PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結(jié)出一些個人的學(xué)習(xí)筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉(zhuǎn)的荷負(fù)電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當(dāng)電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細(xì)的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴(kuò)大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個多世紀(jì)，但是有很多缺點(diǎn)，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進(jìn)展消除了真空管的缺點(diǎn)，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導(dǎo)體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結(jié)組合成一個器件，導(dǎo)致了之！
上傳時間： 2022-02-06
上傳用戶：
該文檔為音頻功率放大電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告材料講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時間： 2022-02-08
上傳用戶：kent
紅外光學(xué)材料 余懷之-1
標(biāo)簽： 光學(xué)材料
上傳時間： 2022-03-08
上傳用戶：zhanglei193
新型光學(xué)材料
標(biāo)簽： 光學(xué)材料
上傳時間： 2022-03-08
上傳用戶：ttalli
光學(xué)材料手冊
標(biāo)簽： 光學(xué)材料
上傳時間： 2022-03-08
上傳用戶：
結(jié)構(gòu)體的具體尺寸如下所示：a=1.20h=0.620其中介質(zhì)錐的介電常數(shù)E=2.0。選定工作頻率為f=15GHz相對應(yīng)的真空中的波長為0=20mm，這樣結(jié)構(gòu)體的兒何尺寸己經(jīng)完全確定，下面介紹求解的全過程選定求解方式為（Solution Type）Driven modal1.建立所求結(jié)構(gòu)體的幾何模型（單位：mm）。由于此結(jié)構(gòu)體的幾何形狀較簡單，使用工具欄中的Draw命令可直接畫出，這里不再贅述述。畫出的結(jié)構(gòu)體如圖4.1.2所示。2.充結(jié)構(gòu)體的材料選定結(jié)構(gòu)體中的錐體部分，添加其介電常數(shù)Er=20的介質(zhì)材料注：如果HSS中沒有提供與所需參數(shù)完全相同的材料，用戶可以通過新建材料或修改已有材料，使其參數(shù)滿足用戶需求設(shè)定結(jié)構(gòu)體的邊界條件及其激勵源a.選定結(jié)構(gòu)體的貼片部分，設(shè)定其為理想導(dǎo)體（PerE）。b.畫出尺寸為X×Y×Z=70mm×70mm×40mm的長方體作為輻射邊界，并設(shè)定其邊界條件為輻射邊界條件（Radiation Boundary）。c.由于要求出結(jié)構(gòu)體的RCS，因此設(shè)定激勵源為平面入射波（Incident Wave Source）。如圖4.1.3所示。4.設(shè)定求解細(xì)節(jié)，檢驗(yàn)并求解a.設(shè)定求解過程的工作頻率為f=15GHz.其余細(xì)節(jié)設(shè)定如圖4.1.4所示。b.設(shè)定遠(yuǎn)區(qū)輻射場的求解（Far Field Radiation Sphere欄的設(shè)定）。c.使用 Validation check命令進(jìn)行檢驗(yàn)，無錯誤發(fā)生，下一步運(yùn)行命令 Analyze，對柱錐結(jié)構(gòu)體進(jìn)行求解。如圖4.1.5和4.1.6所示。
上傳時間： 2022-03-10
上傳用戶：
機(jī)械設(shè)計(jì)、原理、 制造、自材料、理論視頻教程課程26：CAPP開發(fā)應(yīng)用技術(shù)25講.rar - 879.03MB課程25：傳感器與測試技術(shù)39講.rar - 1.71GB課程24：電工技術(shù)54講.rar - 2.04GB課程23：電機(jī)學(xué)視頻73講.rar - 1.39GB課程22：電子技術(shù)64講.rar - 2.10GB課程21：工業(yè)工程導(dǎo)論40講.rar - 1.60GB課程20：公差與技術(shù)測量19講.rar - 1.37GB課程19：機(jī)床概論26講.rar - 961.03MB......
標(biāo)簽： 機(jī)械設(shè)計(jì)
上傳時間： 2022-05-09
上傳用戶：wangshoupeng199
安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內(nèi)溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內(nèi)。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經(jīng)緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規(guī)格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內(nèi)。編碼器輸入綜20公尺以內(nèi)。配象時請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀(jì)緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯溪勤作，請?zhí)较铝械耐茫赫堅(jiān)陔娫瓷霞尤虢?jīng)緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊(yùn)雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內(nèi)。
標(biāo)簽： tsda
上傳時間： 2022-05-28
上傳用戶：zhanglei193
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個方面對氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率?；诩す鈩冸x襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時間： 2022-06-25
上傳用戶：
本書是單輝祖主編的第2版教材，可作為高等工業(yè)院校的材料力學(xué)課程教材。
標(biāo)簽： 材料力學(xué)
上傳時間： 2022-07-04
上傳用戶：
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
