半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù)，對(duì)樣品形狀沒(méi)有要求， 且不需要測(cè)量樣品所有尺寸， 但需滿(mǎn)足以下四個(gè)條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個(gè)觸點(diǎn)必須位于樣品的邊緣。
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半導(dǎo)體
gan
sic
上傳時(shí)間：
2022-01-03
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