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電測技術

演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據

演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據，經過電腦程序的有限次運算，能夠得出所要求或期望的終止狀態或輸出數據。本書介紹電腦科學中重要的演算法及其分析與設計技術

標簽： 算法

上傳時間： 2017-06-09

上傳用戶：wys0120
高速電路設計詳細基礎理論知識

設計高速電路必須考慮高速訊號所引發的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應，所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設計電路優劣的一項重要指標，電路日異複雜必須仰賴可靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應，才比較可能獲得高品質且可靠的設計，因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發之各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先進修學習，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發揮儀器的量測功能。其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規範也必須熟悉，像眼圖分析，探針效應，抖動(jitter)測量規範及高速串列介面量測規範等實務技術，必須充分了解研究學習，進而才可設計出優良之教學教材及教具。

標簽： 高速電路

上傳時間： 2021-11-02

上傳用戶：jiabin
電路板維修相關技術資料

電路板故障分析維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術沒有線路圖,無從修起電路板太複雜,維修困難維修經驗及技術不足無法維修的死板,廢棄可惜送電中作動態維修,危險性極高備份板太多,積壓資金送國外維修費用高,維修時間長對老化零件無從查起無法預先更換維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰

標簽： 電路板維修技術資料

上傳時間： 2013-10-26

上傳用戶：neu_liyan
了解軟體設計RF儀器的優點

本技術文章將介紹如何運用 NI LabVIEW FPGA 來設計並客製化個人的 RF 儀器，同時探索軟體設計儀器可為測試系統所提供的優勢。

標簽： 軟體 RF儀器

上傳時間： 2013-11-24

上傳用戶：toyoad
ICT知識簡介

全面介紹ICT測試技術

標簽： ICT

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：lchjng
ICT知識簡介

全面介紹ICT測試技術

標簽： ICT

上傳時間： 2013-11-07

上傳用戶：xfbs821
電路板維修相關技術資料

電路板故障分析維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術沒有線路圖,無從修起電路板太複雜,維修困難維修經驗及技術不足無法維修的死板,廢棄可惜送電中作動態維修,危險性極高備份板太多,積壓資金送國外維修費用高,維修時間長對老化零件無從查起無法預先更換維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰

標簽： 電路板維修技術資料

上傳時間： 2013-11-09

上傳用戶：chengxin
Programming the Microsoft Windows driver model繁中版透過Windows驅動程式的權威們專業的協助

Programming the Microsoft Windows driver model繁中版透過Windows驅動程式的權威們專業的協助，學習如何使用簡易的方式來撰寫Windows驅動程式。 Microsoft WDM支援隨插即用（PnP）功能，提供了電源管理能力，並詳述撰寫驅動程式/迷你驅動程式的方法。這本由長時間接觸裝置驅動程式的專家Walter Oney 與Windows核心小組共同合作的書提供了大量很實用的例子、圖表、建議，並一行一行分析範例的程式碼，好讓您能夠清楚了解實際上在撰寫驅動程式時所會發生的問題。另外亦更新了Windows XP及Windows 2000的最新驅動程式技術，又告訴您如何除錯。

標簽： Windows Programming Microsoft driver

上傳時間： 2014-01-19

上傳用戶：cjl42111
幫助系統工程師

幫助系統工程師，設計者，管理者在電視廣播上可以順利的傳輸類比訊號至數位訊號之基礎技術

標簽： 系統工程

上傳時間： 2014-01-07

上傳用戶：lht618
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

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