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電梯

具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

時至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

標(biāo)簽： PoE 集成反激式控制器 PD接口

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：xmsmh
降壓型同步控制器可采用低至2.2V的工作輸入電源

許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。

標(biāo)簽： 2.2 降壓型同步控制器輸入

上傳時間： 2013-12-30

上傳用戶：arnold
雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過并聯(lián)來提供16A電流

LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi)，因此只需少量的外部元件。

標(biāo)簽： uModule DCDC 16A 雙通道

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：頂?shù)弥?/p>
對于電源故障保護(hù)應(yīng)用，超級電容器能夠替代后備電池

在越來越多的短時間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負(fù)載供電

標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池超級電容器

上傳時間： 2014-01-08

上傳用戶：lansedeyuntkn
四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器功率散熱器

上傳時間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā)

開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料

標(biāo)簽： 開關(guān)電源設(shè)計(jì)

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：38553903210
使用簡易閂鎖電路保護(hù)電源

設(shè)計(jì)時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

標(biāo)簽： 閂鎖電路保護(hù)電源

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：zq70996813
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗x擇比較低價的獨(dú)立元件。

標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006