射頻功率放大器在雷達(dá)、無(wú)線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無(wú)線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長(zhǎng)等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見(jiàn)工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無(wú)線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí)，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程，對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比，并通過(guò)各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行了詳盡的分析。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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電源是電子設(shè)備的重要組成部分，其性能的優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備的種類(lèi)越來(lái)越多，其對(duì)電源的要求也更加靈活多樣，因此如何很好的解決系統(tǒng)的電源問(wèn)題已經(jīng)成為了系統(tǒng)成敗的關(guān)鍵因素。 本論文研究選取了BICMOS工藝，具有功耗低、集成度高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)電流模式的PWM控制原理，研究設(shè)計(jì)了一款基于BICMOS工藝的雙相DC-DC電源管理芯片。本電源管理芯片自動(dòng)控制兩路單獨(dú)的轉(zhuǎn)換器工作，兩相結(jié)構(gòu)能提供大的輸出電流，但是在開(kāi)關(guān)上的功耗卻很低。芯片能夠精確的調(diào)整CPU核心電壓，對(duì)稱(chēng)不同通道之間的電流。本電源管理芯片單獨(dú)檢測(cè)每一通道上的電流，以精確的獲得每個(gè)通道上的電流信息，從而更好的進(jìn)行電流對(duì)稱(chēng)以及電路的保護(hù)。 文中對(duì)該DC-DC電源管理芯片的主要功能模塊，如振蕩器電路、鋸齒波發(fā)生電路、比較器電路、平均電流電路、電流檢測(cè)電路等進(jìn)行了設(shè)計(jì)并給出了仿真驗(yàn)證結(jié)果。該芯片只需外接少數(shù)元件就可構(gòu)成一個(gè)高性能的雙相DC-DC開(kāi)關(guān)電源，可廣泛應(yīng)用于CPU供電系統(tǒng)等。 通過(guò)應(yīng)用Hspice軟件對(duì)該變換器芯片的主要模塊電路進(jìn)行仿真，驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方案和理論分析的可行性和正確性，同時(shí)在芯片模塊電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用0.8μmBICMOS工藝設(shè)計(jì)規(guī)則完成了芯片主要模塊的版圖繪制，編寫(xiě)了DRC、LVS文件并驗(yàn)證了版圖的正確性。所設(shè)計(jì)的基于BICMOS工藝的DC-DC電源管理芯片的均流控制電路達(dá)到了預(yù)期的要求。
上傳時(shí)間： 2013-06-06
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恒流驅(qū)動(dòng)芯片介紹
標(biāo)簽： LED 恒流驅(qū)動(dòng) 芯片介紹
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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LED燈的恒流驅(qū)動(dòng)芯片介紹，電路介紹詳解
標(biāo)簽： LED 恒流驅(qū)動(dòng) 芯片介紹
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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大功率LED燈的恒流驅(qū)動(dòng)芯片介紹，電路詳細(xì)講解
標(biāo)簽： LED 恒流驅(qū)動(dòng) 芯片介紹
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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DM11C 是專(zhuān)為L(zhǎng)ED 顯示應(yīng)用所設(shè)計(jì)的沈入電流式恒流驅(qū)動(dòng)芯片。內(nèi)建移位緩存器，數(shù)據(jù)鎖存器，以及恒流電路組件于硅CMOS 芯片上。8 個(gè)輸出通道的電流可由一外掛電阻調(diào)整。內(nèi)建開(kāi)/短路偵測(cè)電路組件幫助使用者偵測(cè)LED 異常(開(kāi)路與短路)。系統(tǒng)可藉由讀回串行輸出端的偵測(cè)數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)以判定哪一通道發(fā)生異常。過(guò)溫?cái)嚯姽δ軇t可保護(hù)芯片避免在高溫環(huán)境使用下而毀損
標(biāo)簽： LED 8位 恒流驅(qū)動(dòng)芯片 錯(cuò)誤
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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DM634 16通道LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片可編程PWM輸出
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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簡(jiǎn)單的串列埠自我測(cè)試持式 測(cè)試硬體電路是否正確
標(biāo)簽： 正
上傳時(shí)間： 2015-04-25
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可涓流充電的串行實(shí)時(shí)鐘芯片DS1302及應(yīng)用設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2015-08-27
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