PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時間： 2013-10-22
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附件附帶破解補丁 浩辰CAD 2012專業(yè)版破解方法： 按正常安裝浩辰CAD 2012專業(yè)版，點擊安裝KeyGen.exe。 浩辰CAD2012，以增強軟件實用性、易用性為主要目標(biāo)，新增了大量實用功能，改進(jìn)了著色、消隱的正確性，提升了大幅面光柵圖像處理的性能，同時改進(jìn)了LISP\VBA二次開發(fā)接口的正確性和兼容性。 浩辰CAD 2012根據(jù)國內(nèi)外用戶的需求，增加了大量實用功能，例如動態(tài)塊、DWF文件插入、隔離隱藏對象、轉(zhuǎn)換EXCEL表格、塊屬性管理器、放樣、超級填充等。 浩辰cad2012新增功能： 1、動態(tài)塊（bedit） 動態(tài)塊具有靈活性和智能性。 用戶在操作時可以輕松地更改圖形中的動態(tài)塊參照。 可以通過自定義夾點或自定義特性來操作動態(tài)塊參照中的幾何圖形。 a)通過設(shè)置圖塊中元素的可見性，一個圖塊中可以包含一種圖形的多種形態(tài)，如下圖的汽車模塊就包含跑車、轎車和卡車的各向視圖，只需在可見性列表中選擇一個選項，就可以顯示相應(yīng)的圖形。 還可對圖塊中的圖形設(shè)置參數(shù)和動作，可對圖塊的整體或部分圖形進(jìn)行移動、旋轉(zhuǎn)、翻轉(zhuǎn)、縮放、陣列等；并可建立查詢列表，對圖塊進(jìn)行參數(shù)化控制。通過圖塊的動作設(shè)置，一個圖塊可以派生出數(shù)個圖塊，如下圖所示： 2、DWF參考底圖（dwfattach） 可以將dwf文件插入到當(dāng)前圖中作為參考底圖，并可以捕捉到底圖的端點、中點，如下圖所示： 3、對象隔離、對象隱藏、取消對象隔離 可將選擇的對象暫時隱藏，也可將選擇對象以外的其他所有對象隱藏。當(dāng)圖中對象較多，利用此命令可以簡化圖紙，方便后續(xù)操作，操作起來比圖層隔離更加簡便、直觀。 4、凍結(jié)其它圖層和鎖定其它圖層 浩辰CAD 之前版本提供了圖層隔離的功能，凍結(jié)其他圖層和鎖定其它圖層與圖層隔離功能類似，可以通過選擇需要顯示或可編輯對象，將其他圖層進(jìn)行凍結(jié)和鎖定。 5、CAD表格轉(zhuǎn)EXCEL表格 可以直接選擇CAD中由直線、多段線和單行文字、多行文字組成的表格輸出為EXCEL表格。 6、文字遞增 可以對序號、編號、數(shù)值進(jìn)行遞增復(fù)制，間距、數(shù)量和增量均可隨心所欲地控制。 7、多段線布爾運算 可直接對封閉的多段線進(jìn)行差并交計算，無需轉(zhuǎn)換面域，有時比修剪更簡便。 8、拼寫檢查（spell） 此功能實現(xiàn)對用戶輸入的單詞或文章進(jìn)行單詞校驗，提示匹配的單詞列表，方便用戶進(jìn)行正確的單詞填寫工作。可以實現(xiàn)不同語言的單詞校驗工作，包括英文，德文，等8種語言。 可以對全部實體（包括布局，模型中的所有實體）進(jìn)行校驗。 可以分別對布局或模型中的實體進(jìn)行校驗。 可以單獨對一個實體或一個選擇集進(jìn)行校驗。 方便用戶自定義詞典。 兼容的自定義詞典。 支持文字，塊內(nèi)文字，塊屬性，屬性，標(biāo)注的校驗。 9、放樣（Loft） 通過對包含兩條或者兩條以上的橫截面曲線的一組曲線進(jìn)行放樣（繪制實體或曲面）來創(chuàng)建三維實體或曲面。 10、塊屬性管理器（battman） 創(chuàng)建帶屬性的塊后，執(zhí)行 battman 對塊中屬性定義進(jìn)行查詢和修改，如果將修改應(yīng)用到所有塊參照，則對應(yīng)塊的塊參照中屬性實體也會做對應(yīng)修改。 11、超級填充（superhatch） 超級填充命令有點像hatch命令，不同的是，可以使用該命令將光柵圖像、塊、外部參照和擦除這些實體作為填充實體對閉合區(qū)域進(jìn)行填充。 12、線上寫字 可以在選擇線上書寫文字，線會被自動打斷，文字會放到線中間。 ◆ 重要功能改進(jìn) 1、超鏈接 浩辰CAD 2012版的超鏈接不僅修改了以前存在的一些錯誤，而且提供了更為豐富的功能。 a)支持web鏈接的瀏覽和連接的設(shè)置。 b)支持打開操作系統(tǒng)可打開的所有文件。 c)支持dwg圖紙的視圖定位。 d)支持超鏈接的復(fù)制粘貼。 e)可以通過鼠標(biāo)光標(biāo)狀態(tài)來判斷是否存在鏈接，方便用戶判斷是否存在鏈接。 