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電感

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā) 資料

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:38553903210

  • 使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題,工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • 將行動(dòng)裝置電池續(xù)航力最佳化的十個(gè)秘訣

    隨著可攜式及整合多項(xiàng)功能的電子裝置日益增加,電池運(yùn)行時(shí)間已成為產(chǎn)品差異化與客戶滿意度的關(guān)鍵因素。以下10項(xiàng)技術(shù)概述提供您提升行動(dòng)裝置 (如智慧型手機(jī)、平板電腦、無(wú)線感測(cè)器或胰島素輸液泵) 電池續(xù)航力的必備技巧。

    標(biāo)簽: 行動(dòng)裝置 電池 續(xù)航力

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶:fengweihao158@163.com

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過(guò)增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。

    標(biāo)簽: 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 無(wú)感無(wú)刷直流電機(jī)之電調(diào)設(shè)計(jì)全攻略

    詳細(xì)介紹無(wú)位置傳感器無(wú)刷電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)

    標(biāo)簽: 無(wú)刷直流電機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-12-10

    上傳用戶:dianxin61

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例和開(kāi)關(guān)電源調(diào)試基礎(chǔ)

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:李哈哈哈

  • 280W移相全橋軟開(kāi)關(guān)DC

    移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC/DC變換電路拓?fù)湫问街弧R葡郟WM控制方式利用開(kāi)關(guān)管的結(jié)電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯(lián)電感作為諧振元件,使開(kāi)關(guān)管能進(jìn)行零電壓開(kāi)通和關(guān)斷,從而有效地降低了電路的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲,減少了器件開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾,為變換器提高開(kāi)關(guān)頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質(zhì)量提供了良好的條件。然而,傳統(tǒng)的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復(fù)過(guò)程,會(huì)引起寄生振蕩,二極管上存在很高的尖峰電壓,需增加阻容吸收回路進(jìn)行抑制,文獻(xiàn)提出了兩種帶箝位二極管的拓?fù)洌梢院芎玫匾种萍纳袷帯1疚牟扇∥墨I(xiàn)提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一臺(tái)280 W移相全橋軟開(kāi)關(guān)DC/DC變換器,該變換器輸入電壓為194~310 V,輸出電壓為76V。

    標(biāo)簽: 280W 移相全橋 軟開(kāi)關(guān)

    上傳時(shí)間: 2014-08-30

    上傳用戶:thing20

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