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電荷放大器

基于鎖相放大器的試驗(yàn)機(jī)采集系統(tǒng)

基于STM32、STM8處理器，設(shè)計(jì)完成了萬能試驗(yàn)機(jī)的多個(gè)功能模塊。為了提高小信號(hào)的采集精度與速度，用多處理器設(shè)計(jì)了一種混合式的鎖相放大器，并運(yùn)用數(shù)字處理進(jìn)行進(jìn)一步處理，具有很高的性價(jià)比。在位移信號(hào)采集中，運(yùn)用STM8S實(shí)現(xiàn)了低成本的設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)表明，本系統(tǒng)在速度與精度上滿足萬能試驗(yàn)機(jī)要求，總體性價(jià)比高。

標(biāo)簽： 鎖相放大器試驗(yàn)機(jī) 采集系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-12-26

上傳用戶：lili123
傳輸線變壓器在射頻功率放大器中的應(yīng)用

介紹由傳輸線變壓器(又稱為魔T 混合網(wǎng)絡(luò)) 構(gòu)成功率合成和功率分配的工作原理以及在射頻大功率放大器中的應(yīng)用。

標(biāo)簽： 傳輸線變壓器中的應(yīng)用射頻功率放大器

上傳時(shí)間： 2014-08-15

上傳用戶：ghostparker
Ku波段30W固態(tài)功率放大器

本文敘述了研制的應(yīng)用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構(gòu)成和關(guān)鍵部分的設(shè)計(jì)，包括功率合成網(wǎng)絡(luò)、微帶．波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)；功率合成電路的設(shè)計(jì)，特別是波導(dǎo)魔T的優(yōu)化設(shè)計(jì)。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為：中心頻率14．25GHz，帶寬500MHz，P．1dB輸出功率30W，大信號(hào)增益45dB，帶內(nèi)波動(dòng)小于5dB。

標(biāo)簽： 30W Ku波段固態(tài)功率放大器

上傳時(shí)間： 2013-11-22

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雙極運(yùn)算放大器的輻射效應(yīng)和退火特性

　本文介紹了O P207 雙極運(yùn)算放大器的60CoC射線、不同能量電子和質(zhì)子的輻照試驗(yàn)以及60CoC和電子輻射損傷在室溫和100℃高溫條件下的退火效應(yīng), 揭示了雙極運(yùn)算放大器電參數(shù)對(duì)不同射線的輻照響應(yīng)規(guī)律; 研究了不同輻射源對(duì)雙極運(yùn)算放大器的不同輻射損傷機(jī)理; 并對(duì)質(zhì)子輻照損傷程度與能量的依賴關(guān)系以及質(zhì)子輻照損傷同60CoC和電子輻照損傷的差異進(jìn)了探討. 結(jié)果表明, 界面態(tài)的產(chǎn)生是60CoC和電子輻照損傷的主要原因, 而位移效應(yīng)造成的體損傷在質(zhì)子輻照效應(yīng)中占有重要地位.

標(biāo)簽： 雙極運(yùn)算放大器輻射效應(yīng)

上傳時(shí)間： 2013-11-12

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快響應(yīng)低漂移微電流放大器的設(shè)計(jì)

介紹了基于AD549高精度快響應(yīng)低漂移微電流放大器的工作原理、電路設(shè)計(jì)和制造工藝、詞試技術(shù)，該微電流放大器是核反應(yīng)堆反應(yīng)性測(cè)量的關(guān)鍵部件之一，其低噪聲、快響應(yīng)與低漂移技術(shù)是精確測(cè)量反應(yīng)性重要因數(shù)之一。

標(biāo)簽： 低漂移微電流放大器

上傳時(shí)間： 2013-10-25

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寬帶射頻功率放大器的數(shù)字預(yù)失真技術(shù)研究

本課題主要研究對(duì)象為數(shù)字預(yù)失真技術(shù)中的功放模型的建立及數(shù)字預(yù)失真算法的研究。功放的數(shù)學(xué)模型主要分為無記憶模型和記憶模型，分析了不同模型的參數(shù)估計(jì)的方法。針對(duì)以往常見的模型反轉(zhuǎn)數(shù)字預(yù)失真算法，課題分析并使用了新穎的間接學(xué)習(xí)(indirect learning)數(shù)字預(yù)失真算法，從而有效避免了無法對(duì)功放模型進(jìn)行求逆的缺陷，并在此架構(gòu)下仿真了不同功放模型的參數(shù)估計(jì)對(duì)于數(shù)字預(yù)失真效果的影響。針對(duì)WCDMA移動(dòng)通信基站系統(tǒng)中使用的寬帶功率放大器，使用ADS和MATLAB軟件聯(lián)合仿真的形式來評(píng)估整個(gè)DPD系統(tǒng)的性能并使用實(shí)際功放進(jìn)行了測(cè)試。

標(biāo)簽： 寬帶射頻功率放大器數(shù)字預(yù)失真技術(shù)研究

上傳時(shí)間： 2013-10-12

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用于硅半導(dǎo)體探測(cè)器的電荷靈敏放大器的研制

氛及其子體的能譜測(cè)量中常用到鈍化離子注人硅探測(cè)器或金硅面壘探測(cè)器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導(dǎo)體探測(cè)器的電荷靈敏放大器的實(shí)例，它由電荷靈敏級(jí)和電壓放大級(jí)構(gòu)成。給出了它的設(shè)計(jì)思想和調(diào)試過程。介紹了測(cè)試手段并測(cè)試了它的技術(shù)指標(biāo)，說明了應(yīng)用場(chǎng)合。

標(biāo)簽： 硅半導(dǎo)體探測(cè)器電荷靈敏放大器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

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高增益跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

運(yùn)算放大器作為模擬集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，同時(shí)作為DAC校準(zhǔn)電路的一部分，本次設(shè)計(jì)一個(gè)高增益全差分跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器。

標(biāo)簽： 增益運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：dvfeng
高增益K波段MMIC低噪聲放大器

基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計(jì)中采用了三級(jí)級(jí)聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級(jí)源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級(jí)電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個(gè)放大器都有較高的動(dòng)態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．

標(biāo)簽： MMIC 增益低噪聲放大器波段

上傳時(shí)間： 2014-12-23

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理想的電壓反饋型(VFB)運(yùn)算放大器

運(yùn)算放大器是線性設(shè)計(jì)的基本構(gòu)建模塊之一。在經(jīng)典模式下，運(yùn)算放大器由兩個(gè)輸入引腳和一個(gè)輸出引腳構(gòu)成，其中一個(gè)輸入引腳使信號(hào)反相，另一個(gè)輸入引腳則保持信號(hào)的相位。運(yùn)算放大器的標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)如圖1所示。其中略去了電源引腳，該引腳顯然是器件工作的必需引腳。

標(biāo)簽： VFB 電壓反饋運(yùn)算放大器

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：dalidala

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