f)可以通過ctrl+鼠標(biāo)點擊打開設(shè)置的文件，方便用戶的操作。 g)可以通過右鍵打開塊內(nèi)實體的鏈接。 2、光柵圖像 浩辰CAD 2012版不僅增加了圖像格式的支持，同時提升了大分辨率光柵圖像的插入、顯示和打印的效果和速度。 a) 增加了對多種圖像格式的支持，諸如：CALS-1(*.cal,*.mil,*.rst,*.cg4)、RLC、GEOSPORT(.bil)、PICT(.pct/.pict)、IG4、Autodesk Animator(.fil/.flc)。 b) 內(nèi)存使用問題，可以插入多張圖片，內(nèi)存不會增加。 c) 光柵圖像打印問題（不清晰）。 d) 插入大圖像時，預(yù)覽速度大幅提升。 3、二次開發(fā)改進(jìn) 浩辰CAD 2012版針對二次開發(fā)商和用戶提出的一些LISP及VBA與AutoCAD存在的兼容性問題進(jìn)行了系統(tǒng)梳理，兼容性有明顯提升，此外還針對國外二次開發(fā)商的需求開發(fā)了Lisp調(diào)試器。 a) Lisp改進(jìn) 處理了線程問題、命令范圍值問題、VLX解析問題，對Lisp程序執(zhí)行速度進(jìn)行了優(yōu)化。 b) VBA改進(jìn) 處理了VBA的文檔管理、接口不全、接口錯誤、類派生關(guān)系錯誤問題。 c) Lisp調(diào)試器 用戶在使用浩辰CAD時，由于LISP與AutoCAD不完全兼容，用戶需要一個工具進(jìn)行調(diào)試，以協(xié)助用戶解決及分析報告LISP問題。此系統(tǒng)以完成調(diào)試功能為主，不處理詞法分析前的映射。適用于中級以上開發(fā)用戶。
上傳時間： 2013-11-10
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電子、電氣產(chǎn)品的設(shè)計，必須保證在一定的電磁環(huán)境中能正常工作，既滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的抗干擾極限值要求，在受到一定的電磁干擾時，無性能降級或故障；又要滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電磁輻射極限值的要求，對電磁環(huán)境不構(gòu)成污染。所以，產(chǎn)品設(shè)計之初，就要從分析產(chǎn)品預(yù)期的電磁環(huán)境、干擾源、耦合途徑和敏感部件入手，采用相應(yīng)的技術(shù)措施，抑制干擾源、切斷或削弱耦合途徑，增強敏感部件的抗干擾能力等。文中詳細(xì)介紹了一款485通訊隔離產(chǎn)品從輻射超標(biāo)到順利通過FCC CLASS B認(rèn)證，在原理設(shè)計、PCB制板等多方面所做的各項改進(jìn)措施。文中所提到的方法及規(guī)則，對產(chǎn)品EMC設(shè)計具有很大的參考及指導(dǎo)意義。
上傳時間： 2013-10-24
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為提高系統(tǒng)工作可靠性，尤其是系統(tǒng)供電的可靠性，經(jīng)常需要提供兩路穩(wěn)定可靠性的工作電源，在一路電源出現(xiàn)故障時可以迅速切換到備路電源，但是切換電路的設(shè)計需要和系統(tǒng)進(jìn)行適當(dāng)?shù)钠ヅ湓O(shè)計，否則在電源主備路切換繼電器在進(jìn)行切換時，有可能導(dǎo)致系統(tǒng)工作異常，本文對故障產(chǎn)生原因進(jìn)行了分析，對切換電路提出了優(yōu)化改進(jìn)方案，并通過試驗驗證了優(yōu)化方案的正確性和可行性。
上傳時間： 2013-11-09
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38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)被廣泛應(yīng)用于計算機、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域，涉及到國民經(jīng)濟(jì)各行各業(yè)。特別是近年來，隨著IGBT的廣泛應(yīng)用，開關(guān)電源向更大功率方向發(fā)展。研制各種各樣的大功率，高性能的開關(guān)電源成為趨勢。