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電感

  • C語言陷阱和缺陷

    這書還沒看過,不知道怎樣。感興趣的可以下載看看。

    標(biāo)簽: C語言 缺陷

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:小鵬

  • 基于FPGA的SDRAM設(shè)計(jì)

    原版的外文書,基于FPGA的SDRAM設(shè)計(jì),相信大家都會(huì)感興趣!

    標(biāo)簽: SDRAM FPGA

    上傳時(shí)間: 2013-08-19

    上傳用戶:heart_2007

  • FPGA實(shí)現(xiàn)SPI的內(nèi)核驅(qū)動(dòng)

    FPGA實(shí)現(xiàn)SPI的內(nèi)核驅(qū)動(dòng) 相信感興趣的朋友一定會(huì)喜歡

    標(biāo)簽: FPGA SPI 內(nèi)核 驅(qū)動(dòng)

    上傳時(shí)間: 2013-08-24

    上傳用戶:hehuaiyu

  • dsp下載器cpld程序

    dsp下載器cpld程序\r\n感興趣的朋友可以下來

    標(biāo)簽: cpld dsp 下載器 程序

    上傳時(shí)間: 2013-09-02

    上傳用戶:tedo811

  • protel畢業(yè)設(shè)計(jì)電路圖

    protel畢業(yè)設(shè)計(jì)電路圖,是自動(dòng)化專業(yè)的,感興趣的可以看看

    標(biāo)簽: protel 畢業(yè)設(shè)計(jì) 電路圖

    上傳時(shí)間: 2013-09-11

    上傳用戶:bhqrd30

  • 工業(yè)監(jiān)控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

    14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC,具有 6 個(gè)同時(shí)采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源,並具有 6 個(gè)獨(dú)立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個(gè) ADC。

    標(biāo)簽: SAR ADC 工業(yè)監(jiān)控 便攜式

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:dbs012280

  • 10Gbits GPON系統(tǒng)的完整,緊湊型APD偏置解決方案

    雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統(tǒng)中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個(gè)信號調(diào)理放大器,但並不是完全獨(dú)立。它仍舊需要重要的支持電路,包括一個(gè)高電壓、低噪聲電源和一個(gè)用於指示信號強(qiáng)度的精準(zhǔn)電流監(jiān)視器

    標(biāo)簽: Gbits GPON APD 10

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:zhangyigenius

  • 數(shù)位與類比PC TV Dongle的設(shè)計(jì)

    Dongle泛指任何能插到電腦上的小型硬體,PC TV dongle則是用來在PC上觀看電視節(jié)目所用的擴(kuò)充裝置。一般來說,依照採用的電視訊號規(guī)格,PC TV dongle可區(qū)分成兩大類:若使用的訊源為數(shù)位訊號,則屬於數(shù)位PC TV dongle;若使用的是類比訊號,則屬於類比PC TV dongle。全球各地皆有不同的採納階段,且推行的廣播標(biāo)準(zhǔn)也不盡相同。

    標(biāo)簽: Dongle TV 數(shù)位

    上傳時(shí)間: 2013-12-12

    上傳用戶:lifangyuan12

  • 微電腦型數(shù)學(xué)演算式隔離傳送器

    特點(diǎn): 精確度0.1%滿刻度 可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(input/output/power) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高

    標(biāo)簽: 微電腦 數(shù)學(xué)演算 隔離傳送器

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶:ydd3625

  • COOLMOS_原理結(jié)構(gòu)

    看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來,與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下: 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢?

    標(biāo)簽: COOLMOS

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

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