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電扇

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時至今日,以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標(biāo)簽: PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時間: 2013-11-06

    上傳用戶:xmsmh

  • 降壓型同步控制器可采用低至2.2V的工作輸入電源

    許多電信和計算應(yīng)用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇,該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出,並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。

    標(biāo)簽: 2.2 降壓型 同步控制器 輸入

    上傳時間: 2013-12-30

    上傳用戶:arnold

  • 雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過并聯(lián)來提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。

    標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:頂?shù)弥?/p>

  • 對于電源故障保護(hù)應(yīng)用,超級電容器能夠替代后備電池

    在越來越多的短時間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中,超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一,在該電路中,如果主電源發(fā)生短時間故障,則接入一個後備電源,用於給負(fù)載供電

    標(biāo)簽: 電源故障保護(hù) 后備電池 超級電容器

    上傳時間: 2014-01-08

    上傳用戶:lansedeyuntkn

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 開關(guān)電源設(shè)計與開發(fā)

    開關(guān)電源設(shè)計與開發(fā) 資料

    標(biāo)簽: 開關(guān)電源設(shè)計

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:38553903210

  • 使用簡易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗x擇比較低價的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

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