某電源系統(tǒng)要求輸入電壓為AC220V，輸出電壓為DC38V，輸出電流為100A，輸出電壓低紋波，功率因數(shù)>0.9，必要時多臺電源可以直接并聯(lián)使用，并聯(lián)時的負(fù)載不均衡度<5％。 設(shè)計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓，經(jīng)過有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)以提高系統(tǒng)的功率因數(shù)，再經(jīng)半橋變換電路逆變后，由高頻變壓器隔離降壓，最后整流輸出直流電壓。系統(tǒng)的主要環(huán)節(jié)有DC/DC電路、功率因數(shù)校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護(hù)電路等。 1 有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié) 由于系統(tǒng)的功率因數(shù)要求0.9以上，采用二極管整流是不能滿足要求的，所以，加入了有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數(shù)電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數(shù)校正器集成控制電路芯片，是在UC3854基礎(chǔ)上的改進(jìn)。其特點是：采用平均電流控制，功率因數(shù)接近1，高帶寬，限制電網(wǎng)電流失真≤3％[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數(shù)校正電路。 該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構(gòu)成控制部分，實現(xiàn)對網(wǎng)側(cè)輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件構(gòu)成Boost升壓電路。開關(guān)管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊，其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯(lián)。因為，設(shè)計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中，所以，在負(fù)載輕的時候不進(jìn)行功率因數(shù)校正，當(dāng)負(fù)載較大時功率因數(shù)校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現(xiàn)。R10及R11是負(fù)載檢測電阻。當(dāng)負(fù)載較輕時，R10及R11上檢測的信號輸入給比較器，使其輸出端為低電平，D2導(dǎo)通，給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負(fù)載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS（軟啟動端），在負(fù)載輕時D3導(dǎo)通，使SS為低電平；當(dāng)負(fù)載增大要求UC3854A/B工作時，SS端電位從零緩慢升高，控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現(xiàn)軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓?fù)?在大功率高頻開關(guān)電源中，常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關(guān)器件少，輸出功率大，但開關(guān)管承受電壓高（為電源電壓的2倍），且變壓器有六個抽頭，結(jié)構(gòu)復(fù)雜；全橋電路開關(guān)管承受的電壓不高，輸出功率大，但是需要的開關(guān)器件多（4個），驅(qū)動電路復(fù)雜。半橋電路開關(guān)管承受的電壓低，開關(guān)器件少，驅(qū)動簡單。根據(jù)對各種拓?fù)浞桨傅墓こ袒瘜崿F(xiàn)難度，電氣性能以及成本等指標(biāo)的綜合比較，本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關(guān)電源的主電路拓?fù)鋱D。
上傳時間： 2013-11-13
