機、從機通信試驗。經測試表明，PC機能檢測、識別、讀寫USB設備，其讀取與寫入速度分別為560KB／s和312Ⅺ玳。而主機能識別、配置接入的U盤。關鍵詞：USB主機、USB從機、MSI'430F149、ISPl362、BuR-Only傳輸
上傳時間： 2013-10-11
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這是我寫的踩地雷，是java swing的API，有的人或許Title是一樣的，但或內容絕對不一樣。
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上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：xauthu
創世紀的C++ Builder 介紹一些bcb的基礎，對初學者很多錯，html格式，圖文并茂，很容易學
上傳時間： 2013-12-05
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前一陣子和朋友一起參與了一個實際的EJB(Enterprise JavaBean) 應用 系統開發，在其中學習到了許多有用的技術和經驗。雖然目前的市面上已經有許 多討論EJB 技術的書籍和文章，但是似乎尚未有以實際案例做為討論內容。鑒 于目前許多公司和系統都開始采用Java 和EJB 的技術，因此筆者在此野人獻 曝，希望以一個簡化的范例來說明在開發EJB 應用系統時會遭遇到的技術問題 以及一些設計上的取舍。當然對于J2EE 有興趣的讀者也可以依據文章討論的內 容跟隨作者一起開發這個范例EJB 系統。
標簽： Enterprise JavaBean EJB 系統開發
上傳時間： 2015-03-25
上傳用戶：lingzhichao
臺灣工業局半導體學院人才培訓課程 嵌入式系統軟體的教學文檔，內容豐富，有251頁，若能全部看完的人，必能成為強人。
上傳時間： 2014-01-01
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