㆒ 般㆟ 對 C++ templates 的粗淺印象,大約停留在「容器(containers)」的製作㆖ 。稍有研究 則會發(fā)現(xiàn),templates衍生出來的 C++ Generic Programming(泛型編程)技術(shù),在 C++ 標準程 式庫㆗ 已經(jīng)遍㆞ 開花結(jié)果。以 STL為重要骨幹的 C++ 標準程式庫,將 templates 廣泛運用於容 器 (containers) 、演算法 (algorithms) 、仿函式 (functors) 、配接器 (adapters) 、配置器 (allocators) 、 迭代器(iterators)㆖ 頭,無處不在,無役不與,乃至於原有的 class-based iostream都被改寫為 template-based iostream。
上傳時間: 2016-10-28
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幫助系統(tǒng)工程師,設(shè)計者,管理者在電視廣播上可以順利的傳輸類比訊號至數(shù)位訊號之基礎(chǔ)技術(shù)
上傳時間: 2014-01-07
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概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點和優(yōu)勢: 可通過觸摸實現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。 可在有介質(zhì)(如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等)隔離保護的情況下實現(xiàn)觸摸功能,安全性高。 應(yīng)用電壓范圍寬,可在2.4~5.5V之間任意選擇。 應(yīng)用電路簡單,外圍器件少,加工方便,成本低。 抗電源干擾及手機干擾特性好。EFT可以達到±2KV以上;近距離、多角度手機干擾情況下,觸摸響應(yīng)靈敏度及可靠性不受影響。 特性 LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態(tài)由上電前OSC的輸入狀態(tài)決定。OSC管腳接VDD(高電平)上電,上電后LO1與LO2輸出高電平;OSC管腳接GND(低電平)上電,上電后LO1與LO2輸出低電平。 TI1觸摸輸入對應(yīng)LO1邏輯輸出,TI2觸摸輸入對應(yīng)LO2邏輯輸出。 按住TI1或TI2,對應(yīng)LO1或LO2的輸出狀態(tài)翻轉(zhuǎn);松開后回復(fù)初始狀態(tài)。
標簽: 抗電源干擾及手機干擾特性好 可通過觸摸實現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。
上傳時間: 2020-02-25
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標簽: Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間: 2020-06-05
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設(shè)計高速電路必須考慮高速訊 號所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng),所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計電路優(yōu)劣的一項重要指標,電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應(yīng),才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計, 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多,使用上很複雜,必須事先 進修學習,否則無法全盤了解儀器之功能,因而無法有效發(fā)揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規(guī)範也必須熟悉,像眼圖分析,探針 效應(yīng),抖動(jitter)測量規(guī)範及高速串列介面量測規(guī)範等實務(wù)技術(shù),必須充分 了解研究學習,進而才可設(shè)計出優(yōu)良之教學教材及教具。
標簽: 高速電路
上傳時間: 2021-11-02
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射頻識別 (RFID) 是一種自動識別技術(shù),用於識別包含某個編碼標簽的任何物體
上傳時間: 2013-10-29
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光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
上傳時間: 2013-11-21
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
上傳時間: 2014-09-08
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CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
上傳時間: 2013-10-14
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透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。
上傳時間: 2013-11-11
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