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在基本Sprott-B混沌系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，引入一個控制參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)改造，構(gòu)建出一個恒定Lyapunov指數(shù)譜魯棒混沌系統(tǒng)。通過相軌圖、Lyapunov指數(shù)譜和分岔圖等動力學(xué)工具對系統(tǒng)進(jìn)行了仿真分析。研究結(jié)果表明，系統(tǒng)對唯一的控制參數(shù)保持恒定的Lyapunov指數(shù)譜，從而工作于魯棒混沌狀態(tài)，理論分析則揭示出控制參數(shù)對于系統(tǒng)的混沌振蕩具有線性或非線性調(diào)幅作用。此外，在以改進(jìn)的Euler算法進(jìn)行離散化后，采用微控制器MSP430F249進(jìn)行了實驗驗證，證明了系統(tǒng)的可實現(xiàn)性。
標(biāo)簽： Lyapunov 魯棒 混沌系統(tǒng) 微控制器
上傳時間： 2014-01-06
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PIC 單片機的組成習(xí)題解答 解答部分1. PIC 單片機指令的執(zhí)行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結(jié)構(gòu)的原則，充分利用了計算機系統(tǒng)在程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器之間地址空間的相互獨立性，取指過程和執(zhí)行指令過程可以流水線操作同時進(jìn)行。因此，當(dāng)PIC 時鐘頻率為4MHZ時，執(zhí)行一條非轉(zhuǎn)移類指令需要4 個系統(tǒng)時鐘周期，即1us,但其指令執(zhí)行的真實時間應(yīng)為2us(在執(zhí)行n—1 條指令時取第n 條指令，然后執(zhí)行第n 條指令)。所以選項B 正確2. 端口RE 共有3 個引腳RE0~RE2，它們除了用做普通I/O 引腳和第5~7 路模擬信號輸入引腳外，還依次分別承擔(dān)并行口讀出/寫入/片選控制端引腳。A． 對。讀出/寫入（REO~RE1）。B．錯。同步串行的相關(guān)引腳與端口C 有關(guān)。C．錯。通用異步/同步串行的相關(guān)引腳與端口C有關(guān)。D． 錯。CCP模塊的相關(guān)引腳也是與端口C有關(guān)。所以選項A正確。3. 上電延時電路能提供一個固定的72ms 上電延時，從而使VDD有足夠的時間上繁榮昌盛到單片機合適的工作電壓。所以選項B 正確。
上傳時間： 2013-11-09
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單片機指令系統(tǒng)原理 51單片機的尋址方式 學(xué)習(xí)匯編程序設(shè)計，要先了解CPU的各種尋址法，才能有效的掌握各個命令的用途，尋址法是命令運算碼找操作數(shù)的方法。在我們學(xué)習(xí)的8051單片機中，有6種尋址方法，下面我們將逐一進(jìn)行分析。 立即尋址 在這種尋址方式中，指令多是雙字節(jié)的，一般第一個字節(jié)是操作碼，第二個字節(jié)是操作數(shù)。該操作數(shù)直接參與操作，所以又稱立即數(shù)，有“#”號表示。立即數(shù)就是存放在程序存儲器中的常數(shù)，換句話說就是操作數(shù)（立即數(shù)）是包含在指令字節(jié)中的。 例如：MOV A，#3AH這條指令的指令代碼為74H、3AH，是雙字節(jié)指令，這條指令的功能是把立即數(shù)3AH送入累加器A中。MOV DPTR，#8200H在前面學(xué)單片機的專用寄存器時，我們已學(xué)過，DPTR是一個16位的寄存器，它由DPH及DPL兩個8位的寄存器組成。這條指令的意思就是把立即數(shù)的高8位（即82H）送入DPH寄存器，把立即數(shù)的低8位（即00H）送入DPL寄存器。這里也特別說明一下：在80C51單片機的指令系統(tǒng)中，僅有一條指令的操作數(shù)是16位的立即數(shù)，其功能是向地址指針DPTR傳送16位的地址，即把立即數(shù)的高8位送入DPH，低8位送入DPL。 直接尋址 直接尋址方式是指在指令中操作數(shù)直接以單元地址的形式給出，也就是在這種尋址方式中，操作數(shù)項給出的是參加運算的操作數(shù)的地址，而不是操作數(shù)。