本文敘述了研制的應(yīng)用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構(gòu)成和關(guān)鍵部分的設(shè)計(jì)，包括功率合成網(wǎng)絡(luò)、微帶．波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)；功率合成電路的設(shè)計(jì)，特別是波導(dǎo)魔T的優(yōu)化設(shè)計(jì)。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為：中心頻率14．25GHz，帶寬500MHz，P．1dB輸出功率30W，大信號(hào)增益45dB，帶內(nèi)波動(dòng)小于5dB。
標(biāo)簽： 30W Ku波段 固態(tài)功率 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：robter
本課題主要研究對(duì)象為數(shù)字預(yù)失真技術(shù)中的功放模型的建立及數(shù)字預(yù)失真算法的研究。功放的數(shù)學(xué)模型主要分為無記憶模型和記憶模型，分析了不同模型的參數(shù)估計(jì)的方法。針對(duì)以往常見的模型反轉(zhuǎn)數(shù)字預(yù)失真算法，課題分析并使用了新穎的間接學(xué)習(xí)(indirect learning)數(shù)字預(yù)失真算法，從而有效避免了無法對(duì)功放模型進(jìn)行求逆的缺陷，并在此架構(gòu)下仿真了不同功放模型的參數(shù)估計(jì)對(duì)于數(shù)字預(yù)失真效果的影響。針對(duì)WCDMA移動(dòng)通信基站系統(tǒng)中使用的寬帶功率放大器，使用ADS和MATLAB軟件聯(lián)合仿真的形式來評(píng)估整個(gè)DPD系統(tǒng)的性能并使用實(shí)際功放進(jìn)行了測(cè)試。
標(biāo)簽： 寬帶 射頻功率放大器 數(shù)字預(yù)失真 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：問題問題
首先把功率管的小信號(hào)S參數(shù)制成S2P文件,然后將其導(dǎo)入ADS軟件中,在ADS中搭建功率管的輸入輸出端口匹配電路,按照最大增益目標(biāo)對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行優(yōu)化,最后完成電路的設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： 小信號(hào) S參數(shù) 功率 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：zhangfx728
采用微波仿真軟件AWR對(duì)電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化和仿真,結(jié)果顯示,在5～12 GHz頻帶內(nèi),復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)的輸出阻抗值更穩(wěn)定,帶寬得到有效擴(kuò)展,最高增益達(dá)到11 dB,帶內(nèi)波動(dòng)<0.5 dB,在9 GHz工作頻率時(shí),其1 dB壓縮點(diǎn)處的輸出功率為26 dBm。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：marten
在本課題中，兼顧了效率及線性度，采用自適應(yīng)預(yù)失真前饋復(fù)合線性化系統(tǒng)來改善高功率放大器的線性度。由于加入自適應(yīng)控制模塊，射頻電路不受溫度、時(shí)漂、輸入功率等的影響，可始終處于較佳工作狀態(tài)，這使得整個(gè)放大系統(tǒng)更為實(shí)用，也更具有拓展價(jià)值。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：xauthu
設(shè)計(jì)了水聲信號(hào)發(fā)生系統(tǒng)中的功率放大電路，可將前級(jí)電路產(chǎn)生的方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦信號(hào)，同時(shí)進(jìn)行濾波、功率放大，使其滿足換能器對(duì)輸入信號(hào)的要求。該電路以單片機(jī)AT89C52，集成6階巴特沃思低通濾波芯片MF6以及大功率運(yùn)算放大器LM12為核心，通過標(biāo)準(zhǔn)RS232接口與PC進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)信號(hào)增益的程控調(diào)節(jié)，對(duì)干擾信號(hào)具有良好的抑制作用。經(jīng)調(diào)試該電路工作穩(wěn)定正常，輸出波形無失真，在輸出功率以及放大增益、波紋系數(shù)等方面均滿足設(shè)計(jì)要求。 This paper presented a design and implementation of underwater acoustic power amplifer. This circuit converted the rectangle signal generated by frontend circuit into the sine signal， then filtered and power amplification， it meets the requirements of the transducer.Included AT89C52， 6th order Butterworth filter MF6， hipower amplififier LM12.Communication with PC through the RS232 port. The signal gain is adjustable and could be remote controlled. It has a good inhibitory effect on the interference signal. After debugged， this circuit works stable， the output waveform has no distortion， it meets the design requirement in outprt power， amplifier gain and ripple factor.
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：qwe1234
利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：waitingfy
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對(duì)功率MOSFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級(jí)聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設(shè)計(jì)出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計(jì)參數(shù)方程，并通過HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測(cè)量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時(shí)達(dá)到20 dB。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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