Arria V系列 FPGA芯片基本描述 (1)28nm FPGA,在成本、功耗和性能上達(dá)到均衡; (2)包括低功耗6G和10G串行收發(fā)器; (3)總功耗比6G Arria II FPGA低40%; (4)豐富的硬核IP模塊,提高了集成度 (5)目前市場(chǎng)上支持10.3125Gbps收發(fā)器技術(shù)、功耗最低的中端FPGA。
上傳時(shí)間: 2013-10-21
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“地”通常被定義為一個(gè)等位點(diǎn),用來作為兩個(gè)或更多系統(tǒng)的參考電平。信號(hào)地的較好定義是一個(gè)低阻抗的路徑,信號(hào)電流經(jīng)此路徑返回其源。我們主要關(guān)心的是電流,而不是電壓。在電路中具有有限阻抗的兩點(diǎn)之間存在電壓差,電流就產(chǎn)生了。在接地結(jié)構(gòu)中的電流路徑?jīng)Q定了電路之間的電磁耦合。因?yàn)殚]環(huán)回路的存在,電流在閉環(huán)中流動(dòng),所以產(chǎn)生了磁場(chǎng)。閉環(huán)區(qū)域的大小決定著磁場(chǎng)的輻射頻率,電流的大小決定著噪聲的幅度。在實(shí)施接地方法時(shí)存在兩類基本方法:?jiǎn)吸c(diǎn)接地技術(shù)和多點(diǎn)接地技術(shù)。在每套方案中,又可能采用混合式的方法。針對(duì)某一個(gè)特殊的應(yīng)用,如何選擇最好的信號(hào)接地方法取決于設(shè)計(jì)方案。只要設(shè)計(jì)者依據(jù)電流流量和返回路徑的概念,就可以以同時(shí)采用幾種不同的方法綜合加以考慮
上傳時(shí)間: 2013-11-14
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設(shè)計(jì)流程 在pcb的設(shè)計(jì)中,其實(shí)在正式布線前,還要經(jīng)過很漫長(zhǎng)的步驟,以下就是主要設(shè)計(jì)的流程: 系統(tǒng)規(guī)格 首先要先規(guī)劃出該電子設(shè)備的各項(xiàng)系統(tǒng)規(guī)格。包含了系統(tǒng)功能,成本限制,大小,運(yùn)作情形等等。 系統(tǒng)功能區(qū)塊圖 接下來必須要制作出系統(tǒng)的功能方塊圖。方塊間的關(guān)系也必須要標(biāo)示出來。 將系統(tǒng)分割幾個(gè)pcb 將系統(tǒng)分割數(shù)個(gè)pcb的話,不僅在尺寸上可以縮小,也可以讓系統(tǒng)具有升級(jí)與交換零件的能力。系統(tǒng)功能方塊圖就提供了我們分割的依據(jù)。像是計(jì) 算機(jī)就可以分成主機(jī)板、顯示卡、聲卡、軟盤驅(qū)動(dòng)器和電源等等。 決定使用封裝方法,和各pcb的大小
標(biāo)簽: PCB
上傳時(shí)間: 2013-11-15
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第一步,拿到一塊PCB,首先在紙上記錄好所有元?dú)饧男吞?hào),參數(shù),以及位置,尤其是二極管,三機(jī)管的方向,IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機(jī)拍兩張?jiān)獨(dú)饧恢玫恼掌5诙剑鸬羲衅骷⑶覍AD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈,然后放入掃描儀內(nèi),啟動(dòng)POHTOSHOP,用彩色方式將絲印面掃入,并打印出來備用。第三步,用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨,打磨到銅膜發(fā)亮,放入掃描儀,啟動(dòng)PHOTOSHOP,用彩色方式將兩層分別掃入。注意,PCB在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平樹直,否則掃描的圖象就無法使用。第四步,調(diào)整畫布的對(duì)比度,明暗度,使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對(duì)比強(qiáng)烈,然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色,檢查線條是否清晰,如果不清晰,則重復(fù)本步驟。如果清晰,將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步,將兩個(gè)BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件,在PROTEL中調(diào)入兩層,如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合,表明前幾個(gè)步驟做的很好,如果有偏差,則重復(fù)第三步。第六,將TOP。BMP轉(zhuǎn)化為TOP。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在TOP層描線就是了,并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步,將BOT。BMP轉(zhuǎn)化為BOT。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步,在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調(diào)入,合為一個(gè)圖就OK了。第九步,用激光打印機(jī)將TOP LAYER, BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上(1:1的比例),把膠片放到那塊PCB上,比較一下是否有誤,如果沒錯(cuò),你就大功告成了。
上傳時(shí)間: 2013-11-24
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LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間: 2013-10-29
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間: 2013-11-04
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在某系統(tǒng)碼相關(guān)測(cè)距中,每一個(gè)飛機(jī)的詢問信號(hào)都可能會(huì)成為其他飛機(jī)的干擾。在有限的可用功率下,就需要一個(gè)可靠和高效的功率控制策略。納什博弈(非合作博弈)理論是適合于功率控制問題的一種理論,是飛機(jī)在信噪比和功率利用之間選擇一種均衡。文獻(xiàn)[1]研究了這個(gè)問題的納什博弈論策略,得到了一個(gè)非線性系統(tǒng)代數(shù)方程,并提出了一種定點(diǎn)迭代的功率控制算法。文中研究了一種新的基于牛頓迭代的功率控制策略來解決此類代數(shù)方程。仿真結(jié)果說明了牛頓迭代算法的效率明顯提高。
上傳時(shí)間: 2013-10-13
上傳用戶:AISINI005
電氣人員應(yīng)該具備的最基本知識(shí)
上傳時(shí)間: 2013-10-29
上傳用戶:jkhjkh1982
微電腦型RS-485顯示電表(24*48mm/48*96mm) 特點(diǎn): 5位數(shù)RS-485顯示電表 顯示范圍-19999-99999位數(shù) 通訊協(xié)議Modbus RTU模式 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 主要規(guī)格: 顯示范圍:-19999~99999 digit RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485通訊協(xié)議: Modbus RTU mode 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4") (MMX-RS-11X) Red high efficiency LEDs high 20.32 mm (0.8") (MMX-RS-12X) Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4")x2 (MMX-RS-22X) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/power) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間: 2015-01-03
上傳用戶:feitian920
微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng)) 特點(diǎn): 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間: 2015-01-03
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