半導體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動器，具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍，並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上傳時間： 2013-11-09
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許多電信和計算應(yīng)用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負載點調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
上傳時間： 2013-12-30
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在電源設(shè)計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因為閘極驅(qū)動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
上傳時間： 2013-11-19
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
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特點(FEATURES) 精確度0.1%滿刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式數(shù)學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 類比輸出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 輸入/輸出1/輸出2絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,穩(wěn)定性高(Dimension small and High stability)
上傳時間： 2013-11-24
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#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
上傳時間： 2013-10-21
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引言 在數(shù)字信息傳輸中，基帶數(shù)字信號通常要經(jīng)過調(diào)制器調(diào)制，將頻率搬移到適合信息傳輸?shù)念l段上。2FSK就是用數(shù)字信號去調(diào)制載波的頻率（移頻鍵控），由于它具有方法簡單、易于實現(xiàn)、抗噪聲和抗衰落性能較強等優(yōu)點，因此在現(xiàn)代數(shù)字通信系統(tǒng)的低、中速數(shù)據(jù)傳輸中得到了廣泛應(yīng)用。 直接數(shù)字頻率合成技術(shù)(DDS)將先進的數(shù)字處理技術(shù)與方法引入信號合成領(lǐng)域。DDS器件采用高速數(shù)字電路和高速D/A轉(zhuǎn)換技術(shù)，具備頻率轉(zhuǎn)換時間短、頻率分辨率高、頻率穩(wěn)定度高、輸出信號頻率和相位可快速程控切換等優(yōu)點，可以實現(xiàn)對信號的全數(shù)字式調(diào)制。
上傳時間： 2014-12-27
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摘要: 串行傳輸技術(shù)具有更高的傳輸速率和更低的設(shè)計成本, 已成為業(yè)界首選, 被廣泛應(yīng)用于高速通信領(lǐng)域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設(shè)計方案, 改進了Aurora 協(xié)議數(shù)據(jù)幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發(fā)器Rocket I/O, 實現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關(guān)鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協(xié)議 為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術(shù)更好地結(jié)合以滿足市場需求, Xilinx 公司適時推出了內(nèi)嵌高速串行收發(fā)器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級的小型鏈路層協(xié)議———Aurora 協(xié)議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時鐘生成及恢復等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數(shù)據(jù)傳輸。Aurora 協(xié)議是為專有上層協(xié)議或行業(yè)標準的上層協(xié)議提供透明接口的第一款串行互連協(xié)議, 可用于高速線性通路之間的點到點串行數(shù)據(jù)傳輸, 同時其可擴展的帶寬, 為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協(xié)議幀格式的定義存在弊端,會導致系統(tǒng)資源的浪費。本文提出的設(shè)計方案可以改進Aurora 協(xié)議的固有缺陷,提高系統(tǒng)性能, 實現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-11-06
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特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃 具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內(nèi)或范圍外檢測可任意設(shè)定 報警繼電器復歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-02
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