例如：MOV A，30H 這條指令中操作數(shù)就在30H單元中，也就是30H是操作數(shù)的地址，并非操作數(shù)。 在80C51單片機中，直接地址只能用來表示特殊功能寄存器、內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器以及位地址空間，具體的說就是：1、內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器RAM低128單元。在指令中是以直接單元地址形式給出。我們知道低128單元的地址是00H-7FH。在指令中直接以單元地址形式給出這句話的意思就是這0-127共128位的任何一位，例如0位是以00H這個單元地址形式給出、1位就是以01H單元地址給出、127位就是以7FH形式給出。2、位尋址區(qū)。20H-2FH地址單元。3、特殊功能寄存器。專用寄存器除以單元地址形式給出外，還可以以寄存器符號形式給出。例如下面我們分析的一條指令 MOV IE，#85H 前面的學(xué)習(xí)我們已知道，中斷允許寄存器IE的地址是80H，那么也就是這條指令可以以MOV IE，#85H 的形式表述，也可以MOV 80H，#85H的形式表述。 關(guān)于數(shù)據(jù)存儲器RAM的內(nèi)部情況，請查看我們課程的第十二課。 直接尋址是唯一能訪問特殊功能寄存器的尋址方式！ 大家來分析下面幾條指令：MOV 65H，A ；將A的內(nèi)容送入內(nèi)部RAM的65H單元地址中MOV A，direct ；將直接地址單元的內(nèi)容送入A中MOV direct,direct；將直接地址單元的內(nèi)容送直接地址單元MOV IE,#85H ；將立即數(shù)85H送入中斷允許寄存器IE 前面我們已學(xué)過，數(shù)據(jù)前面加了“#”的，表示后面的數(shù)是立即數(shù)（如#85H，就表示85H就是一個立即數(shù)），數(shù)據(jù)前面沒有加“#”號的，就表示后面的是一個地址地址（如，MOV 65H，A這條指令的65H就是一個單元地址）。 寄存器尋址 寄存器尋址的尋址范圍是：1、4個工作寄存器組共有32個通用寄存器，但在指令中只能使用當(dāng)前寄存器組（工作寄存器組的選擇在前面專用寄存器的學(xué)習(xí)中，我們已知道，是由程序狀態(tài)字PSW中的RS1和RS0來確定的），因此在使用前常需要通過對PSW中的RS1、RS0位的狀態(tài)設(shè)置，來進(jìn)行對當(dāng)前工作寄存器組的選擇。2、部份專用寄存器。例如，累加器A、通用寄存器B、地址寄存器DPTR和進(jìn)位位CY。 寄存器尋址方式是指操作數(shù)在寄存器中，因此指定了寄存器名稱就能得到操作數(shù)。例如：MOV A，R0這條指令的意思是把寄存器R0的內(nèi)容傳送到累加器A中，操作數(shù)就在R0中。INC R3這條指令的意思是把寄存器R3中的內(nèi)容加1 從前面的學(xué)習(xí)中我產(chǎn)應(yīng)可以理解到，其實寄存器尋址方式就是對由PSW程序狀態(tài)字確定的工作寄存器組的R0-R7進(jìn)行讀/寫操作。 寄存器間接尋址 寄存間接尋址方式是指寄存器中存放的是操作數(shù)的地址，即操作數(shù)是通過寄存器間接得到的，因此稱為寄存器間接尋址。 MCS-51單片機規(guī)定工作寄存器的R0、R1做為間接尋址寄存器。用于尋址內(nèi)部或外部數(shù)據(jù)存儲器的256個單元。為什么會是256個單元呢？我們知道，R0或者R1都是一個8位的寄存器，所以它的尋址空間就是2的八次方=256。例：MOV R0，#30H ；將值30H加載到R0中 MOV A，@R0 ；把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到累加器A中 MOVX A，@R0 ；把外部RAM地址30H內(nèi)的值放到累加器A中 大家想想，如果用DPTR做為間址寄存器，那么它的尋址范圍是多少呢？DPTR是一個16位的寄存器，所以它的尋址范圍就是2的十六次方=65536=64K。因用DPTR做為間址寄存器的尋址空間是64K，所以訪問片外數(shù)據(jù)存儲器時，我們通常就用DPTR做為間址寄存器。例：MOV DPTR，#1234H ；將DPTR值設(shè)為1234H（16位） MOVX A，@DPTR ；將外部RAM或I/O地址1234H內(nèi)的值放到累加器A中 在執(zhí)行PUSH（壓棧）和POP（出棧）指令時，采用堆棧指針SP作寄存器間接尋址。