量測可變電阻的類比電壓值，並將10位元的良測結果轉換成ASCII編碼，並輸出到個人電腦上的終端機
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上傳時間： 2014-01-19
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透過微處裡器4520將可變電阻的值透過ADC功能轉換結果秀在LCD上
上傳時間： 2014-01-17
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低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!
上傳時間： 2014-01-12
上傳用戶：清風冷雨
低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!
上傳時間： 2016-10-18
上傳用戶：frank1234
MCU重置電路及振盪電路應用 MCU重置電路及振盪電路應用 MCU重置電路及振盪電路應用
標簽： MCU
上傳時間： 2013-12-17
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電阻和電容器優先係數電阻和電容器優先係數電阻和電容器優先係數
標簽： 電阻
上傳時間： 2021-12-12
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一．產品描述 提供8個觸摸感應按鍵，二進制(BCD)編碼輸出，具有一個按鍵承認輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認的狀態。提供低功耗模式，可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 二．產品特色 1.工作電壓範圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流： 3mA (正常模式)；15 uA (休眠模式) @5V 3. 8 個觸摸感應按鍵 4.持續無按鍵 4 秒，進入休眠模式 5. 提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 6. 按鍵後離開，輸出狀態會維持到下次按鍵才會改變。 7. 提供按鍵承認有效輸出，當有按鍵時輸出低電平，無按鍵為高電平。 8. 可以經由調整 CAP 腳的外接電容，調整靈敏度，電容越大靈敏度越高 9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 10. 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三．產品應用 各種大小家電，娛樂產品 四．功能描述 1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。 2.單鍵優先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經承認了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認，同時間只有一個按鍵狀態會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續超過 10 秒, 就會做復位。 4.環境調適功能，可隨環境的溫濕度變化調整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認輸出。 6.內建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產生誤動。 聯系人：許碩 QQ：191 888 5898 聯系電話：188 9858 2398（微信）
標簽： KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾 防水 省電
上傳時間： 2019-08-08
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高溫超導（High Temperature Superconductor,HTS）磁陰電動機與傳統磁陰電動機相比，能夠以更小的體積和重量實現更大的輸出功率、更高的功率因數和效率.國外有關超導磁阻電動機的研究目前還處于初級階段，國內在這一領域更為滯后.論文以普通磁阻電動機的電磁關系為基礎，結合超導材料特殊的電磁特性，初步提出了超導磁阻電動機電磁設計的一般原則;并嘗試進行了一臺額定功率為150W的內反應式HTS磁阻電動機的電磁設計.論文以實際設計的一臺內反應式HTS磁阻電動機樣機作為分析實例，基于第二類超導體臨界態Kim模型和電磁場的有限元方法，提出了一般HTS磁阻電動機的內部磁場及交、直軸同步電抗的分析與計算方法.并在此基礎上進一步研究了如何借助HTS磁阻電動機的電抗曲線分析HTS磁阻電動機的穩態工作特性.論文對常規磁阻電動機與HTS磁阻電動機進行了比較.計算結果表明，在電機尺寸、結構不變的前提下，超導磁阻電動機比常規磁阻電動機明顯地提高了電機X/X值，因而以更小的尺寸獲得了更大的輸出轉矩、更高的效率和功率因數，同時電機的穩定運行區間也有所增大.計算結果還表明，采用抗磁性更強的YBCO塊材作為交軸阻磁介質，能夠保證轉子在獲得較大的直、交軸磁阻差異的同時不必犧牲較大的極孤系數和氣隙寬度，從而氣隙磁密有較好的波形，電機具有較好的同步性能.論文也對幾種具有相同定子但轉子結構不同的HTS磁阻電動機做了比較，比較結果顯示，ALA式HTS磁阻電動機比內反應式HTS磁阻電動機具有更大的輸出轉矩;當輸出功率較大時，ALA結構的HTS磁阻電動機還比內反應結構具有更好的穩態工作特性.另外發現，thin-zebra ALA式HTS磁阻電動機的同步性能比thick-zebra ALA式HTS磁阻電動機更好.在進行內反應式HTS磁阻電動機的設計時，內反應槽既要盡量阻隔交軸磁通，又要分布的比較均勻，這樣才能既獲得足夠的直、交軸同步電抗比，又削弱轉矩脈動，從而最終改善電機的同步性能.
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：水中浮云
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