例：PUSH 30H ；把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到堆棧區(qū)中堆棧區(qū)是由SP寄存器指定的，如果執(zhí)行上面這條命令前，SP為60H，命令執(zhí)行后會把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到RAM的61H內(nèi)。 那么做為寄存器間接尋址用的寄存器主要有哪些呢？我們前面提到的有四個，R0、R1、DPTR、SP 寄存器間接尋址范圍總結(jié)：1、內(nèi)部RAM低128單元。對內(nèi)部RAM低128單元的間接尋址，應(yīng)使用R0或R1作間址寄存器，其通用形式為@Ri（i=0或1）。 2、外部RAM 64KB。對外部RAM64KB的間接尋址，應(yīng)使用@DPTR作間址尋址寄存器，其形式為：@DPTR。例如MOVX A，@DPTR；其功能是把DPTR指定的外部RAM的單元的內(nèi)容送入累加器A中。外部RAM的低256單元是一個特殊的尋址區(qū)，除可以用DPTR作間址寄存器尋址外，還可以用R0或R1作間址寄存器尋址。例如MOVX A，@R0；這條指令的意思是，把R0指定的外部RAM單元的內(nèi)容送入累加器A。 堆棧操作指令（PUSH和POP）也應(yīng)算作是寄存器間接尋址，即以堆棧指針SP作間址寄存器的間接尋址方式。 寄存器間接尋址方式不可以訪問特殊功能寄存器！！ 寄存器間接尋址也須以寄存器符號的形式表示，為了區(qū)別寄存器尋址我寄存器間接尋址的區(qū)別，在寄存器間接尋址方式式中，寄存器的名稱前面加前綴標(biāo)志“@”。 基址寄存器加變址寄存器的變址尋址 這種尋址方式以程序計數(shù)器PC或DPTR為基址寄存器，累加器A為變址寄存器，變址尋址時，把兩者的內(nèi)容相加，所得到的結(jié)果作為操作數(shù)的地址。這種方式常用于訪問程序存儲器ROM中的數(shù)據(jù)表格，即查表操作。變址尋址只能讀出程序內(nèi)存入的值，而不能寫入，也就是說變址尋址這種方式只能對程序存儲器進(jìn)行尋址，或者說它是專門針對程序存儲器的尋址方式。例：MOVC A，@A+DPTR這條指令的功能是把DPTR和A的內(nèi)容相加，再把所得到的程序存儲器地址單元的內(nèi)容送A假若指令執(zhí)行前A=54H，DPTR=3F21H，則這條指令變址尋址形成的操作數(shù)地址就是54H+3F21H=3F75H。如果3F75H單元中的內(nèi)容是7FH，則執(zhí)行這條指令后，累加器A中的內(nèi)容就是7FH。 變址尋址的指令只有三條，分別如下：JMP @A+DPTRMOVC A，@A+DPTRMOVC A，@A+PC 第一條指令JMP @A+DPTR這是一條無條件轉(zhuǎn)移指令，這條指令的意思就是DPTR加上累加器A的內(nèi)容做為一個16位的地址，執(zhí)行JMP這條指令是，程序就轉(zhuǎn)移到A+DPTR指定的地址去執(zhí)行。 第二、三條指令MOVC A，@A+DPTR和MOVC A，@A+PC指令這兩條指令的通常用于查表操作，功能完全一樣，但使用起來卻有一定的差別，現(xiàn)詳細(xì)說明如下。我們知道，PC是程序指針，是十六位的。DPTR是一個16位的數(shù)據(jù)指針寄存器，按理，它們的尋址范圍都應(yīng)是64K。我們在學(xué)習(xí)特殊功能寄存器時已知道，程序計數(shù)器PC是始終跟蹤著程序的執(zhí)行的。也就是說，PC的值是隨程序的執(zhí)行情況自動改變的，我們不可以隨便的給PC賦值。而DPTR是一個數(shù)據(jù)指針，我們就可以給空上數(shù)據(jù)指針DPTR進(jìn)行賦值。我們再看指令MOVC A，@A+PC這條指令的意思是將PC的值與累加器A的值相加作為一個地址，而PC是固定的，累加器A是一個8位的寄存器，它的尋址范圍是256個地址單元。講到這里，大家應(yīng)可明白，MOVC A，@A+PC這條指令的尋址范圍其實就是只能在當(dāng)前指令下256個地址單元。所在，這在我們實際應(yīng)用中，可能就會有一個問題，如果我們需要查詢的數(shù)據(jù)表在256個地址單元之內(nèi)，則可以用MOVC A，@A+PC這條指令進(jìn)行查表操作，如果超過了256個單元，則不能用這條指令進(jìn)行查表操作。剛才我們已說到，DPTR是一個數(shù)據(jù)指針，這個數(shù)據(jù)指針我們可以給它賦值操作的。通過賦值操作。我們可以使MOVC A，@A+DPTR這條指令的尋址范圍達(dá)到64K。這就是這兩條指令在實際應(yīng)用當(dāng)中要注意的問題。 變址尋址方式是MCS-51單片機所獨有的一種尋址方式。 位尋址 80C51單片機有位處理功能，可以對數(shù)據(jù)位進(jìn)行操作，因此就有相應(yīng)的位尋址方式。所謂位尋址，就是對內(nèi)部RAM或可位尋址的特殊功能寄存器SFR內(nèi)的某個位，直接加以置位為1或復(fù)位為0。 位尋址的范圍，也就是哪些部份可以進(jìn)行位尋址： 1、我們在第十二課學(xué)習(xí)51單片機的存儲器結(jié)構(gòu)時，我們已知道在單片機的內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器RAM的低128單元中有一個區(qū)域叫位尋址區(qū)。它的單元地址是20H-2FH。共有16個單元，一個單元是8位，所以位尋址區(qū)共有128位。這128位都單獨有一個位地址，其位地址的名字就是00H-7FH。這里就有一個比較麻煩的問題需要大家理解清楚了。我們在前面的學(xué)習(xí)中00H、01H。。。。7FH等等，所表示的都是一個字節(jié)（或者叫單元地址），而在這里，這些數(shù)據(jù)都變成了位地址。我們在指令中，或者在程序中如何來區(qū)分它是一個單元地址還是一個位地址呢？這個問題，也就是我們現(xiàn)在正在研究的位尋址的一個重要問題。其實，區(qū)分這些數(shù)據(jù)是位地址還是單元地址，我們都有相應(yīng)的指令形式的。這個問題我們在后面的指令系統(tǒng)學(xué)習(xí)中再加以論述。 2、對專用寄存器位尋址。這里要說明一下，不是所有的專用寄存器都可以位尋址的。具體哪些專用寄存器可以哪些專用寄存器不可以，請大家回頭去看看我們前面關(guān)于專用寄存器的相關(guān)文章。一般來說，地址單元可以被8整除的專用寄存器，通常都可以進(jìn)行位尋址，當(dāng)然并不是全部，大家在應(yīng)用當(dāng)中應(yīng)引起注意。 專用寄存器的位尋址表示方法： 下面我們以程序狀態(tài)字PSW來進(jìn)行說明 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 CY AC F0 RS1 RS0 OV P 1、直接使用位地址表示：看上表，PSW的第五位地址是D5，所以可以表示為D5H MOV C，D5H 2、位名稱表示：表示該位的名稱，例如PSW的位5是F0，所以可以用F0表示 MOV C，F(xiàn)0 3、單元（字節(jié)）地址加位表示：D0H單元位5，表示為DOH.5 MOV C,D0H.5 4、專用寄存器符號加位表示：例如PSW.5 MOV C,PSW.5 這四種方法實現(xiàn)的功能都是相同的，只是表述的方式不同而已。 例題： 1. 說明下列指令中源操作數(shù)采用的尋址方式。 MOV R5，R7 答案：寄存器尋址方式 MOV A，55H 直接尋址方式 MOV A，＃55H 立即尋址方式 JMP @A+DPTR 變址尋址方式 MOV 30H，C 位尋址方式 MOV A，@R0 間接尋址方式 MOVX A,@R0 間接尋址方式 改錯題 請判斷下列的MCS-51單片機指令的書寫格式是否有錯，若有，請說明錯誤原因。 MOV R0，@R3 答案：間址寄存器不能使用R2～R7。 MOVC A，@R0+DPTR 變址尋址方式中的間址寄存器不可使用R0，只可使用A。 ADD R0，R1 運算指令中目的操作數(shù)必須為累加器A，不可為R0。 MUL AR0 乘法指令中的乘數(shù)應(yīng)在B寄存器中，即乘法指令只可使用AB寄存器組合。
標(biāo)簽： 單片機指令 系統(tǒng)原理
上傳時間： 2013-11-11
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關(guān)于PCB封裝的資料收集整理. 大的來說,元件有插裝和貼裝.零件封裝是指實際零件焊接到電路板時所指示的外觀和焊點的位置。是純粹的空間概念.因此不同的元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻，有傳統(tǒng)的針插式，這種元件體積較大，電路板必須鉆孔才能安置元件，完成鉆孔后，插入元件，再過錫爐或噴錫（也可手焊），成本較高，較新的設(shè)計都是采用體積小的表面貼片式元件（SMD）這種元件不必鉆孔，用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在電路板上了。晶體管是我們常用的的元件之一，在DEVICE。LIB庫中，簡簡單單的只有NPN與PNP之分，但實際上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5，而學(xué)用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，還有TO-5，TO-46，TO-52等等，千變?nèi)f化。還有一個就是電阻，在DEVICE 庫中，它也是簡單地把它們稱為RES1 和RES2，不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣，對電路板而言，它與歐姆數(shù)根本不相關(guān)，完全是按該電阻的功率數(shù)來決定的我們選用的1/4W 和甚至1/2W 的電阻，都可以用AXIAL0.3 元件封裝，而功率數(shù)大一點的話，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等?，F(xiàn)將常用的元件封裝整理如下：電阻類及無極性雙端元件：AXIAL0.3-AXIAL1.0無極性電容：RAD0.1-RAD0.4有極性電容：RB.2/.4-RB.5/1.0二極管：DIODE0.4及DIODE0.7石英晶體振蕩器：XTAL1晶體管、FET、UJT：TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻（POT1、POT2）：VR1-VR5這些常用的元件封裝，大家最好能把它背下來，這些元件封裝，大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3，AXIAL 翻譯成中文就是軸狀的，0.3 則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil（因為在電機領(lǐng)域里，是以英制單位為主的。同樣的，對于無極性的電容，RAD0.1-RAD0.4也是一樣；對有極性的電容如電解電容，其封裝為RB.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”為焊盤間距，“.4”為電容圓筒的外徑。對于晶體管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶體管，就用TO—3，中功率的晶體管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金屬殼的，就用TO-66，小功率的晶體管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管腳也長，彎一下也可以。對于常用的集成IC電路，有DIPxx，就是雙列直插的元件封裝，DIP8就是雙排，每排有4個引腳，兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx 就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻，它們的包裝才是最令人頭痛的，同樣的包裝，其管腳可不一定一樣。例如，對于TO-92B之類的包裝，通常是1 腳為E（發(fā)射極），而2 腳有可能是B 極（基極），也可能是C（集電極）；同樣的，3腳有可能是C，也有可能是B，具體是那個，只有拿到了元件才能確定。因此，電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱（管腳名稱），同樣的，場效應(yīng)管，MOS 管也可以用跟晶體管一樣的封裝，它可以通用于三個引腳的元件。Q1-B，在PCB 里，加載這種網(wǎng)絡(luò)表的時候，就會找不到節(jié)點（對不上）。在可變電阻
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用51單片機設(shè)計的時鐘電路畢業(yè)論文第一章電路原理分析1-1 顯示原理1-2 數(shù)碼管結(jié)構(gòu)及代碼顯示1-3 鍵盤及讀數(shù)原理1-4 連擊功能的實現(xiàn)第 二 章 程序設(shè)計思想和相關(guān)指令介紹2-1 數(shù)據(jù)與代碼轉(zhuǎn)換2-2 計時功能的實現(xiàn)與中斷服務(wù)程序2-3 時間控制功能與比較指令2-4 時鐘誤差的分析附錄A 電路圖附錄B 存儲單元地址表附錄C 輸入輸出口功能分配表附錄D 定時中斷程序流程圖附錄F 調(diào)時功能流程圖附錄G 程序清單
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